Как проверить транзистор? Воспользуйтесь мультиметром

Проверяем работоспособность транзистора мультиметром

При работах с печатными платами, разработке и создании микросхем, для того, чтобы оборудование в последующем было работоспособным необходимо очень внимательно относиться не только к сборке схемы, но и к подбору составляющих элементов. В этом случае одной из обязательных операций является их предварительное тестирование. При диагностике неисправности приборов приходится тестировать каждый элемент по отдельности, не нарушая схемы. Поэтому вопрос о том, как проверить транзистор мультиметром является для электронщиков, радиотехников весьма актуальным.

Транзисторы и их виды

Радиоэлемент с тремя контактами, триод, предназначен для управления током электроцепи при воздействии на него внешнего сигнала. Он используется при создании генераторов, усилителей, других подобных систем. Триоды лампового типа были очень громоздки, потребляли большое количество энергии, сильно нагревались.

Сделать их более компактными, пригодными для миниатюризации оборудования позволило создание полупроводников. Полупроводниковый триод – транзистор, выполняет те же функции, но не требует предварительного разогрева, тратит минимальное количество энергии на «собственные нужды», очень компактен.

Современный рынок радиотехники предлагает несколько видов транзисторов:

• биполярные, имеют три вывода и два р-п перехода, действие их основано на движении свободных электронов, имеющих отрицательный заряд, и «дырок» (кристаллических структур в которых не хватает одного электрона), заряженных положительно, они находят широкое применение в электронике, радиотехнике;
• полевые, управляются входящим напряжением цепи, используются в видео-, аудиоаппаратуре, при изготовлении мониторов, блоков питания и так далее;
• составные (транзисторы Дарлингтона), это схема в которой участвуют два (или больше) биполярных транзистора, благодаря чему увеличивается их коэффициент по току, эти элементы востребованы в оборудовании, работающем с большими токами: стабилизаторы, усилители мощности и так далее;
• цифровой транзистор – обязательный элемент микроконтроллерной техники, видео-, аудиоаппаратуры, представляет собой биполярный транзистор и цепочку (1-2) резисторов, резистора и стабилитрона, их использование способствует сокращению площади печатной платы, уменьшает затраты на монтаж оборудования.

В случае возникновения неисправности оборудования, первым делом мастер сервиса, мастерской по ремонту аппаратуры проверяет мультиметром не выпаивая из схемы именно транзисторы.

Необходимость проверки транзисторов

Современный радиорынок предлагает широкий выбор транзисторов, производимых отечественными и зарубежными компаниями. Многие потребители отмечают, что случаи того, что новые элементы оказываются негодными, не являются редкостью. При чем, это может быть как отдельный экземпляр, так и партия, состоящая из 50-100 штук. Чаще всего этому подвержены мощные транзисторы. Поэтому каждый мастер, радиолюбитель знает, что даже новый, еще ни разу не паяный экземпляр перед монтажом необходимо проверить на работоспособность.

Работая над сборкой нового прибора, потребитель встречается с указанием в инструкции, описании к создаваемой конструкции, определенных требований к используемым транзисторам. Для определения параметров элементов существуют специальные приборы (испытатели транзисторов), которые позволяют измерять практически все характеристики. Но все же наиболее часто приходится выполнять тестирование по принципу «исправен/неисправен», для чего достаточно обычного мультиметра.

Радиолюбители, люди увлеченные самостоятельной сборкой, разработкой, созданием различного радио-, электро-, электронного оборудования довольно часто используют уже бывшие в использовании элементы, которые были получены в ходе демонтажа отслуживших свой срок плат, вышедших из строя, потерявших свою актуальность приборов. В этом случае необходимо проверять все используемые элементы, не только транзисторы, но и другие радиодетали. Ведь гораздо проще отбраковать еще не установленные экземпляры, чем потом, после завершения сборки конструкции убедиться в ее неработоспособности и искать неисправное, «слабое» звено.

Прибор для проверки транзисторов

Для определения характеристик транзисторов, проверки их исправности имеются специальные приборы, но гораздо проще и экономически оправдано воспользоваться мультиметром, прибором, который имеется под рукой у любого радиотехника, электронщика.

Мультиметр – универсальный, многофункциональный измеритель. Самые простые модели измеряют напряжение, сопротивление и силу тока. Однако производители не останавливаются на этом минимальном перечне. Новые, более современные модели способны измерять емкость конденсаторов, частоту электрического тока, имеют встроенный низкочастотный генератор, термометр, измеритель влажности, звуковой пробник и так далее. Среди их функций предусмотрена и возможность прозвона диодов, транзисторов: оценка падения напряжения на р-п переходе, измерение некоторых других характеристик, тестирование работоспособности.

Мультиметры, представленные на современном рынке подразделяются на две обширные категории: аналоговые и цифровые. Основное их отличие состоит в способе отображения результатов проведенных замеров. Аналоговые модели имеют циферблат, с нанесенными на нам шкалами и стрелку, по отклонению которой пользователь может судить о полученных данных. На точность информации оказывают влияние не только характеристики прибора и необходимость правильно выбрать диапазон предполагаемых значений, но и тот момент, что стрелка не «замирает» на одном месте, а постоянно совершает, пусть и не значительные колебания около некоторого значения.

Цифровые модели лишены этих недостатков, поскольку полученные с их помощью данные отображаются на дисплее, экране в цифровом виде. Разумеется, такие приборы имеет более высокую стоимость, но они точнее, удобнее в использовании, поэтому уверенно «отвоевывают» все новые «вершины».

Процесс проверки

Мультиметр небольшой, довольно плоский прибор прямоугольной формы. На лицевой его панели расположены: циферблат (дисплей), переключатель, другие кнопки управления, гнезда и выходы для подсоединения щупов. Область вокруг переключателя разделена на сегменты, измерительные диапазоны. Перед началом проведения тестирования пользователь, вращая рукоятку, выбирает нужный ему сегмент. Один из диапазонов сопротивления используется для «прозвона» транзисторов. Определить его можно по маркирующему знаку, представляющему собой символьное обозначение диода и звучащего динамика.

Прежде чем начинать проверку полупроводника, следует убедиться в исправности самого измерителя. Она состоит из простых, несложных операций:

• убедитесь, что батарея прибора заряжена, об этом будет свидетельствовать индикатор заряда;
• включите тестер и выберите режим «прозвона» транзистора, на дисплее должна отобразиться единица в старшем разряде;
• подключите к прибору щупы и соедините их вместе, должен прозвучать звуковой сигнал, а на экране индикатора высветиться нули, это свидетельствует об исправности мультиметра, данная процедура отнюдь не является лишней, поскольку обрыв проводов у щупов довольно распространенная неисправность.

После того как вы убедились в работоспособности тестера, можно приступать к проведению тестирования «прозвона» полупроводников, при этом необходимо внимательно отнестись к соблюдению полярности щупов: в гнездо «COM» вставляется черный, а в гнездо«VΩmA» красный.

Выводы р-п переходов называются эмиттер и коллектор, средний контакт – база. Красный щуп подключают к аноду, а черный к катоду, это прямое направление, на экране должно отобразиться значение напряжения. Если щупы поменять местами (обратное направление), то ток проходить не будет, на дисплее появится единица, обозначающая бесконечно большое значение напряжения. Если полупроводник неисправен, то в обоих случаях тестер издаст звуковой сигнал, а на дисплее по-прежнему будет высвечиваться единица.

Проводя процедуру проверки транзистора рекомендуется  выполнить шесть замеров, по одному в прямом и обратном направлениях:

• база-эмиттер;
• база-коллектор;
• эмиттер-коллектор.

Об исправности полупроводника свидетельствует:

• низкое сопротивление при прямом подключении постоянного тока;
• бесконечно большое при обратном.

О неработоспособности транзистора свидетельствуют:

• ноль или бесконечно большое сопротивление в обоих случаях;
• нестабильность показаний;
• любая значащая цифра при обратном подключении.

Как проверить IGBT транзистор мультиметром | Энергофиксик

Здравствуйте уважаемые посетители моего канала! В этом материале мы продолжаем с вами знакомиться с правилами проверки различных элементов электроники. И сегодня нашим героем станет IGBT транзистор.

IGBT транзистор

IGBT транзистор

Немного теории

За основу работы биполярных транзисторов с изолированным затвором взято использование n – канального МОП – транзистора небольшой мощности для коммутирования мощного биполярного транзистора. В данном устройстве получилось соединить все самое лучшее от биполярного и полевого транзисторов.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) нашли самое широкое применение во многих современных электроприборах. Так, например, большинство современных сварочных аппаратов обязательно в своей конструкции имеют сборку из IGBT транзисторов.

Графически данный элемент изображается следующим образом.

Графическое обозначение транзистора на схемах где G – Затвор, C- коллектор, E – эмиттер.

Графическое обозначение транзистора на схемах где G – Затвор, C- коллектор, E – эмиттер.

Проверяем IGBT транзистор мультиметром

Ну а теперь давайте от слов перейдем к делу и проверим мультиметром транзистор STGW45HF60WD.

Транзистор и мультиметр MASTECH MY62

Транзистор и мультиметр MASTECH MY62

Для начала нам нужно выяснить, где у элемента эмиттер, коллектор и затвор. Для этого открываем любой поисковик и ищем Datasheet на наш элемент.

Datasheet испытуемого транзистора

Datasheet испытуемого транзистора

После того как мы узнали назначение каждого вывода, можно приступать к проверке работоспособности. Для этого берем мультиметр и ставим регулятор на прозвонку и производим замер между затвором и эмиттером.

Тем самым мы проверим наш транзистор на возможный «коротыш». Если мультиметр показывает «1», значит все в норме и можно продолжать измерения, а если прибор покажет «ноль», то изделие неисправно.

Теперь щупами производим замер между затвором и коллектором, так же проверяя на возможное короткое замыкание.

Далее с помощью перемычки или любого металлического предмета перемыкаем вывода транзистора на пару секунд. Тем самым мы гарантировано закроем его.

После этого вновь берем мультиметр и «минус» (черный щуп) соединяем с коллектором, а «плюс» (красный щуп) с эмиттером. При этом на дисплее мультиметра вы увидите падение напряжения на внутреннем диоде.

Теперь меняем щупы местами и мультиметр должен показать «1». Это означает, что в транзисторе нет утечки и внутреннего замыкания.

Кроме этого вы можете собрать простенькую схему, с помощью которой вы так же гарантировано проверите работоспособность транзистора даже без проверочного оборудования.

Схема проверки транзистора сторонним источником питания и лампой на 12 Вольт

Схема проверки транзистора сторонним источником питания и лампой на 12 Вольт

Так если кнопка будет зажата, то лампочка будет гореть, а в отжатом положении нет.

Вот таким нехитрым способом можно проверить работоспособность IGBT (БТИЗ) транзистора. Если вам понравился материал, и вы хотите видеть в своей ленте больше подобного, тогда ставим лайк и подписываемся. А в комментариях вы можете написать на какую тему вы хотите почитать статью.

мосфет или полевик, мультиметром не выпаивая, с изолированным затвором на неисправность

Использование полевых транзисторов очень распространено. Если происходит поломка необходимо найти неисправную деталь. Иногда требуется точно определить, работоспособен ли полевой транзистор. Это возможно выполнить с использованием мультиметра. Как проверить полевик — подробнее рассказывается далее.

Полевой транзистор — что это

Он включает три основных элемента — исток, затвор и сток. Для их создания используются полупроводники n-типа и p-типа. Они могут сочетаться одним из способов:

1. Сток, исток соответствуют n-типу, а затвор — p-типу. Их называют транзисторы n-p-n типа.
2. Такие, у которых используется полярность p-n-p. Тип проводимости у каждой части транзистора изменён на противоположный в сравнении с предыдущим вариантом.

Проверка мультиметром

Если эту деталь соединить с источником питания, то ток будет отсутствовать. Но всё будет иначе, если это сделать между истоком и затвором или стоком и затвором. Нужно, чтобы к затвору было приложено напряжение, соответствующее по знаку его типу проводимости (положительное для p-типа, отрицательное для n-типа). Тогда через эту деталь потечёт ток. Чем более высокое напряжение было подано на затвор, тем он будет сильнее.

Отличие полевого от биполярного транзистора

Транзистор станет открытым при условии, что на затвор подаётся разность потенциалов нужной полярности. В этом случае при помощи электрического поля создаётся канал между истоком и стоком, через который могут перемещаться электрические заряды. У других разновидностей транзисторов управление происходит на основе тока, а не напряжения.

Рассматриваемые электронные компоненты также называют мосфетами. Это слово происходит из аббревиатуры MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (в переводе это означает: металл-окисел-полупроводник полевой транзистор).

Разновидности полевиков

Как работает

Полевой транзистор отличается от других разновидностей особенностями своего устройства. Он может относиться к одному из двух типов:

• с управляющим переходом;
• с изолированным затвором.

Первые из них бывают n канальными и p канальными. Первые из них более распространены. Они используют следующий принцип действия.

В качестве основы используется полупроводник с n-проводимостью. К нему с противоположных сторон присоединены контакты истока и стока. В средней части с противоположных сторон имеются вкрапления проводника с p-проводимостью — они являются затвором. Та часть полупроводника, которая между ними — это канал.

Транзистор с управляющим переходом

Если к истоку и стоку n канального транзистора приложить разность потенциалов, то потечёт ток. Однако при подаче на затвор отрицательного напряжения по отношению к истоку, то ширина канала для перемещения электронов уменьшится. В результате сила тока станет меньше.

Таким образом, уменьшая или увеличивая ширину канала, можно регулировать силу тока между истоком и стоком или изолировать их друг от друга.

В p-канальных транзисторах принцип работы будет аналогичным.

Этот тип полевых транзисторов становится менее распространённым, а вместо него получают всё большее распространение те, в которых используется изолированный затвор. Они могут относиться к одному из двух типов: n-p-n или p-n-p. У них принцип действия является аналогичным. Здесь будет рассмотрен более подробно первый из них: n-p-n.

В этом случае в качестве основы для транзистора применяется полупроводник p-типа. В него встраиваются две параллельно расположенные полоски полупроводника с другим типом основных носителей заряда. Между ними по поверхности прокладывается изолятор, а сверху устанавливается слой проводника. Эта часть является затвором, а полоски — это исток и сток.

Устройство транзистора

Когда на затвор подаётся положительное напряжение по отношению к истоку, на пластину попадает положительный заряд, создающий электрическое поле. Оно притягивает к поверхности положительные заряды, создавая канал для протекания тока между истоком и стоком. Чем сильнее напряжение, поданное на затвор, тем более сильный ток проходит между истоком и стоком.

Для всех типов полевых транзисторов управление происходит при помощи подачи напряжения на затвор.

Транзистор открыт

Какие случаются неисправности

Полевые транзисторы могут быть перегружены током во время проведения проверки и, в результате перегрева прийти в неисправное состояние.

Важно! Они уязвимы к статическому напряжению. В процессе проведения работы нужно обеспечить, чтобы оно не попадало на проверяемую деталь.

При работе в составе схемы может произойти пробой, в результате которого полевой транзистор становится неисправным и подлежит замене. Его можно обнаружить по низкому сопротивлению p-n-переходов в обоих направлениях.

Определить то, насколько транзистор является работоспособным можно, если прозвонить его с помощью цифрового мультиметра.

Назначение выводов

Это нужно делать следующим образом (для примера используется широко распространённая модель М-831, рассматривается полевой транзистор с каналом n-типа):

1. Мультиметр нужно переключить в режим диодной проверки. Он отмечен на панели схематическим изображением диода.
2. К прибору присоединены два щупа: чёрный и красный. На лицевой панели имеются три гнезда. Чёрный устанавливают в нижнее, красный — в среднее. Первый из них соответствует отрицательному полюсу, второй — положительному.
3. Нужно на тестируемом полевом транзисторе определить, какие выходы соответствуют истоку, затвору и стоку.
4. В некоторых моделях дополнительно предусмотрен внутренний диод, защищающий деталь от перегрузки. Сначала нужно проверить то, как он работает. Для этого красный провод присоединяют к истоку, а чёрный — к стоку.

Проверка диода в прямом направлении

На индикаторе должно появиться значение, входящее в промежуток 0,5-0,7. Если провода поменять местами, то на экране будет указана единица, что означает, что ток в этом направлении не проходит.

Проверка диода в обратном направлении

5. Дальше осуществляется проверка работоспособности транзистора.

Если присоединить щупы к истоку и стоку, то ток не будет проходить по ним. Чтобы открыть затвор. Необходимо подать положительное напряжение на затвор. Нужно учитывать, что на красный щуп подан от мультиметра положительный потенциал. Теперь достаточно его соединить с затвором, а чёрный со стоком или истоком, для того, чтобы транзистор стал пропускать ток.

Открытие канала

Теперь, если красный провод подключить к истоку, а чёрный — к стоку, то мультиметр покажет определённую величину падения напряжения, например, 60. Если подключить наоборот, то показатель будет примерно таким же.

Если на затвор подать отрицательный потенциал, то это закроет транзистор в обоих направлениях, однако будет работать встроенный диод. Если полевик закрыт не будет, то это указывает на его неисправность.

Проверка мофсета с p-каналом выполняется аналогичным образом. Отличие состоит в том, что при проверке там, где раньше использовался красный щуп, теперь используется чёрный и наоборот.

Работа полевого МДП транзистора

Способы устранения

Для того, чтобы при проверке не повредить деталь, нужно применять при проверке такие мультиметры, у которых используется рабочее напряжения не более 1,5 в.

Если в результате проверки на мультиметре было обнаружено, что полевой транзистор вышел из строя, то его необходимо заменить на новый.

Инструкция по прозвонке без выпаивания

Чтобы проверить, исправен ли полевой транзистор, нужно его выпаять и прозвонить с мультиметром. Однако могут возникать ситуации, когда нужно в схеме есть несколько таких деталей и неизвестно, какие из них исправны, а какие — нет. В этом случае полезно знать, как проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая.

Цифровой мультиметр

В этом случае применяют проверку без выпаивания. Она даёт примерный результат.

Важно! После того, как будет определён предположительно неисправный элемент, его отсоединяют и проверяют, получив точную информацию о его работоспособности. Если он функционирует нормально, его устанавливают на прежнее место.

Проверка без выпаивания выполняется следующим образом:

1. Перед проведением прозвонки полевого транзистора цифровым мультиметром устройство отключают от электрической розетки или от аккумуляторов. Последние вынимают из устройства.
2. Если красный щуп соединить с истоком, а чёрный — со стоком, то можно рассчитывать, что мультиметр покажет 500 мв. Если на индикаторе можно увидеть эту или превышающую её цифру, то это говорит о том, что транзистор полностью фунукционален. В том случае, если эта величина гораздо меньше — 50 или даже 5 мв, то в этом случае можно с высокой вероятностью предположить неисправность.

С управляющим p-n-переходом

3. Если красный мультиметровый щуп переставить на затвор, а чёрный оставить на прежнем месте, то на индикаторе можно будет увидеть 1000 мв или больше, что говорит об исправности полевого транзистора. Когда разница составляет 50 мв, то это внушает опасение, что деталь испорчена.
4. Если чёрный щуп тестера поставить на исток, а красный поместить на затвор, то для работоспособного транзистора можно ожидать на дисплее 100 мв или больше. В тех случаях, когда цифра будет меньше 50 мв, имеется высокая вероятность того, что проверяемая деталь неработоспособна.

Нужно учитывать, что выводы, получаемые без выпайки, носят вероятностный характер. Эти данные позволяют получить предварительные выводы об используемых в схеме полевых транзисторах.

Для проверки их нужно выпаять, произвести проверку и установить, если работоспособность подтверждена.

Подготовка к работе

Правила безопасной работы

Мосфеты очень уязвимы по отношению к статическому электричеству. В этом случае может произойти пробой. Для того, чтобы этого не случилось, нужно при помощи проведения тестирования его удалять.

При пайке возможна ситуация, когда тепло, попадающее на транзистор, приведёт к его порче. В этом случае нужно обеспечить теплоотвод. Для этого достаточно придерживать выводы транзистора плоскогубцами в процессе пайки.

Полевики имеют широкое распространение в современных электронных приборах. Когда происходит поломка, необходимо знать, как проверить мосфет. Выяснить, исправен ли он, возможно, если использовать для этого мультиметр.

Вопрос: Как проверить транзистор? – Дом и сад

В этом видео я покажу Как Проверить Транзистор Мультиметром и вы научитесь сами проверять mosfet транзисторы..
IRFZ44N http://ali.pub/3l198m.
МОЙ САЙТ https://spajalnikom.ru.
Instagram https://clck.ru/GuaKt.
Кэшбэк EPN http://ali.pub/32zfyh.
Расширение для браузера: http://ali.pub/2x31sw.
Мобильное расширение: http://ali.pub/2xca4v.
Webmoney:.
Z802785253946.
R219769680871.
В этом видео я покажу как проверить транзистор мультиметром и транзистор тестером.Как проверить mosfet транзистор мультиметром без транзистор тестера и дополнительных блоков питания..
хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h31э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультиметра..
Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода (полупроводника). Поэтому можно утверждать, что транзистор — это два диода включенных встречно, а точка их соединения будет являться «базой»..
Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера. Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен. Все очень просто..
Начнем с транзисторов структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n..
Так вот, чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение (минус). Мультиметр переводим в режим измерения сопротивлений на предел «2000», можно в режиме «прозвонка» — не критично..
Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом..
Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов..
Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах..
В данном случае на индикаторе высветилась «1», означающая, что для предела измерения «2000» величина сопротивления велика, и составляет более 2000 Ом. А это говорит о том, что коллекторный и эмиттерный переходы целы, а значит, наш транзистор исправен..
Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы. .
В первую очередь, нужно определить вывод базы..
Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр..
Дорогие друзья, не забывайте делиться видео в своих соц. сетях, если вам понравилось видео – это поможет развитию моего канала, ваш Сергей Ткаченко..
Всем привет, меня зовут Сергей Ткаченко и я автор канала #Спаяльником. Вся моя жизнь связана с электроникой это мое хобби. В своем блоге я делюсь знаниями о электронике и ее ремонте, делаю интересные проекты, а также делюсь с Вами своими знаниями. Подписывайтесь не пожалеете! И не забудьте про колокольчик.
По рекламе и сотрудничеству: [email protected]
┈┈┈┈┈┈┈┈Мои Инструменты ┈┈┈┈┈┈┈┈.
Мультиметр UNI-T UT890C + http://ali.pub/2wv7xt.
MASTECH SMD тестер http://ali.pub/2wv8b1.
Щупы для мультиметра http://ali.pub/2wv8fi.
Паяльник ts100 http://ali.pub/2st24r.
Паяльная станция как у меня http://ali. pub/2st291.
Паяльный фен http://ali.pub/2st2bd.
Мой лабораторный блок питания https://goo.gl/HafVXw.
Мой осциллограф http://ali.pub/2vw02p.
esr meter http://ali.pub/2st1to.
Припой Kaina http://ali.pub/2st1vm.
Третья рука http://ali.pub/2st1z4.
Флюс Kingbo RMA-218 http://ali.pub/2wv8qz.
Флюс mechanic http://ali.pub/2wv8yk.
┈┈┈┈┈┈┈ ЭКОНОМЬ ПРИ ПОКУПКЕ ┈┈┈┈┈┈.
⇒ АКТИВАЦИЯ СКИДКИ на все товары Алиэкспресс:.
⇒ http://ali.pub/32zfyh.
⇒ Заработай на Алиэкспресс: http://ali.pub/32zfyh.
⇒ Расширение для браузера: http://ali.pub/2x31sw.
⇒ Мобильное расширение: http://ali.pub/2xca4v.
┈┈┈┈┈┈┈┈ Помощь каналу ┈┈┈┈┈┈┈┈.
Донаты: https://goo.gl/Uug3W3 или https://goo.gl/ou7gKD.
┈┈┈┈┈┈┈┈ СОЦСЕТИ ┈┈┈┈┈┈┈┈.
Группа канала ВК: https://vk.com/s_pajalnikom.
Группа канала ОК: https://www.ok.ru/group/54271903465693.
Мой канал Телеграмм https://t.me/Aliexpress_rulit2.
Мой канал Instagram https://clck.ru/GuaKt.
#транзистор #какпроверить #мультиметр #транзистортестер #mosfet #как #спаяльником

Как проверить резистор, конденсатор, диод и транзистор на исправность?

Эксплуатация полупроводниковых устройств

Проверка состояния и качества изготовления полупроводниковых систем автоматического управления и контроля выполняется электрогруппой судна или при ее участии. Наиболее полные проверки производятся при приемке судна после постройки или заводского ремонта. 

В процессе приемо-сдаточных испытаний проверяют конструктивное выполнение, состояние монтажа и функционирование систем. Проверка конструктивного выполнения и монтажа должна охватывать все части автоматической системы: блоки системы управления, которые монтируются в щите или панели, датчики и кабельные соединения. Проверка производится при полностью обесточенной системе.

Отдельные блоки полупроводниковых устройств собраны на платах с печатным монтажом. Сначала производят внешний осмотр щита (пульта, панели). Все поверхности, как внешние, так и внутренние, должны быть ровными, чистыми и хорошо окрашенными. Места ввода кабелей должны иметь сальниковые уплотнения; в отверстия на корпусе должны быть установлены заглушки. Не допускается, чтобы над щитом проходили трубопроводы с фланцами. 

Расположение щита должно быть удобным для обслуживания. Необходимо, чтобы дверца легко и полностью открывалась и закрывалась и имела уплотнительные прокладки, а на щите была табличка с его наименованием.

При осмотре внутренней части щита необходимо проверить, как разведены кабели, как выполнены выводные соединения, имеется ли маркировка проводов на выводных соединениях и маркировка гнезд для печатных плат. 

Если на дверце установлены какие-либо устройства (сигнальные лампы, нажимные кнопки, переключатели и др.), то надо проверить крепление этих устройств и подводку проводов к ним. Гибкие многожильные провода должны быть собраны в жгут, связанный суровой нитью, пластмассовой лентой или заключенный в гибкую трубку. Жгут должен быть такой длины, чтобы не было натяжения при крайних положениях дверцы.

Для осмотра печатных плат каждую поочередно нужно вынуть из гнезда, осмотреть обе ее стороны и установить на место. Правильно установленная плата должна прочно удерживаться в своем гнезде и не качаться при умеренном нажатии пальцем на внешнюю торцевую кромку. При извлечении платы вначале требуется значительное усилие, а после выхода штырей из штепсельного разъема плата должна легко и свободно скользить в направляющих. Если на плате нет оправки, специально предназначенной для того, чтобы держать плату в руке, рекомендуется брать плату за боковые кромки или за раму электрического соединителя.

При осмотре платы с монтажной стороны следует обратить внимание на внешний вид элементов, не допускаются потемнения, царапины и т. п. Если элементы удерживаются на плате только своими внешними выводами, то они должны быть такой длины, чтобы расстояние между элементом и платой было в пределах от 3 до 8 мм. Изгибы внешних выводов непосредственно у корпуса элемента недопустимы. Со стороны пайки проверяют качество соединений: соединения должны иметь вид небольшого конуса, без раковин и лишнего припоя, провода хорошо облужены. Токопроводящие полосы печатной платы не должны иметь отслоений. 

Поверхность платы должна быть покрыта лаком. Необходимо убедиться, что подстроечные потенциометры и переменные емкости не находятся в крайних положениях и дают возможность для регулировки. Ползунки потенциометров и переменных емкостей должны быть надежно законтрены от случайных перемещений. Проверяется качество подсоединения проводов к электрическим соединителям плат и крепление гнезд неподвижной части разъемов в каркасе щита. Соединительные провода должны быть собраны в жгуты.

При проверке монтажа датчиков следует убедиться, что места их установки выбраны правильно, т. е. исключается влияние внешней среды (температуры, вибрации, давления и т. д.). 

Следует проверить плотность в месте ввода соединительного кабеля в корпус датчика, надежное закрепление органов регулировки датчика, наличие четкой разметки положения этих органов. Необходимо следить, обеспечена ли возможность снятия датчика для замены. Каждый датчик должен иметь табличку с наименованием или условным обозначением контролируемого им параметра.

При проверке кабельных соединений между отдельными частями автоматических систем следует обратить внимание на расположение кабелей, соединяющих датчики и устройства автоматики.

Эти кабели не должны располагаться в одной трассе с силовыми кабелями, так как переменное магнитное поле силовых кабелей может наводить ложные сигналы в жилах, идущих от датчиков.

В случае неполадок в работе полупроводниковой автоматической системы необходимо прежде всего выяснить, в каком узле или блоке произошел отказ. Неисправность можно устранить в сравнительно короткое время, заменив отказавший блок исправным, взятым из судового комплекта запасных частей. Необходимо убедиться в том, что неисправность полупроводниковой автоматической системы вызвана отказом в ее логической части, а не в каком-либо периферийном устройстве — датчике или исполнительном органе. Для определения неисправности в логической части схемы необходимо с помощью технической документации выяснить, какие контуры участвуют в формировании той функции системы, которая не выполняется или выполняется неправильно. Следует проверить состояние электрических соединителей плат, так как окисление или ослабление контактов приводит к резкому возрастанию переходного сопротивления и к нарушению соединения. Контактные поверхности протирают спиртом.

Что чаще всего выходит из строя на плате?

Самые простые и наиболее распространённые поломки плат, являются вышедшие из строя конденсаторы или сгоревшие предохранители, но также встречаются и более серьёзные поломки и для этого уже нужен не только внешний осмотр, но использование специальных приборов.

При осмотре платы, на которой расположены отказавшие контуры, следует обратить внимание на обуглившиеся резисторы, вспученные конденсаторы, оплавленные концы, потемневшие участки на печатной плате, отслоение полос и т. д. Все эти признаки помогают уточнить место неисправности. 

Иногда неисправность определить внешним осмотром не удается. Простейшие измерения могут быть выполнены тестером. Для выявления отказавших элементов схемы следует разбить контур на участки так, чтобы выход одного участка являлся входом другого. На каждом выделенном участке контура измеряют выходную и входную величину (обычно напряжение), чтобы убедиться, что между этими величинами существует правильная функциональная связь, вытекающая из построения контура. Если эта связь нарушена, то участок следует считать неисправным. Дальнейшая задача заключается в поиске вышедших из строя элементов, входящих в состав данного участка контура.

Как проверить резистор на исправность?

Резисторы проверяют путем измерения сопротивления при снятом питании. Один конец резистора следует выпаять, чтобы в цепь не включались параллельные участки. Дефектные резисторы должны быть заменены новыми. Новый резистор должен иметь то же сопротивление и ту же мощность, что и вышедший из строя.

Как проверить конденсатор?

Характерные неисправности конденсаторов: пробой изоляции, внутренний обрыв, утечка заряда. В электролитических конденсаторах может произойти заметное вспучивание корпуса и даже его разрыв. Иногда можно наблюдать потеки электролита. 

Если внешних признаков неисправности конденсатора нет, его следует для проверки снять с печатной платы. 

Грубую проверку исправности конденсатора можно сделать омметром. Исправный конденсатор показывает сопротивление бесконечно большое, пробитый — порядка нескольких ом.

Как проверить диод на исправность?

Наиболее распространенные неисправности диодов: пробой, обрыв, утечка и нарушение герметичности корпуса. Эти дефекты не выявляются по внешнему виду и требуют проведения электрических измерений.  

Диоды можно проверить, измерив сопротивление в прямом и обратном направлениях. Сопротивление в прямом направлении значительно меньше, чем в обратном. Диоды можно проверять без выпаивания на плате при снятом напряжении. 

При пробое прямое и обратное сопротивления малы, при обрыве внутреннее сопротивление в обоих направлениях равно бесконечности. 

Причиной пробоя или обрыва диодов может быть короткое замыкание или увеличение температуры в месте установки диода. Пробой может быть вызван всплеском напряжения в момент включения или выключения схемы. Пробой диода является следствием других неисправностей, которые нужно найти.

При наличии утечки сопротивление диода в прямом направлении нормальное, как у исправного прибора. В обратном направлении в течение первых нескольких секунд сопротивление велико, а затем медленно уменьшается. Если есть утечка, диод должен быть заменен. При пайке диода на плате необходим теплоотвод.

Как проверить транзистор?

Транзисторы используются в усилительных и ключевых схемах. В первом случае дефектный транзистор должен быть заменен не только идентичным по параметрам, но и имеющим такие же вольт-амперные характеристики, поэтому замена транзистора в этих схемах связана с известными трудностями.

В ключевых схемах транзистор работает в режиме «открыт — закрыт», поэтому при замене достаточно подобрать транзистор того же типа. 

Припайка выводов должна производиться в такой последовательности: первым припаивается вывод базы, затем — эмиттера и последним – коллектора. При выпаивании транзистора соблюдают обратную последовательность: коллектор — эмиттер — база.

Транзистор можно проверять вольтметром непосредственно на печатной плате при включенном питании. Недопустимо проверять транзистор с помощью омметра, так как для многих транзисторов максимально допустимое напряжение между базой и эмиттером очень мало. 

Напряжение батареи прибора может оказаться выше этого значения, и произойдет пробой перехода. При проверке исправности транзистора вольтметром на базу сначала подается минимальное напряжение, предусмотренное схемой и производятся измерения 1 и 2 (рис. 1). 

Затем напряжение доводится до наибольшего значения, предусмотренного схемой, и снова производятся эти же измерения. В первом случае измерение 2 дает показание, близкое к напряжению питания (транзистор закрыт), во втором такое же измерение дает результат, близкий к нулю (транзистор открыт). 

Рис. 1. Схема проверки транзистора

Если транзистор пробит, то в обоих случаях результаты измерения 2 равны нулю. При внутреннем обрыве в обоих случаях измерение 2 дает напряжение питания. При утечке измерение 2 на закрытом транзисторе показывает постепенное уменьшение напряжения от напряжения питания до 70—80% его значения. Все эти неисправности свидетельствуют о выходе транзистора из строя и необходимости его замены, причем следует искать причины выхода транзистора из строя. 

Причинами пробоев и внутренних обрывов могут быть перегрузки транзисторов по току или высокая температура в месте установки транзистора. Перегрузка может произойти из-за короткого замыкания в цепи коллектора (зашунтировано сопротивление R3) или перенапряжения на базе.

Таблица выбора

для согласованных транзисторов | Параметрический поиск

Некоторые файлы cookie необходимы для безопасного входа в систему, а другие являются необязательными для функциональных действий. Сбор данных используется для улучшения наших продуктов и услуг. Мы рекомендуем вам принять наши файлы cookie, чтобы убедиться, что вы получаете наилучшую производительность и функциональность, которые может предоставить наш сайт. Для получения дополнительной информации вы можете просмотреть сведения о файлах cookie. Узнайте больше о нашей политике конфиденциальности.

Принять и продолжить Принять и продолжить

Используемые нами файлы cookie можно разделить на следующие категории:

Строго необходимые файлы cookie:

Это файлы cookie, которые необходимы для работы аналога.com или конкретные предлагаемые функции. Они либо служат единственной цели осуществления сетевой передачи, либо строго необходимы для предоставления онлайн-услуги, явно запрошенной вами.

Аналитические/производительные файлы cookie:

Эти файлы cookie позволяют нам проводить веб-аналитику или другие формы измерения аудитории, такие как распознавание и подсчет количества посетителей и просмотр того, как посетители перемещаются по нашему веб-сайту. Это помогает нам улучшить работу веб-сайта, например, гарантируя, что пользователи легко находят то, что ищут.

Функциональные файлы cookie:

Эти файлы cookie используются для распознавания вас, когда вы возвращаетесь на наш веб-сайт. Это позволяет нам персонализировать наш контент для вас, приветствовать вас по имени и запоминать ваши предпочтения (например, ваш выбор языка или региона). Потеря информации в этих файлах cookie может сделать наши услуги менее функциональными, но не помешает работе веб-сайта.

Целевые/профилирующие файлы cookie:

Эти файлы cookie записывают ваше посещение нашего веб-сайта и/или использование вами услуг, страницы, которые вы посетили, и ссылки, по которым вы перешли. Мы будем использовать эту информацию, чтобы сделать веб-сайт и отображаемую на нем рекламу более соответствующими вашим интересам. Мы также можем передавать эту информацию третьим лицам для этой цели.

Отклонить куки-файлы

Тесты, функциональные файлы, файлы ограничителей и многое другое

Транзистор — это научно-фантастическая ролевая видеоигра от Supergiant Games, студии, создавшей популярный хит Bastion. В настоящее время игра доступна для PlayStation 4 и ПК. Чтобы облегчить ваше путешествие по игре, мы составили руководство по разблокировке каждого трофея/достижения.С помощью этого руководства вы также узнаете о тестах, функциональных файлах и файлах-ограничителях.

Чтобы узнать больше об игре, ознакомьтесь с нашим обзором здесь или на главной странице здесь.

Руководство по трофеям:

Ниже вы найдете полное руководство по разблокировке всех трофеев в игре.

Plat() — Заработайте все остальные трофеи.

Разблокируйте все остальные трофеи в игре, чтобы разблокировать этот платиновый трофей.

Drive() — добраться до района Goldwalk.

Песочница () — очистить по одному из каждого теста.

Вы столкнетесь с «бэкдорами», которые приведут вас к запуску тестов. Пройдите все испытания, чтобы разблокировать этот трофей. Обратите внимание, что этот трофей доступен только во время второго прохождения.

Скорость() — завершите каждый тест скорости.

Вам необходимо пройти все 7 тестов скорости. Видеоруководство приведено ниже:

Стабильность () — выполните все тесты на стабильность.

Планирование() — Завершить каждый тест планирования.

Производительность () — выполнить каждый тест производительности.

Вам предстоит пройти 7 различных испытаний, число врагов которых увеличивается на каждом уровне. Вы можете использовать функции Crash() или Bounce(), чтобы пройти через них. Для этого потребуется второе прохождение.

Агентство () — Пройдите все тесты на агентство.

Anything()  — Нанесите не менее 1024 единиц урона за один Ход() в практическом тесте.

Все()  — Нанесите не менее 2048 единиц урона за один ход() в практическом тесте.

Оба трофея выше могут быть разблокированы с помощью приведенного ниже руководства.

Contest() — очистить все тесты.

Вам нужно пройти все тесты, чтобы разблокировать этот трофей. Это не появится до «Новой игры +».

Пока() — Завершить историю.

Goodbye()  — Повторный просмотр истории.

По сути это режим “Новая игра+”.Вы сохраните свои функции и опыт, врагов будет сложнее победить, а у боссов больше здоровья.

Bet() — завершите пять столкновений с одним или несколькими ограничителями.

Dare() — завершите пять встреч с пятью или более ограничителями.

Risk() — завершите пять столкновений, используя все 10 ограничителей.

Используйте видеогид ниже, чтобы разблокировать два трофея выше.

Search()  — проверка пяти заполненных функциональных файлов.

Find() — проверка 10 завершенных файлов функций.

Reveal() — проверка всех завершенных файлов функций.

Три указанных выше трофея можно разблокировать, заполнив функциональные файлы. Вам нужно использовать ограничитель в бою в каждом из активных, апгрейдных и пассивных слотов. Вам нужно выполнить это для всех 16 функций.

Process() — проверка всех завершенных файлов лимитера.

Чтобы выполнить Ограничитель, игроку необходимо использовать его один раз в бою, экипировав его в Точке Доступа. Игроку нужно сделать это для всех 10 лимитеров.

News() — используйте 10 различных терминалов OVC.

Не игнорируйте терминалы, вы легко получите их во время прохождения.

Function() — разблокировать каждую функцию транзистора.

Всего имеется 20 функций, и ваша последняя функция будет разблокирована, как только вы достигнете 13-го уровня пользователя.

Вы разблокируете 10 ограничителей процессов. Вы разблокируете последний на 15-м уровне пользователя.

User()  — Разблокируйте каждый слот улучшения и пассивный слот.

Вы разблокируете последний слот на уровне пользователя 20, поэтому вам нужно будет начать «Новую игру +».

Stack() — создание комбинации функций, требующей 12 MEM.

Объедините Void(), Cull(), Tap() и Help() в одну функцию.

Память () — Разблокировать 32 ПАМЯТИ.

Пользователю необходимо получить последнее обновление памяти, чтобы повысить его до 32-го уровня, как только вы достигнете 16-го уровня пользователя.

One()  — Достигните 24-го уровня пользователя.

Вышеупомянутые три трофея можно разблокировать, достигнув 24-го уровня. Поэтому вам может потребоваться начать новое прохождение в Новой игре ++. Используйте ограничители, чтобы получить XP.

Скрытые/секретные трофеи:

Reisz() — Сразитесь с Сибил на Пустом наборе.

Spine()  — Сразитесь с Spine на фасаде Bracket Towers.

Kendrell() — Сразитесь с Грантом и Ашером в Bracket Towers.

Bracket()  — Сразитесь с Ройсом за пределами Cloudbank.

Вышеуказанные три трофея связаны с сюжетом и их нельзя пропустить.

Self() — обновить функцию с помощью своей копии.

Игроку необходимо разблокировать возможность выбора второй копии Функции на уровне 14.Игроку нужно просто поменять функцию на точке доступа и поставить копию в слот.

Примечание. Это руководство будет обновлено, как только мы получим больше информации об игре. Вы также можете посмотреть полное видео-обзор Transistor здесь.

---

(PDF) Анализ производительности полевого транзистора Gate-All-Around для КМОП-наноразмерных устройств

International Journal of Computer Applications (0975 – 8887)

Том 84 – № 10, декабрь 2013 г.

48

рассеивание статической мощности 15.58 пВт и улучшенная средняя потребляемая мощность

2,08 мкВт, так как масштабирование выполняется на длине канала

от 180 нм до 45 нм. GAA имеет более низкую задержку 0,39 нс в

длине канала 45 нм по сравнению с большей длиной канала

из 180 нм. Высокая оценка запаса шума 0,33 В, острые переходные характеристики

, низкий индуцированный стоком нижний барьер

DIBL 64 мВ/В и лучший наклон подпорога 95 мВ/дек

обеспечивают превосходную производительность по сравнению с увеличенной длиной канала

.

6. БЛАГОДАРНОСТЬ

Авторы были бы благодарны ITM Universe

Гвалиор за предоставление лаборатории программного обеспечения cadence и ценную поддержку

ее сотрудников.

7. ССЫЛКИ

[1] Sarunya Bangsaruntip, Guy M. Cohen, Amlan

Majumdar, and Jeffrey W.Sleight, Universal of

Short-Channel Effects in Undoped-Body Silicon

Nanowire Электронные устройства Lett., vol.

31, нет. 9, pp. 903-905 September 2010

[2] B. Yu, Y. Yuan, J. Song, and Y. Taur, «Двухмерное

аналитическое решение для короткоканальных

эффектов в МОП-транзисторах с нанопроводом», IEEE Trans.Electron

Devices, vol. 56, нет. 10, стр. 2357–2362, октябрь 2009 г.

[3] Н. Сингх, К. Д. Буддхараджу, С. К. Манхас, А. Агарвал,

С. К. Ру, Г. К. Ло, Н. Баласубраманиан и Д. Л.

Квонг, «Устройства нанопроволоки Si, SiGe с использованием нисходящей технологии

и их приложения», IEEE Trans.Электрон

Приборы, об. 55, нет. 11 стр. 3107–3118, ноябрь 2008 г.

[4] [4] Н. Сингх, А. Агарвал, Л. К. Бера, Т. Лиоу,

Р. Янг, С. К. Рустаги, Ч. Тунг, Р. Кумар, Г. . Q. Lo,

N. Balasubramanian, and D.L. Kwong, «Высокопроизводительные

полностью обедненные кремниевые нанопровода

(диаметр ≤ 5 нм) Gate-All-Around CMOS

Devices», IEEE Electron Device Lett. т. 27, № 5, стр.

383-386 май 2006 г.

[5] J. Guo, J. Wang, E. Polizzi, S. Datta и M.

Lundstrom, «Электростатика транзисторов с нанопроволокой»,

IEEE Trans. Нанотехнологии. 2, нет. 4 стр. 329–

334, дек. 2003.

[6] SHOh, Д. Монро и Дж. М. Хергенротер, «Аналитическое

описание эффектов короткого канала в полностью истощенных

двойных затворах и цилиндрических полевых МОП-транзисторах

», IEEE Electron Device Lett ., том. 21, № 9,

стр. 445–447, сентябрь 2000 г.

[7] Б. Дойл, С. Датта, М. Доци, С. Хэрленд, Б. Джин, Дж.

Кавальерос, Т. Линтон, А. Мурти, Р. Риос и Р. Чау,

«Высокопроизводительный полностью обедненный транзистор CMOS

с тремя затворами», IEEE Electron Device Lett., vol. 24, нет. 4,

, стр. 263–265, апрель 2003 г.

., том. 18, нет. 2, стр. 74–76,

, февраль 1997 г.

[9] С.Х. О, Д. Монро и Дж. М. Хергенротер, «Аналитическое

описание эффектов короткого канала в полностью обедненных

двухзатворных и цилиндрических МОП-транзисторах с окружающим затвором

», IEEE ElectronDevice Lett., vol. 21, нет. 9,

pp. 445–447, Sep. 2000

[10] B. Yang, KD Buddharaju, SHG Teo, N. Singh, G.

Q. Lo, and DL Kwong, «Формирование кремниевых нанопроволок»

и универсальный полевой МОП-транзистор», IEEE Electron Device

Lett., том. 29, нет. 7, стр. 791–794, июль. 2008.

[11] Сатиш Махешварам, С.К. Манхас, Гаурав Каушал,

Булусу Ананд и Наваб Сингх, «кремниевая нанопроводка

полевой транзистор на основе затвора на основе наномасштаба

CMOS», IEEE Electron Device Письма., т. 32, нет. 8,

, стр. 1011-1013, август 2011 г.

[12] С.К.Рустаги, Н. Сингх, В. В.Фанг, К.Д. Х. Г. Тео, Ч. Х. Тунг Г.К. Ло, Н.

Баласубраманян и Д. Л. Квонг, «КМОП-инвертор

на основе кремниевых полевых МОП-транзисторов

с круговым затвором, изготовленных с использованием метода «сверху вниз», IEEE Electron

Device Lett., vol. 28, № 11, стр. 1021–1024, ноябрь. 2007.

[13] F. Balestra, S. Cristoloveanu, M. Benachir, J. Brini, and

T. Elewa, «Двухзатворный транзистор кремний-на-изоляторе

с инверсией объема: новое устройство с значительно

улучшенная производительность», IEEE Electron Device Lett., том.

EDL-8, №. 9, стр. 410–412, сентябрь 1987 г.

[14] К. П. Аут и Дж. Д. Пламмер, «Теория масштабирования для

цилиндрических, полностью истощенных, окружающих затвор

МОП-транзисторов», IEEE Electron Device Lett., vol. 18, нет. 2,

, стр. 74–76, февраль 1997 г.

[15] А.К. Шарма, С.Х. Заиди, С. Лусеро, С.Р. МОП-транзисторы с нанопроволокой с затвором

», Proc. Инст. Избрать. Eng.-Circuits Device Syst.,

vol. 151, нет. 2004. Т. 5. С. 422–430.

[16] С.Ю. Ли, С.-М. Ким, Э.-Дж. Юн, К.-В. О, И. Чанг,

Д. Парк и К. Ким, «Новый многомостовой канал

MOSFET (MBCFET): технологии изготовления и характеристика

», IEEE Trans. Нанотехнологии. 2, нет.

4, стр. 253–257, декабрь 2003 г.

[17] А. А. Хамуи и Н. А. Румин, «Аналитическая модель

для анализа тока, задержки и мощности субмикронных логических схем

CMOS», IEEE Trans.Цепи Сист. II,

Аналоговая цифра. Сигнальный процесс., том. 47, нет. 10, стр. 999–

1007, октябрь 2000 г.

[18] Дж. Р. Хаузер, «Критерии запаса шума для цифровых логических схем

» IEEE Trans on Education, V 36, № 4, ноябрь

1993 , стр. 363-368.

[19] Б.А. Рейни, Б. М. Фрид, М. Ионг, Дж. Кедзиерски, Э. Дж.

Новак, «Демонстрация схем FinFET CMOS»,

IEEE Dev Res. конф. сб., 2002, с.47-48.

[20] Б. Ю, Л. Чанг, С. Ахмед, Х. Ван, С. Белл, CY

Ян, К. Табери, К. Хо, К. Сян, Т. Дж. Кинг, Дж. Бокор,

К. Ху, М. Р. Лин и Д. Кайсер, «Масштабирование FinFET до 10-нанометровой длины затвора

», в IEDM Tech. Dig., 2002, стр. 251-254

IJCATM: www.ijcaonline.org

Автоматизированная система тестирования мощных IBGT и MOSFET транзисторов

Автор(ы):

Норайр Арутюнян — Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI
Вардан Алексанян — Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI
Ваан Саакян — Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI

 

Project Integration обеспечивает проектирование, внедрение, установку и обслуживание современных промышленных измерительных и автоматизированных систем тестирования.Квалифицированные инженеры компании используют технологии графического проектирования систем NI для проектирования, прототипирования и развертывания решений в области автоматизированного тестирования и управления производством. Они также предлагают комплексный подход к требованиям клиентов.

 

Особенности и возможности внедренной системы ATE

Транзисторы являются активными компонентами и широко используются в электронных схемах в качестве усилителей или переключающих устройств. В качестве усилителей они применяются в высоко- и низкочастотных каскадах, генераторах, модуляторах, детекторах и в любых функциональных схемах.В цифровых схемах они используются как переключатели. Принципиально важно измерять и тестировать параметры транзистора, чтобы обеспечить плавную работу.

 

Мы создали испытательную систему для мощных IBGT и MOSFET транзисторов на платформе NI PXI и усилителе мощности сигнала стороннего производителя. Мы также оснастили систему программным обеспечением, разработанным с использованием графической среды программирования LabVIEW. Мы значительно сократили время интеграции системы со сторонним оборудованием за счет использования программно-аппаратных платформ NI.

 

Мы разработали нашу тестовую систему для:

• Измерение статических и динамических параметров мощных IGBT и MOSFET транзисторов
• Самопроверка измерительной системы
• Самокалибровка измерительной системы

 

Программное обеспечение измерительной системы

Мы разработали программное обеспечение измерительной системы для измерения статических и динамических параметров следующих устройств:

• Мощные IGBT-транзисторы
• Мощные МОП-транзисторы

 

 

Программное обеспечение позволяет:

• Измерение параметров ИУ
• Настройка параметров тестируемых устройств
• Создание, сохранение и загрузка файлов конфигурации тестирования, содержащих информацию об условиях тестирования и ограничениях для каждого параметра
• Установить порядок измерения выбранных параметров
• Установка режима измерения (последовательный, шаг за шагом, до первого отказа, до следующего отказа, цикл)
• Представление результатов измерений в графическом или табличном формате
• Статистический анализ результатов измерений
• Экспорт результатов измерений в виде файла . CSV-файл
• Сохранение результатов измерений в базе данных
• Выполнение самопроверки и самокалибровки для проверки работоспособности системы тестирования

 

 

 

 

Список оборудования NI

• NI PXIe-1078 9-слотовое шасси 3U в формате PXI Express с AC — до 1,75 ГБ/с
• NI PXIe-8135 Четырехъядерный контроллер PXI Express 2,3 ГГц
• NI PXIe-2569 Универсальные реле SPST высокой плотности
• NI PXIe-5162 1.5 ГГц, 5 Гвыб./с, 10-разрядный осциллограф/дигитайзер
• NI PXI-6259 16-бит, 1 Мвыб/с (многоканальный), 1,25 Мвыб/с (1-канальный), 32 аналоговых входа
• NI PXI-4071 Цифровой мультиметр (DMM) в формате PXI
• NI PXI-5402 Генератор сигналов произвольной формы, 20 МГц
• Программируемый источник питания постоянного тока NI PXI-4110 с тремя выходами (x2)

 

Измерение параметров

Разработанная система ATE измеряет следующие параметры:

Статические и динамические параметры мощных МОП-транзисторов

• Ток утечки затвора
• Остаточный ток стока
• Начальный ток стока
• Напряжение пробоя сток-исток
• Пороговое напряжение
• Сопротивление ВКЛ
• Дифференциальная крутизна
• Входные, выходные и передаточные емкости
• Заряд затвора, заряд затвор-исток, заряд затвор-сток
• Задержка, нарастание, падение, время разряда

 

Статические и динамические параметры мощных IGBT-транзисторов

• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
• Ток отсечки коллектор-эмиттер
• Ток утечки затвор-эмиттер
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
• Пороговое напряжение затвор-эмиттер
• Входные, выходные и передаточные емкости
• Заряд затвора, заряд затвор-эмиттер, заряд затвор-коллектор
• Задержка, нарастание, падение, время разряда
• Потери при включении и выключении

 

Информация об авторе:

Вардан Алексанян
Найдите этого автора в сообществе разработчиков NI

Как проверить биполярный транзистор на коэффициент усиления по току малого сигнала на моем анализаторе характеристик?

Коэффициент усиления по малому сигналу — малый сигнал Бета или hfe

Что это такое:

Коэффициент усиления по току малого сигнала представляет собой отношение изменения IC к изменению IB при заданном начальном значении IC.

На анализаторе hfe проверяется путем измерения разницы IC между двумя значениями IB. Источник питания коллектора приводит в движение коллектор, а шаговый генератор — в основание. Генератор шагов предоставляет два значения IEB: первое обеспечивает указанное начальное значение IC, второе — обеспечивает (IC x 2). Изменение тока коллектора делится на изменение тока базы, чтобы достичь hfe.
Что показывает дисплей:

Дисплей показывает VCE по горизонтальной оси и IC по вертикальной оси.Если Генератор шагов обеспечивает базовый привод, будут отображаться два значения IC – первое при заданном начальном значении IC и второе при (IC x 2).

Спецификация соблюдается, когда hfe находится в пределах указанных мин./макс. пределов.

Как это сделать:

1. Установите элементы управления:

            A: максимальное пиковое напряжение – наименьшее значение, превышающее указанное значение VC

            B: максимальное пиковое напряжение – наименьшее значение, которое удовлетворяет (IC x 2 VC3) 9000 C: Horizontal Volts/Div для отображения VC между 5-м и 10-м делениями по горизонтали

            D: Полярность питания коллектора до (+DC) для NPN или (-DC) для PNP

            E: Вертикальный ток/Div для отображения (IC x 2) между 5-м и 10-м делением по вертикали

            F: конфигурация для (база/шаговый генератор, эмиттер/общий)

            G: генератор шагов для тока

             H: полярность генератора шагов для применения прямого смещения , ( (- для PNP)

            I: Step Mult . 1x на

J: Количество шагов до нуля

K: Stead / Offset Alm до примерно 1% Указанного IC

L: Переменная коллектор Поставка для минимума% (полный CCW)

м: точка курсор на
2. Подайте питание на транзистор:

            A: Установите левый/правый переключатель соответствующим образом

            B: Медленно увеличивайте переменную подачу коллектора в %, пока не будет достигнуто указанное значение VC

3.Применить базовый привод:

            A: Нажмите и удерживайте кнопку помощи при смещении, пока не будет достигнуто указанное начальное значение IC, и запишите значение IB (назовите его IB1) ​​

            B: нажмите и удерживайте кнопку помощи при смещении, пока (IC x 2) достигается и запишите значение IB (назовите его IB2)

4. Рассчитайте hfe

            Рассчитайте по формуле: (дельта IC / дельта IB)

hfe находится в указанных мин./макс. пределах

%PDF-1.5 % 196 0 объект > эндообъект внешняя ссылка 196 75 0000000016 00000 н 0000002609 00000 н 0000002723 00000 н 0000003882 00000 н 0000003917 00000 н 0000004056 00000 н 0000004190 00000 н 0000004793 00000 н 0000005258 00000 н 0000005773 00000 н 0000006307 00000 н 0000006421 00000 н 0000006533 00000 н 0000006619 00000 н 0000007139 00000 н 0000007707 00000 н 0000008326 00000 н 0000008363 00000 н 0000009846 00000 н 0000011415 00000 н 0000011715 00000 н 0000012134 00000 н 0000012385 00000 н 0000012780 00000 н 0000013317 00000 н 0000013985 00000 н 0000014383 00000 н 0000014711 00000 н 0000014814 00000 н 0000015317 00000 н 0000015918 00000 н 0000016031 00000 н 0000016659 00000 н 0000017349 00000 н 0000019143 00000 н 0000019576 00000 н 0000019665 00000 н 0000020044 00000 н 0000020533 00000 н 0000022072 00000 н 0000023597 00000 н 0000025071 00000 н 0000026461 00000 н 0000027925 00000 н 0000034366 00000 н 0000039714 00000 н 0000042364 00000 н 0000045980 00000 н 0000048865 00000 н 0000054348 00000 н 0000056055 00000 н 0000061452 00000 н 0000061547 00000 н 0000065944 00000 н 0000066404 00000 н 0000066952 00000 н 0000068235 00000 н 0000068540 00000 н 0000071409 00000 н 0000071757 00000 н 0000072195 00000 н 0000075780 00000 н 0000075819 00000 н 0000112403 00000 н 0000112442 00000 н 0000112790 00000 н 0000113108 00000 н 0000119286 00000 н 0000135718 00000 н 0000136327 00000 н 0000136684 00000 н 0000137055 00000 н 0000137446 00000 н 0000137513 00000 н 0000001796 00000 н трейлер ]/предыдущая 1105972>> startxref 0 %%EOF 270 0 объект >поток hb“`e“/c`g`pfb@

Apple выпускает M1 — Apple

Купертино, Калифорния — Сегодня Apple анонсировала M1, самый мощный чип из когда-либо созданных и первый чип, разработанный специально для Mac. M1 оптимизирован для систем Mac, в которых малый размер и энергоэффективность имеют решающее значение. Являясь системой на кристалле (SoC), M1 объединяет многочисленные мощные технологии в одном чипе и имеет унифицированную архитектуру памяти для значительного повышения производительности и эффективности. M1 — это первый чип для персонального компьютера, созданный с использованием передовой 5-нанометровой технологии. Он содержит поразительные 16 миллиардов транзисторов — это больше, чем Apple когда-либо помещала в чип. Он оснащен самым быстрым в мире процессорным ядром из кремния с низким энергопотреблением, лучшей в мире производительностью процессора на ватт, самой быстрой в мире встроенной графикой в ​​персональном компьютере и революционной производительностью машинного обучения с Apple Neural Engine.В результате M1 обеспечивает до 3,5 раз более высокую производительность процессора, до 6 раз более высокую производительность графического процессора и до 15 раз более быстрое машинное обучение, при этом время автономной работы увеличивается до 2 раз по сравнению с Mac предыдущего поколения. Благодаря значительному повышению производительности и эффективности M1 обеспечивает самый большой скачок в истории Mac. ¹

«Никогда не было такого чипа, как M1, нашего революционного SoC для Mac. Он основан на более чем десятилетнем опыте разработки лучших в отрасли чипов для iPhone, iPad и Apple Watch и открывает совершенно новую эру для Mac», — сказал Джонни Сроуджи, старший вице-президент Apple по аппаратным технологиям.«Что касается кремния с низким энергопотреблением, M1 имеет самое быстрое в мире ядро ​​​​процессора, самую быструю в мире встроенную графику в персональном компьютере и потрясающую производительность машинного обучения Apple Neural Engine. Благодаря уникальному сочетанию замечательной производительности, мощных функций и невероятной эффективности M1, безусловно, является лучшим чипом, который мы когда-либо создавали».

.