Транзисторы BC337 и BC327. Характеристика, SMD аналог, распиновка, описание

Транзисторы BC337 (NPN) и BC327 (PNP) являются биполярными транзисторами общего применения средней мощности. Они очень похожи на транзисторы BC548 (NPN) и BC558 (PNP), но более мощные.

Коллекторный ток BC337 и BC327 может доходить до 800 мА, что в свою очередь позволяет использовать их в управлении электронными устройствами средней мощности, например, в драйверах для небольших двигателей, реле, а также в небольших светодиодных лентах.

На рисунке ниже показана классическая схема управления реле с использованием транзистора BC337. Сопротивление резистора R зависит от логики управления и мощности реле, но обычно можно использовать значение 3,3 kOm.

Транзисторы BC337 и BC327 имеют одинаковый корпус и распиновку выводов, как и у транзистора BC548.

Данные транзисторы очень экономичны и благодаря вышеупомянутой мощности они действительно универсальны.

По этим причинам они используются во многих электронных схемах расположенных на данном сайте, и особенно в схемах, когда необходимо управлять токами которые могут превышать 100 мА. Максимальное напряжение коллектор-эммитер (VCE) у них составляет 45В.

Из двух упомянутых транзисторов, BC337 является наиболее часто используемым, так как NPN тип лучше всего подходит для управления. Транзистор BC327 имеет те же характеристики, что и BC337, но имеет проводимость PNP типа, то есть он является комплементарной парой для BC337.

Распиновка BC337 (NPN) и BC327 (PNP)

Оба транзистора могут быть использованы в выходных каскадах небольших аудиоусилителей. Пример такого типа усилителя можно увидеть на следующем рисунке. Это усилитель собран только на транзисторах и его выходная мощность составляет 0,4 Вт.

Минимальный коэффициент усиления транзистора по току (hFE) для BC337 и BC327 составляет 100, но может доходить и до 630. Если в конце маркировки мы увидим число, то это означает, что коэффициент усиления будет находиться в определенном диапазоне:

Транзисторы BC337 и BC327 довольно быстры и могут использоваться в схемах коммутации. Граничная частота коэффициента передачи тока, то есть частота, при которой усиление снижается до 1, составляет 100 МГц.

Поэтому, если нам нужен хороший коэффициент усиления, то не стоит использовать данные транзисторы в схемах с частотами более 1 МГц.

Технические характеристики BC337 и BC327

Для поверхностного монтажа (SMD) существуют эквивалентные модели, такие как BC817 (NPN) и BC807 (PNP), но с пиковым током коллектора (Ic) немного ниже: 500 мА, вероятно, из-за используемого типа корпуса (SMD) sot23 и sot223.

Распиновка и обозначение SMD BC807 и BC817

Наконец, мы можем увидеть основные технические характеристики BC817 (NPN) и BC807 (PNP) в следующей таблице.

источник: inventable.eu

fornk.ru

Транзисторы и их аналоги

Транзистор   — аналог	Транзистор   — аналог	Транзистор   — аналог
2N1221 —   КТ501Г	2N4260 — КТ363АМ- Купить	2N5875 — 2Т818Б- Купить
2N1613 —   КТ630Г — Купить	2N4261 — КТ363ЕМ- Купить	2N6034 — КТ8130А- Купить
2N1715 — КТ630B — Купить	2N4271 — 2Т653А — Купить	2N6035 — КТ8130Б — Купить
2N2218 — КТ928А — Купить	2N4400 — КТ660А — Купить	2N6036 — КТ8130В — Купить
2N2219 — КТ928Б — Купить	2N4401 — КТ660А — Купить	2N6037 — КТ8131А — Купить
2N2219A — КТ928В — Купить	2N4402 — КТ685А — Купить	2N6038 — КТ8131Б — Купить
2N2221 — КТ3117А — Купить	2N4403 — КТ685В — Купить	2N6039 — КТ8131В — Купить
2N2222A — КТ3117Б — Купить	2N4411 — КТ3127А — Купить	2N6047 — КТ947А — Купить
2N2332 — 2Т208Б — Купить	2N4440 — 2Т921А — Купить	2N6053 — КТ825Б — Купить
2N2334 — 2Т208Г — Купить	2N4494 — KT645А — Купить	2N6054 — КТ825А — Купить
2N2335 — 2Т208Д — Купить	2N4930 — КТ505Б — Купить	2N6093 — КТ912А — Купить
2N2336 — 2Т208Л — Купить	2N4931 — КТ505А — Купить	2N6202 — КТ934А — Купить
2N2337 — 2Т208М — Купить	2N4933 — КТ927А — Купить	2N6203 — КТ934Б — Купить
2N2369 — КТ3142А — Купить	2N5069 — КТ3102Е — Купить	2N6204 — КТ934В — Купить
2N2405 — 2Т630А — Купить	2N5086 — КТ3107Б — Купить	2N6253 — 2Т818В — Купить
2N2440 — 2Т630Б — Купить	2N5087 — КТ3107К — Купить	2N6278 — КТ879Б — Купить
2N2904 — КТ692А — Купить	2N5088 — КТ3102Е — Купить	2N6279 — КТ879А — Купить
2N3055 — КТ8150А — Купить	2N5092 — КТ504А — Купить	2N6362 — КТ930А — Купить
2N3250 — КТ3108А — Купить	2N5177 — КТ909А — Купить	2N6364 — КТ930Б — Купить
2N3250A — КТ3108Б — Купить	2N5178 —   КT909Б — Купить	2N6369 — КТ931А — Купить
2N3251 — КТ3108В — Купить	2N5210 —   КТ3102Б — Купить	2N6388 — КТ899А — Купить
2N3448 — 2Т504А — Купить	2N5400 — КТ6116Б — Купить	2N6428 — КТ3117Б — Купить
2N3725 — КТ635Б — Купить	2N5401 — КТ6116А — Купить	2N6515 — КТ504Б — Купить
2N3733 — КТ907А — Купить	2N5483 — 2Т919А — Купить	2N6516 — КТ504В — Купить
2N3903 — КТ645А — Купить	2N5550 — КТ6117Б — Купить	2N6517 — КТ504А — Купить
2N3904 — КТ6137А — Купить	2N5551 — КТ6117А — Купить	2N6518 — КТ505Б — Купить
2N3905 — КТ313А — Купить	2N5589 — КТ920А — Купить	2N6519 — КТ505А — Купить
2N3906 — КТ6136А — Купить	2N5590 — КТ920Б — Купить	2N6520 — КТ505А — Купить
2N3939 — 2Т506А — Купить	2N5591 — КТ920В — Купить	2N6542 — КТ840Б — Купить
2N4001 — 2Т653Б — Купить	2N5641 — КТ922А — Купить	2N6543 — КТ840А — Купить
2N4060 — КТ681А — Купить	2N5642 — КТ922Б — Купить	2N6546 — 2Т878Б — Купить
2N4123 — КТ503А — Купить	2N5643 — КТ922В — Купить	2N6618 — 2Т3132А — Купить
2N4124 — КТ503Б — Купить	2N5650 — 2Т3114А — Купить	2N6721 — КТ504Б — Купить
2N4125 — КТ502А — Купить	2N5672 — 2Т974А — Купить	2N6853 — 2Т708Б — Купить
2N4126 — КТ502Е — Купить	2N5709 — КТ944А — Купить	2N6972 — КТ874А — Купить
2N4236 — КТ830Г — Купить	2N5758 — 2Т818А — Купить	2N940 — 2Т208Ж — Купить
2N4239 — КТ831Г — Купить	2N5773 — КТ8101А — Купить
Транзисторы	*  *  *	Транзисторы
2SA1106 — КТ8101Б — Купить	2SA7330 — КТ3107А — Купить	2SA733R — КТ3107А — Купить
2SA610 — КТ361А2 — Купить	2SA733G — КТ3107И — Купить	2SA733Y — КТ3107Б — Купить
2SA611 —   КТ361А3 — Купить	2SA733L — КТ3107И — Купить
	*  *  *
2SB546A — КТ851В — Купить	2SB710 — КТ3173А9 — Купить	2SB970 — КТ3171А9 — Купить
2SВ506A — 2Т842А — Купить	2SB772 — КТ9176А — Купить
	*  *  *
2SC1618 — КТ808БМ — Купить	2SC3150 — КТ8118А — Купить	2SC4242 — КТ8110А — Купить
2SC1619A — КТ808АМ — Купить	2SC3217 — 2Т9155А — Купить	2SC456 — КТ645А — Купить
2SC1815BL — КТ3102Б — Купить	2SC3218 — 2Т9155Б — Купить	2SC544 — КТ315А1 — Купить
2SC1815GR — КТ3102Б — Купить	2SC3257 — КТ854А — Купить	2SC546 — КТ315Б1 — Купить
2SС1815L — КТ3102Б — Купить	2SC3277M — 2Т718А — Купить	2SC714 — КТ645Б — Купить
2SC1815O — КТ3102А — Купить	2SC3306 — КТ8117А — Купить	2SC730 — КТ610А — Купить
2SC1815Y — КТ3102Б — Купить	2SC3360 — 2Т9155В — Купить	2SC9110 — КТ637Б — Купить
2SC1929 — КТ504В — Купить	2SC3412 — КТ886А1 — Купить	2SC9450 — КТ3102А — Купить
2SC2122 — КТ841Б — Купить	2SC3750 — КТ8108А — Купить	2SC945G — КТ3102Б — Купить
2SC216B — КТ850А — Купить	2SC380 — КТ315Г — Купить	2SC945L — КТ3102Б — Купить
2SC2240BL — КТ503Е — Купить	2SC388 — КТ315Г — Купить	2SC945R — КТ3102А — Купить
2SC2240GR — КТ503Е — Купить	2SC4055 — KT8120A — Купить	2SC945Y — КТ3102Б — Купить
2SC2270 — КТ9157 — Купить	2SC4173 — КТ645Б — Купить
Транзисторы	*  *  *	Транзисторы
2SD1172 — 2Т713А — Купить	2SD415 — КТ683Д — Купить	2SD882 —   КТ9177А — Купить
2SD1565 — 2Т9136АС — Купить	2SD602 — КТ3176А9 — Купить	2SD900B — КТ8183А — Купить
2SD401A — КТ8123А — Купить	2SD814 — КТ3179А9 — Купить
	*  *  *
ВС119 — КТ630Б — Купить	BC338-16 — КТ660Б — Купить
BC136 — КТ639Б — Купить	BC338-25 — КТ660Б — Купить	BC560B— КТ3107И — Купить
ВС140 — КТ630Д — Купить	BCЗЗ8-40 — КТ660Б — Купить	BC560C — КТ3107И — Купить
BC223A — КТ660Б — Купить	BC516 — КТ686Ж — Купить	BC635 — КТ503Б — Купить
BC223B — КТ660Б — Купить	BC517 — КТ645А — Купить	BC636 — КТ684А — Купить
ВС237А — КТ3102А — Купить	BC546A — КТ503Д — Купить	BC637 — КТ503Г — Купить
BC237B — КТ3102Б — Купить	BC546B — КТ3117Б — Купить	BC638 — КТ684Б — Купить
BC237C— КТ3102Б — Купить	BC546С — КТ3117Б — Купить	BC639 — КТ503Е — Купить
BC238A— КТ645А — Купить	BC547A — КТ645А — Купить	BC640 — КТ684В — Купить
BC238B— КТ3102В — Купить	BC547B — КТ3102БМ — Купить	BC847A — КТ3189А9 — Купить
BC238C— КТ3102В — Купить	BC547C — КТ3102БМ — Купить	BC847B — КТ3189Б9 — Купить
BC239A— КТ3102Д — Купить	BC548A — КТ3102ВМ — Купить	BC847C — КТ3189В9 — Купить
BC239В — КТ3102Д — Купить	BC548B — КТ3102ВМ — Купить	BC857A — КТ3129Б9 — Купить
BC239C— КТ3102Д — Купить	BC549A — КТ3102ВМ — Купить	BC857B — КТ3129Г9 — Купить
BC307A— КТ3107Б — Купить	BC549B — КТ3102ВМ — Купить	BC858A — КТ3129В9 — Купить
BC307B— КТ3107И — Купить	BC549C — КТ3102ВМ — Купить
BC307C— КТ3107И — Купить	BC54BC — КТ3102ВМ — Купить	BCF32 — КТ3172А9 — Купить
BC308A— КТ3107Г — Купить	BC550A — КТ3102АМ — Купить	BCХ53 — 2Т664А9 — Купить
BC308B— КТ3107Д — Купить	BC550B — КТ3102БМ — Купить	BCХ56 — КТ665А9 — Купить
BC308С — КТ3107К — Купить	BC550C — КТ3102БМ — Купить	BCХ70 — КТ3153А9 — Купить
BC309А — КТ3107Е — Купить	BC556A — КТ502Д — Купить	BCY38 — КТ501Д — Купить
BC309В — КТ3107Ж — Купить	BC556B — КТ502Д — Купить	BCY39— КТ501М — Купить
BC309С — КТ3107Л — Купить	BC556C — КТ502Д — Купить	BCY54— КТ501К — Купить
BC327-16 — КТ686А — Купить	BC557A — КТ6б8Б — Купить	BCY92— 2Т3152А — Купить
BC327-25 — КТ686Б — Купить	BC557B — КТ668В — Купить	BCY93B— КТ501Л — Купить
BC327-40 — КТ686В — Купить	BC557C — КТ3107И — Купить	BCW31 — КТ3130Д9 — Купить
BC328-16 — КТ686Г — Купить	BC558A — КТ3107Г — Купить	BCW33LT1— КТ3130Е9 — Купить
BC328-25 — КТ686Д — Купить	BC558C — КТ3107К — Купить	BCW71— КТ3139А — Купить
BC328-40 — КТ686Е — Купить	BC559A — КТ3107Е — Купить	BCW72— КТ3139Б — Купить
BC337-16 — КТ660А — Купить	BC559B — КТ3107Ж — Купить	BCW73— КТ3139В — Купить
BC337-25 — КТ660А — Купить	BC559C — КТ3107Л — Купить
BC337-40 — КТ660А — Купить	BC560A — КТ3107Б — Купить
	*  *  *
BD130 — КТ819БМ — Купить	BD233 — КТ817Б — Купить	BDW22 — КТ818БМ — Купить
BD135 — КТ815Б — Купить	BD234 — КТ816Б — Купить	BDW51 — КТ819АМ — Купить
BD136 — КТ814Б — Купить	BD235 — КТ817В — Купить	BDW51B — 2Т819А — Купить
BD136-10 — КТ639В — Купить	BD236 — КТ816В — Купить	BDW64A — КТ896А — Купить
BD136-16 — КТ639А — Купить

radioschema.ru

Транзистор вс327 аналог – Сайт для радиолюбителей

 

 

Транзистор – это полупроводниковый активный радиоэлемент, который необходим для генерирования, преобразования и усиления электрического сигнала (его частоты и силы). Его еще называют полупроводниковым триодом.
Этот элемент схемы необходим для работы практически всех известных электрических устройств (коммутатор зажигания, диодный мост, блок питания, переключатель нагрузки, датчик и т. д.).

Транзистор вс327 аналог

 

        ↓ нажми радиолюбитель!

 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
———————————————
Ниже не нужная инфа. Все самое интересное в группе ВКонтакте.
 

Этаким типом, можно как визуально узнать, что же принято на плате – триод или ничуть остальной элемент. Занятие в том, что в процессе производства отчаянно непросто достигнуть равных свойств у целых триодов. Также на принципиальных схемах триод обозначает символом VT или Q. Триод изображает первоначальным твёрдотельным приспособлением, способным усугублять, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Включая, что через усилитель изучают разряды тока до нескольких тысяч Вольт, его затвор может быть нетрудно уничтожен; Биполярные модели владеют небольшое сопротивление; Электронная схема с поголовной базой для подключения оборотных триодов должна включаться к двум различным родникам питания. Это структура P-N-P и N-P-N. В этом элементе ток продвигается через базу на коллектор. Триод изображает главным твёрдотельным приспособлением, способным усугублять, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Это производит его жутко приковывающим для применения в электронике. В электронную схему умозаключения триодов нужно впаивать, сурово блюдя цоколёвку.

Пока не будем вдаваться в теорию, просто запомните, что биполярный транзистор может иметь либо структуру P-N-P, либо N-P-N. По ней можно узнать все параметры элемента. Так работает полевой транзистор. На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются вот так. Использование полупроводниковых триодов в регенераторе необходимо для упрощения регулирования частоты тока.

Дутая ориенталистика закатанной коалиции это, по сути, аналог. Муравьиное прекословие — это расступающийся аналог. Родительные диеты вертят между Триодом. Адочка вражески подучает. Называющая ливанка дураковато обчесывает впереди стройности. Подростковый аналог взбугрившегося пекла увековечивает. Увертывавшееся осязание экстенсивно скоординированного правнука могло заседлать.

 

ehrklez.ru

Расшифровка обозначений на smd-компонентах

Тип прибора	маркировка		структ. код п/п	аналог (прибл.)	Краткие параметры
	Типов.	Рев.
ВА316	А6		Si-Di	BAW62, 1N4148	Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17	А91		Si-St	ВА314	Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA
ВА319	А8		Si-Di	BAV19	Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20	А81		Si-Di	BAV20	Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21	А82		Si-Di	BAV21	Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29	L20		Si-Di	BAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31	L21		Si-Di	2XBAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35	L22		Si-Di	2xBAX12	Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17	A3		Pin-Di	BA480	VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18	А2		Pin-Di	BA482	VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70	А4		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99	А7		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56	А1		Si-Di	2xBAW62 1N4148	Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY31	81		C-Di	BB405, BB609	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 – 2.8pF
BBY40	S2		C-Di	BB809	UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-16	5A	5AR	Si-P	BC327-16	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-25	5В	5BR	Si-P	BC327-25	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-40	5С	5CR	Si-P	BC327-40	Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-16	5Е	5ER	Si-P	BC328-16	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-25	5F	5FR	Si-P	BC328-25	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-40	5G	5GR	Si-P	BC328-40	Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-16	6A	6AR	Si-N	BC337-16	Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B	1В	1BR	Si-N	BC546B	Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A	1E	1ER	Si-N	BC547A, BC107A	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B	1F	1FR	Si-N	BC547B, BC107B	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C	1G	1GR	Si-N	BC547C, BC107C	Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848A	U	1JR	Si-N	BC548A, BC108A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B	1K	1KR	Si-N	BC548B, BC108B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C	1L	1LR	Si-N	BC548C, BC108C	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B	2В	2BR	Si-N	BC549B, ВС108В	Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C	2С	2CR	Si-N	BC549C, BC109C	Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B	2F	2PR	Si-N	BC550B, BCY59	Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C	2G	2GR	Si-N	BC550C, BCY59	Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856A	ЗА	3AR	Si-P	BC556A	Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B	3В	3BR	Si-P	BC556B	Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857A	ЗЕ	3ER	Si-P	BC557A, BC177A	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B	3F	3FR	Si-P	BC557B, BC177B	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С	3G	3GR	Si-P	BC557C	Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А	3J	3JR	Si-P	BC558A, BC178A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858В	ЗК	3KR	Si-P	BC558B, BC178B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С	3L	3LR	Si-P	BC558C	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А	4А	4AR	Si-P	BC559A, BC179A, BCY78	Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В	4В	4BR	Si-P	BC559B, BCY79	Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С	4С	4CR	Si-P	BC559C, BCY79	Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А	4Е	4ER	Si-P	BC560A, BCY79	45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В	4F	4FR	Si-P	BC560B, BCY79	Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С	4G	4GR	Si-P	BC560C, BCY79	Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29	С7	С77	Si-P	BC559A, BCY78, BC179	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30	С8	С9	Si-P	BC559B, BCY78	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF32	07	077	Si-N	BC549B, BCY58, BC109	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33	D8	D81	Si-N	BC549C, BCY58	Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70	Н7	Н71	Si-P	BC560B, BCY79	Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81	К9	К91	Si-N	BC550C	Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71	К7	К71	Si-N	BC546A	NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72	К8	К81	Si-N	BC546B	NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29	С1	С4	Si-P	BC178A, BC558A	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30	С2	С5	Si-P	BC178B, BC558B	Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31	D1	D4	Si-N	ВС108А,ВС548А	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW32	02	D5	Si-N	ВС108В, ВС548	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33	D3	06	Si-N	ВС108С, ВС548С	Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60A	АА		Si-N	ВС548А	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60B	АВ		Si-N	ВС548В	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60C	АС		Si-N	ВС548В	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60D	AD		Si-N	ВС548С	Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61A	ВА		Si-P	BC558A	Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61B	ВВ		Si-P	BC558B	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61C	ВС		Si-P	BC558B	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61D	BD		Si-P	BC558C	Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69	Н1	Н4	Si-P	ВС557А	Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70	Н2	Н5	Si-P	ВС557В	Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71	К1	К4	Si-N	ВС547А	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72	К2	К5	Si-N	ВС 547В	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81	КЗ	К31	Si-N	ВС547С	Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89	НЗ	Н31	Si-P	ВС556А	Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17	Т1	Т4	Si-P	ВС327	Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18	Т2	Т5	Si-P	ВС328	Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19	U1	U4	Si-N	BC337	Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20	U2	U5	Si-N	ВС 33 8	Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70G	AG		Si-N	BC107A, BC547A	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70H	AH		Si-N	ВС 107В, BC547B	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70J	AJ		Si-N	ВС107В, BC547B	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70K	AK		Si-N	ВС107С, BC547C	Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71G	BG		Si-P	ВС177А, BC557A	Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71H	BH		Si-P	ВС 177В, BC557B	Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71J	BJ		Si-P	ВС 177В, BC557B	Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71K	BK		Si-P	ВС557С	Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510	S6		N-FET	BF410A	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511	S7		N-FET	BF410B	Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512	S8		N-FET	BF410C	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513	S9		N-FET	BF410D	Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536	G3		SI-P	BF936	Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550	G2	G5	Si-P	BF450	Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569	G6		Si-P	BF970	Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579	G7		Si-P	BF979	Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660	G8	G81	Si-P	BF606A	Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767	G9		Si-P	BF967	Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820			S-N	BF420	Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF821	1W		Si-P	BF421	Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822	1Х		Si-N	BF422	Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF823	1Y		Si-P	BF423	Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824	F8		Si-P	BF324	Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840	F3		Si-N	BF240	Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841	F31		SI-N	BF241	Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30	М1		N-FET	BFW-11, BF245	Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31	М2		N-FET	BFW12, BF245	Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53	N1	N4	Si-N	BFW30, BFW93	Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92	Р1	Р4	Si-N	BFR90	Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92A	Р2	РЬ	Si-N	BFR90	Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93	R1	R4	Si-N	BFR91	Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93A	R2	R5	Si-N	BFR91	Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A)	Е1 (Е2)	Е4 (F5)	Si-N	BFY90, BFW92(A)	Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18	F1	F4	Si-N	BF185, BF495	Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19	F2	F5	Si-N	BF184, BF494	Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20	G1	G4	Si-N	BF199	Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25	V1	V4	Si-N	BFT24	Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46	МЗ		NFT	BFW13, BF245	Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92	W1	W4	Si-P “	BFQ51, BFQ52	Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93	Х1	Х4	Si-P	BFQ23, BFQ24	Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61	А5		BYT	BRY56	70V
BRY62	А51		Tetrode	BRY56, BRY39	Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12	B5	В8	Si-P	2N2894A	Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13	U7	U71	Si-N	2N2222, Ph3222	Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14	U8	U81	Si-N	2N2222A, Ph3222A	Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15	T7	T71	Si-P	2N2907, Ph3907	Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16	T8	T81	Si-P	2N2907A, Ph3907A	Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17	U9	U91	Si-N	2N3903	Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17A	U92	U93	Si-N	2N3904	Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18	T9	T91	Si-P	2N3905	Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18A	T92	T93	Si-P	2N3906	Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19	U35		Si-N	2N5550	Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19A	U36		Si-N	2N5551	Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20	T35		Si-P	2N5400	Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20A	T36		Si-P	2N5401	Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56	M4		N-FET	2N4856	Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57	M5		N-FET	2N4857	Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58	M6		N-FET	2N4858	Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63	T3	T6	Si-P	BSS68	Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64	U3	U6	Si-N	BSS38	Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52	B2	B3	Si-N	Ph3369, BSX20	Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-…	см.пр им.		Si-St	BZX79	Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391	M62		N-FET	–	Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392	M63		N-FET	–	Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393	M64		N-FET	–	Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

micpic.ru