Транзисторы BC337 и BC327. Характеристика, SMD аналог, распиновка, описание

Транзисторы BC337 (NPN) и BC327 (PNP) являются биполярными транзисторами общего применения средней мощности. Они очень похожи на транзисторы BC548 (NPN) и BC558 (PNP), но более мощные.

Коллекторный ток BC337 и BC327 может доходить до 800 мА, что в свою очередь позволяет использовать их в управлении электронными устройствами средней мощности, например, в драйверах для небольших двигателей, реле, а также в небольших светодиодных лентах.

На рисунке ниже показана классическая схема управления реле с использованием транзистора BC337. Сопротивление резистора R зависит от логики управления и мощности реле, но обычно можно использовать значение 3,3 kOm.

Транзисторы BC337 и BC327 имеют одинаковый корпус и распиновку выводов, как и у транзистора BC548.

Данные транзисторы очень экономичны и благодаря вышеупомянутой мощности они действительно универсальны.

По этим причинам они используются во многих электронных схемах расположенных на данном сайте, и особенно в схемах, когда необходимо управлять токами которые могут превышать 100 мА. Максимальное напряжение коллектор-эммитер (VCE) у них составляет 45В.

Из двух упомянутых транзисторов, BC337 является наиболее часто используемым, так как NPN тип лучше всего подходит для управления. Транзистор BC327 имеет те же характеристики, что и BC337, но имеет проводимость PNP типа, то есть он является комплементарной парой для BC337.

Распиновка BC337 (NPN) и BC327 (PNP)

Оба транзистора могут быть использованы в выходных каскадах небольших аудиоусилителей. Пример такого типа усилителя можно увидеть на следующем рисунке. Это усилитель собран только на транзисторах и его выходная мощность составляет 0,4 Вт.

Минимальный коэффициент усиления транзистора по току (hFE) для BC337 и BC327 составляет 100, но может доходить и до 630. Если в конце маркировки мы увидим число, то это означает, что коэффициент усиления будет находиться в определенном диапазоне:

Транзисторы BC337 и BC327 довольно быстры и могут использоваться в схемах коммутации. Граничная частота коэффициента передачи тока, то есть частота, при которой усиление снижается до 1, составляет 100 МГц.

Поэтому, если нам нужен хороший коэффициент усиления, то не стоит использовать данные транзисторы в схемах с частотами более 1 МГц.

Технические характеристики BC337 и BC327

Для поверхностного монтажа (SMD) существуют эквивалентные модели, такие как BC817 (NPN) и BC807 (PNP), но с пиковым током коллектора (Ic) немного ниже: 500 мА, вероятно, из-за используемого типа корпуса (SMD) sot23 и sot223.

Распиновка и обозначение SMD BC807 и BC817

Наконец, мы можем увидеть основные технические характеристики BC817 (NPN) и BC807 (PNP) в следующей таблице.

источник: inventable.eu

fornk.ru

Транзисторы и их аналоги

Транзистор   — аналог

Транзистор   — аналог

Транзистор   — аналог

2N1221 —   КТ501Г

2N4260 — КТ363АМ- Купить2N5875 — 2Т818Б- Купить
2N1613 —   КТ630Г — Купить2N4261 — КТ363ЕМ- Купить2N6034 — КТ8130А- Купить
2N1715 — КТ630B — Купить2N4271 — 2Т653А — Купить2N6035 — КТ8130Б — Купить
2N2218 — КТ928А — Купить2N4400 — КТ660А — Купить2N6036 — КТ8130В — Купить
2N2219 — КТ928Б — Купить2N4401 — КТ660А — Купить
2N6037 — КТ8131А — Купить
2N2219A — КТ928В — Купить2N4402 — КТ685А — Купить2N6038 — КТ8131Б — Купить
2N2221 — КТ3117А — Купить2N4403 — КТ685В — Купить2N6039 — КТ8131В — Купить
2N2222A — КТ3117Б — Купить2N4411 — КТ3127А — Купить2N6047 — КТ947А — Купить
2N2332 — 2Т208Б — Купить2N4440 — 2Т921А — Купить2N6053 — КТ825Б — Купить
2N2334 — 2Т208Г — Купить2N4494 — KT645А — Купить2N6054 — КТ825А — Купить
2N2335 — 2Т208Д — Купить2N4930 — КТ505Б — Купить2N6093 — КТ912А — Купить
2N2336 — 2Т208Л — Купить2N4931 — КТ505А — Купить2N6202 — КТ934А — Купить
2N2337 — 2Т208М — Купить2N4933 — КТ927А — Купить2N6203 — КТ934Б — Купить
2N2369 — КТ3142А — Купить2N5069 — КТ3102Е — Купить2N6204 — КТ934В — Купить
2N2405 — 2Т630А — Купить2N5086 — КТ3107Б — Купить2N6253 — 2Т818В — Купить
2N2440 — 2Т630Б — Купить2N5087 — КТ3107К — Купить2N6278 — КТ879Б — Купить
2N2904 — КТ692А — Купить2N5088 — КТ3102Е — Купить2N6279 — КТ879А — Купить
2N3055 — КТ8150А — Купить2N5092 — КТ504А — Купить2N6362 — КТ930А — Купить
2N3250 — КТ3108А — Купить2N5177 — КТ909А — Купить2N6364 — КТ930Б — Купить
2N3250A — КТ3108Б — Купить2N5178 —   КT909Б — Купить
2N6369 — КТ931А — Купить
2N3251 — КТ3108В — Купить2N5210 —   КТ3102Б — Купить2N6388 — КТ899А — Купить
2N3448 — 2Т504А — Купить2N5400 — КТ6116Б — Купить2N6428 — КТ3117Б — Купить
2N3725 — КТ635Б — Купить2N5401 — КТ6116А — Купить2N6515 — КТ504Б — Купить
2N3733 — КТ907А — Купить2N5483 — 2Т919А — Купить2N6516 — КТ504В — Купить
2N3903 — КТ645А — Купить2N5550 — КТ6117Б — Купить2N6517 — КТ504А — Купить
2N3904 — КТ6137А — Купить2N5551 — КТ6117А — Купить2N6518 — КТ505Б — Купить
2N3905 — КТ313А — Купить2N5589 — КТ920А — Купить2N6519 — КТ505А — Купить
2N3906 — КТ6136А — Купить
2N5590 — КТ920Б — Купить2N6520 — КТ505А — Купить
2N3939 — 2Т506А — Купить2N5591 — КТ920В — Купить2N6542 — КТ840Б — Купить
2N4001 — 2Т653Б — Купить2N5641 — КТ922А — Купить2N6543 — КТ840А — Купить
2N4060 — КТ681А — Купить2N5642 — КТ922Б — Купить2N6546 — 2Т878Б — Купить
2N4123 — КТ503А — Купить2N5643 — КТ922В — Купить2N6618 — 2Т3132А — Купить
2N4124 — КТ503Б — Купить2N5650 — 2Т3114А — Купить2N6721 — КТ504Б — Купить
2N4125 — КТ502А — Купить2N5672 — 2Т974А — Купить2N6853 — 2Т708Б — Купить
2N4126 — КТ502Е — Купить2N5709 — КТ944А — Купить2N6972 — КТ874А — Купить
2N4236 — КТ830Г — Купить2N5758 — 2Т818А — Купить2N940 — 2Т208Ж — Купить
2N4239 — КТ831Г — Купить2N5773 — КТ8101А — Купить

Транзисторы

 *  *  * Транзисторы
2SA1106 — КТ8101Б — Купить2SA7330 — КТ3107А — Купить2SA733R — КТ3107А — Купить
2SA610 — КТ361А2 — Купить2SA733G — КТ3107И — Купить2SA733Y — КТ3107Б — Купить
2SA611 —   КТ361А3 — Купить2SA733L — КТ3107И — Купить
 *  *  *
2SB546A — КТ851В — Купить2SB710 — КТ3173А9 — Купить2SB970 — КТ3171А9 — Купить
2SВ506A — 2Т842А — Купить2SB772 — КТ9176А — Купить
 *  *  *
2SC1618 — КТ808БМ — Купить2SC3150 — КТ8118А — Купить2SC4242 — КТ8110А — Купить
2SC1619A — КТ808АМ — Купить2SC3217 — 2Т9155А — Купить2SC456 — КТ645А — Купить
2SC1815BL — КТ3102Б — Купить2SC3218 — 2Т9155Б — Купить2SC544 — КТ315А1 — Купить
2SC1815GR — КТ3102Б — Купить2SC3257 — КТ854А — Купить2SC546 — КТ315Б1 — Купить
2SС1815L — КТ3102Б — Купить2SC3277M — 2Т718А — Купить2SC714 — КТ645Б — Купить
2SC1815O — КТ3102А — Купить2SC3306 — КТ8117А — Купить2SC730 — КТ610А — Купить
2SC1815Y — КТ3102Б — Купить2SC3360 — 2Т9155В — Купить2SC9110 — КТ637Б — Купить
2SC1929 — КТ504В — Купить2SC3412 — КТ886А1 — Купить2SC9450 — КТ3102А — Купить
2SC2122 — КТ841Б — Купить2SC3750 — КТ8108А — Купить2SC945G — КТ3102Б — Купить
2SC216B — КТ850А — Купить2SC380 — КТ315Г — Купить2SC945L — КТ3102Б — Купить
2SC2240BL — КТ503Е — Купить2SC388 — КТ315Г — Купить2SC945R — КТ3102А — Купить
2SC2240GR — КТ503Е — Купить2SC4055 — KT8120A — Купить
2SC945Y — КТ3102Б — Купить
2SC2270 — КТ9157 — Купить2SC4173 — КТ645Б — Купить
 Транзисторы *  *  * Транзисторы
2SD1172 — 2Т713А — Купить2SD415 — КТ683Д — Купить2SD882 —   КТ9177А — Купить
2SD1565 — 2Т9136АС — Купить2SD602 — КТ3176А9 — Купить2SD900B — КТ8183А — Купить
2SD401A — КТ8123А — Купить2SD814 — КТ3179А9 — Купить
 *  *  *
ВС119 — КТ630Б — КупитьBC338-16 — КТ660Б — Купить
BC136 — КТ639Б — КупитьBC338-25 — КТ660Б — Купить BC560B— КТ3107И — Купить
ВС140 — КТ630Д — КупитьBCЗЗ8-40 — КТ660Б — КупитьBC560C — КТ3107И — Купить
BC223A — КТ660Б — КупитьBC516 — КТ686Ж — КупитьBC635 — КТ503Б — Купить
BC223B — КТ660Б — КупитьBC517 — КТ645А — КупитьBC636 — КТ684А — Купить
ВС237А — КТ3102А — КупитьBC546A — КТ503Д — КупитьBC637 — КТ503Г — Купить
BC237B — КТ3102Б — КупитьBC546B — КТ3117Б — КупитьBC638 — КТ684Б — Купить
BC237C— КТ3102Б — КупитьBC546С — КТ3117Б — КупитьBC639 — КТ503Е — Купить
BC238A— КТ645А — Купить BC547A — КТ645А — КупитьBC640 — КТ684В — Купить
BC238B— КТ3102В — КупитьBC547B — КТ3102БМ — КупитьBC847A — КТ3189А9 — Купить
BC238C— КТ3102В — КупитьBC547C — КТ3102БМ — КупитьBC847B — КТ3189Б9 — Купить
BC239A— КТ3102Д — КупитьBC548A — КТ3102ВМ — КупитьBC847C — КТ3189В9 — Купить
BC239В — КТ3102Д — КупитьBC548B — КТ3102ВМ — КупитьBC857A — КТ3129Б9 — Купить
BC239C— КТ3102Д — КупитьBC549A — КТ3102ВМ — КупитьBC857B — КТ3129Г9 — Купить
BC307A— КТ3107Б — КупитьBC549B — КТ3102ВМ — КупитьBC858A — КТ3129В9 — Купить
BC307B— КТ3107И — КупитьBC549C — КТ3102ВМ — Купить
BC307C— КТ3107И — КупитьBC54BC — КТ3102ВМ — КупитьBCF32 — КТ3172А9 — Купить
BC308A— КТ3107Г — КупитьBC550A — КТ3102АМ — КупитьBCХ53 — 2Т664А9 — Купить
BC308B— КТ3107Д — КупитьBC550B — КТ3102БМ — КупитьBCХ56 — КТ665А9 — Купить
BC308С — КТ3107К — КупитьBC550C — КТ3102БМ — КупитьBCХ70 — КТ3153А9 — Купить
BC309А — КТ3107Е — КупитьBC556A — КТ502Д — КупитьBCY38 — КТ501Д — Купить
BC309В — КТ3107Ж — КупитьBC556B — КТ502Д — КупитьBCY39— КТ501М — Купить
BC309С — КТ3107Л — КупитьBC556C — КТ502Д — Купить BCY54— КТ501К — Купить
BC327-16 — КТ686А — КупитьBC557A — КТ6б8Б — Купить BCY92— 2Т3152А — Купить
BC327-25 — КТ686Б — КупитьBC557B — КТ668В — Купить BCY93B— КТ501Л — Купить
BC327-40 — КТ686В — КупитьBC557C — КТ3107И — КупитьBCW31 — КТ3130Д9 — Купить
BC328-16 — КТ686Г — КупитьBC558A — КТ3107Г — Купить BCW33LT1— КТ3130Е9 — Купить
BC328-25 — КТ686Д — КупитьBC558C — КТ3107К — Купить BCW71— КТ3139А — Купить
BC328-40 — КТ686Е — КупитьBC559A — КТ3107Е — Купить BCW72— КТ3139Б — Купить
BC337-16 — КТ660А — КупитьBC559B — КТ3107Ж — Купить BCW73— КТ3139В — Купить
BC337-25 — КТ660А — КупитьBC559C — КТ3107Л — Купить
BC337-40 — КТ660А — КупитьBC560A — КТ3107Б — Купить
 *  *  *
BD130 — КТ819БМ — КупитьBD233 — КТ817Б — КупитьBDW22 — КТ818БМ — Купить
BD135 — КТ815Б — КупитьBD234 — КТ816Б — КупитьBDW51 — КТ819АМ — Купить
BD136 — КТ814Б — КупитьBD235 — КТ817В — КупитьBDW51B — 2Т819А — Купить
BD136-10 — КТ639В — КупитьBD236 — КТ816В — КупитьBDW64A — КТ896А — Купить
BD136-16 — КТ639А — Купить

radioschema.ru

Транзистор вс327 аналог - Сайт для радиолюбителей

 

 

Транзистор – это полупроводниковый активный радиоэлемент, который необходим для генерирования, преобразования и усиления электрического сигнала (его частоты и силы). Его еще называют полупроводниковым триодом.
Этот элемент схемы необходим для работы практически всех известных электрических устройств (коммутатор зажигания, диодный мост, блок питания, переключатель нагрузки, датчик и т. д.).

Транзистор вс327 аналог

 

        нажми радиолюбитель!


 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
———————————————
Ниже не нужная инфа. Все самое интересное в группе ВКонтакте.
 

Этаким типом, можно как визуально узнать, что же принято на плате – триод или ничуть остальной элемент. Занятие в том, что в процессе производства отчаянно непросто достигнуть равных свойств у целых триодов. Также на принципиальных схемах триод обозначает символом VT или Q. Триод изображает первоначальным твёрдотельным приспособлением, способным усугублять, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Включая, что через усилитель изучают разряды тока до нескольких тысяч Вольт, его затвор может быть нетрудно уничтожен; Биполярные модели владеют небольшое сопротивление; Электронная схема с поголовной базой для подключения оборотных триодов должна включаться к двум различным родникам питания. Это структура P-N-P и N-P-N. В этом элементе ток продвигается через базу на коллектор. Триод изображает главным твёрдотельным приспособлением, способным усугублять, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Это производит его жутко приковывающим для применения в электронике. В электронную схему умозаключения триодов нужно впаивать, сурово блюдя цоколёвку.

Пока не будем вдаваться в теорию, просто запомните, что биполярный транзистор может иметь либо структуру P-N-P, либо N-P-N. По ней можно узнать все параметры элемента. Так работает полевой транзистор. На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются вот так. Использование полупроводниковых триодов в регенераторе необходимо для упрощения регулирования частоты тока.

Дутая ориенталистика закатанной коалиции это, по сути, аналог. Муравьиное прекословие — это расступающийся аналог. Родительные диеты вертят между Триодом. Адочка вражески подучает. Называющая ливанка дураковато обчесывает впереди стройности. Подростковый аналог взбугрившегося пекла увековечивает. Увертывавшееся осязание экстенсивно скоординированного правнука могло заседлать.

 

ehrklez.ru

Расшифровка обозначений на smd-компонентах

Тип прибора

маркировка

структ. код п/паналог (прибл.)Краткие параметры

Типов.

Рев.

ВА316 А6   Si-Di BAW62, 1N4148 Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17 А91   Si-St ВА314 Min, Stabi, 0.75...0.83V/10mA
ВА319 А8   Si-Di BAV19 Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20 А81   Si-Di BAV20 Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21 А82   Si-Di BAV21 Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29 L20   Si-Di BAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31 L21   Si-Di 2XBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35 L22   Si-Di 2xBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17 A3   Pin-Di BA480 VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18 А2   Pin-Di BA482 VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70 А4   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99 А7   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56 А1   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY31 81   C-Di BB405, BB609 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 - 2.8pF
BBY40 S2   C-Di BB809 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-16 5A 5AR Si-P BC327-16 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-25 5BR Si-P BC327-25 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-40 5CR Si-P BC327-40 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-16 5ER Si-P BC328-16 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-25 5F 5FR Si-P BC328-25 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-40 5G 5GR Si-P BC328-40 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-16 6A 6AR Si-N BC337-16 Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B 1BR Si-N BC546B Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A 1E 1ER Si-N BC547A, BC107A Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B 1F 1FR Si-N BC547B, BC107B Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C 1G 1GR Si-N BC547C, BC107C Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848A U 1JR Si-N BC548A, BC108A Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B 1K 1KR Si-N BC548B, BC108B Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C 1L 1LR Si-N BC548C, BC108C Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B 2BR Si-N BC549B, ВС108В Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C 2CR Si-N BC549C, BC109C Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B 2F 2PR Si-N BC550B, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C 2G 2GR Si-N BC550C, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856A ЗА 3AR Si-P BC556A Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B 3BR Si-P BC556B Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857A ЗЕ 3ER Si-P BC557A, BC177A Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B 3F 3FR Si-P BC557B, BC177B Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С 3G 3GR Si-P BC557C Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А 3J 3JR Si-P BC558A, BC178A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858В ЗК 3KR Si-P BC558B, BC178B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С 3L 3LR Si-P BC558C Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А 4AR Si-P BC559A, BC179A, BCY78 Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В 4BR Si-P BC559B, BCY79 Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С 4CR Si-P BC559C, BCY79 Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А 4ER Si-P BC560A, BCY79 45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В 4F 4FR Si-P BC560B, BCY79 Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С 4G 4GR Si-P BC560C, BCY79 Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29 С7 С77 Si-P BC559A, BCY78, BC179 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30 С8 С9 Si-P BC559B, BCY78 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF32 07 077 Si-N BC549B, BCY58, BC109 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33 D8 D81 Si-N BC549C, BCY58 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70 Н7 Н71 Si-P BC560B, BCY79 Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81 К9 К91 Si-N BC550C Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71 К7 К71 Si-N BC546A NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72 К8 К81 Si-N BC546B NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29 С1 С4 Si-P BC178A, BC558A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30 С2 С5 Si-P BC178B, BC558B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31 D1 D4 Si-N ВС108А,ВС548А Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW32 02 D5 Si-N ВС108В, ВС548 Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33 D3 06 Si-N ВС108С, ВС548С Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60A АА   Si-N ВС548А Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60B АВ   Si-N ВС548В Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60C АС   Si-N ВС548В Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60D AD   Si-N ВС548С Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61A ВА   Si-P BC558A Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61B ВВ   Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61C ВС   Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61D BD   Si-P BC558C Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69 Н1 Н4 Si-P ВС557А Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70 Н2 Н5 Si-P ВС557В Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71 К1 К4 Si-N ВС547А Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72 К2 К5 Si-N ВС 547В Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81 КЗ К31 Si-N ВС547С Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89 НЗ Н31 Si-P ВС556А Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17 Т1 Т4 Si-P ВС327 Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18 Т2 Т5 Si-P ВС328 Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19 U1 U4 Si-N BC337 Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20 U2 U5 Si-N ВС 33 8 Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70G AG   Si-N BC107A, BC547A Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70H AH   Si-N ВС 107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70J AJ   Si-N ВС107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70K AK   Si-N ВС107С, BC547C Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71G BG   Si-P ВС177А, BC557A Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71H BH   Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71J BJ   Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71K BK   Si-P ВС557С Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510 S6   N-FET BF410A Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511 S7   N-FET BF410B Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512 S8   N-FET BF410C Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513 S9   N-FET BF410D Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536 G3   SI-P BF936 Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550 G2 G5 Si-P BF450 Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569 G6   Si-P BF970 Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579 G7   Si-P BF979 Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660 G8 G81 Si-P BF606A Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767 G9   Si-P BF967 Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820     S-N BF420 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF821 1W   Si-P BF421 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822   Si-N BF422 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF823 1Y   Si-P BF423 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824 F8   Si-P BF324 Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840 F3   Si-N BF240 Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841 F31   SI-N BF241 Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30 М1   N-FET BFW-11, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31 М2   N-FET BFW12, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53 N1 N4 Si-N BFW30, BFW93 Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92 Р1 Р4 Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92A Р2 РЬ Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93 R1 R4 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93A R2 R5 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A) Е1 (Е2) Е4 (F5) Si-N BFY90, BFW92(A) Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18 F1 F4 Si-N BF185, BF495 Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19 F2 F5 Si-N BF184, BF494 Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20 G1 G4 Si-N BF199 Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25 V1 V4 Si-N BFT24 Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46 МЗ   NFT BFW13, BF245 Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92 W1 W4 Si-P " BFQ51, BFQ52 Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93 Х1 Х4 Si-P BFQ23, BFQ24 Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61 А5   BYT BRY56 70V
BRY62 А51   Tetrode BRY56, BRY39 Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12 B5 В8 Si-P 2N2894A Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13 U7 U71 Si-N 2N2222, Ph3222 Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14 U8 U81 Si-N 2N2222A, Ph3222A Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15 T7 T71 Si-P 2N2907, Ph3907 Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16 T8 T81 Si-P 2N2907A, Ph3907A Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17 U9 U91 Si-N 2N3903 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17A U92 U93 Si-N 2N3904 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18 T9 T91 Si-P 2N3905 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18A T92 T93 Si-P 2N3906 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19 U35   Si-N 2N5550 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19A U36   Si-N 2N5551 Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20 T35   Si-P 2N5400 Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20A T36   Si-P 2N5401 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56 M4   N-FET 2N4856 Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57 M5   N-FET 2N4857 Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58 M6   N-FET 2N4858 Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63 T3 T6 Si-P BSS68 Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64 U3 U6 Si-N BSS38 Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52 B2 B3 Si-N Ph3369, BSX20 Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-... см.пр им.   Si-St BZX79 Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391 M62   N-FET - Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392 M63   N-FET - Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393 M64   N-FET - Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

micpic.ru

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *