Содержание

Полевые транзисторы - Радиодетали

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, обычно с тремя выводами, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля.

 

Полевые транзисторы

03 N60S511NK40ZP пласт
04 N60C311NK90C
04 N60S511NM50N
050N20   (RDN)11NM60FP
050P03   (RSS)11NM80 (TO220)
060P05   (RSS)11NM80  (TO247)
065N06   (RSS)11P06 (I-PAK) FQD
06N6011P06 (TO220) FQP
06N60T (G06T60)11P06 (TO252) FQP
06N80C312N60
070N05    (RSS)12N60 C(F) пластм.
075P03    (RSS)12NK80Z
07N12012NK90Z
07N151K (07D151K)12NK95Z
07N221K (07D221K)12NM50N
07N680K (07D680K)12P04 =ME (TO252)
090N03    (RSS)12P10 (TO220) FQP
090P03    (RSS)12PF06 (TO220) STP
100N10  to3p13N10  (TO220)
10h20013N10  smd (D2PAK)
10N03 L13N65B   (MDF)  pl
10N03 LA13NK100Z
10N120 ADN13NK60ZFP
10N20   (FQPF)13NK80Z
10N60A (SGB10N60A)13NM60
10N60A (изолир,)13NM60 D2PAK
10N60A ориг. TO 24713NM60 DPAK
10N60C plast org14N36G3VL (HGTP)
10N80 мет. TO-22014NC60FP
10N80 пл.14NF12
10N80C14NK50Z orig
10N90 vtn14NK50Z мет
10N90A пласт14NK50ZFP
10NB37LZ = (NGB 8202)14NK50ZT4 orig
10NC60 met org14NK60Z мет.
10NK60Z orig14NK60ZFP
10NK60ZFP пласт15N03H
10NK60ZP мет.15N03LA
10NK80Z15N06
10NK80Z  (STW)15N10 = ME..(TO252-3L)
10NK80ZFP orig15N120AND
10NK80ZFP не ориг.15N16HS
10NK90Z=10NK90Z15N60 C3
10PF06    (STD)15N60HS  (SGB)
11N06LT15N60RUFD
11N60C(SPP)=12N60F15NK50 ZT4
11N65B  (MDF)15P05  TO251
11N80 met org15P05  TO252
11N90C15P05 SM(RFD) TO252AA
11NK100Z160N60UF   (SGL)
11NK40Z16NE06 (изолир,)
16NE06 met
16NF0626N50
16NF06FP26NM60N
16NK60Z26NM60N  б. корпус
17A0627N06E
17D06  SO827N25
17N06=17P06=18P0627P06
17N80C328NK60Z
17N80C3 пл.2N 100  dpak
17NK40ZFP2N06L
17P062N60 мет.
17P06TU2N60B мет.
17P102N60C (A) пл.
18N20V2   (FQPF)2NB80T4
18N40ABG (LZT4)2NK90 DPAK
18N40LZ  (STGD)2NK90Z   (STD)   DPAK
18N50  (IRFB)3055 smd (NTF)  SOT 223
18N50  (IRFBA) пласт3055L ( TO 252)
18NK80Z3055LE ( TO 220)  (MJE)
18NM803055LE ( TO 251)
18P06P (17P06)30N05E
19N20  =(19NF20)30N06 (FQD)
19NC60WD (STGW)30N06 (FQP)
19NF2030N120
19NM50N30N120D   (h40R1202)
19NM50N б. корпус30N160  (h40R1602)
1NK60Z   SO 830N60 (30T60)
1NK60Z   SOT 22330N60 A
1NK60Z   TO 9230N60 A4
20N03L30N60 A4D
20N06=20NE0630N60 AUI  (IXGH)
20N50   (ТО 247)30N60 D
20N60   (ТО 247)30N60 h4      (IKW)
20N60  FB пласм.30N60 HS   (30H603)
20N60  SFD30NF06
20N60C330NF20
20N60C3   (ТО 220)30PF03L   (STD)
20N60C3 orig30PF03L-1
20N65 C330PF30
20NB32LZ30US30DN   (FFH)
20NC60 WD   (ТО 247AC)31N20D  (IRF B)
20NE06=20N0633N10
20NF2033N25
20NK50Z34NM60N  (STP)
20NM6035N60C3
20NM60 N35NF06 LT4
20P06L smd38N60L
21NM60 N   (STF)39NC60 VD (STG W)
22N60NT  (FCPF)3DD 200
24N03L см. = PHP 24N03LT3DD 202
24N40E3DD 207
24NF103DD 300
24NM653DD 303 A
25N120AND3DD 303 C
25NM50N3DS01L   (ICE)
25NM50N   D2PAC3N6
3N60   met4NA40   plast
3N60 FI plast4NA80   met
3N60 FP plast org4NA80 FI plas
3N80  met4NB100 ( замена =4N90 )
3N80 plast4NB80 FP  plast
3N80A    plast4NC60 FP  plast
3N90  (ИЗОЛ)4NF03L
3N90  met4NK50ZT4
3NA80    met4NK60Z   met
3NA80    plast4NK60ZPF  пластм.
3NA90 met4NK80 ZFP orig пласт
3NA90 plast4NK80Z orig
3NB60FP50E1200 HB  (CLA)
3NB80FP50N03 (TO 251)
3NB90FP50N03 (TO 263)
3NC6050N06 D2PAC =(60N06)
3NC90 ZPF пласт.50N06 or.(50E06 )TO-220
3NK60 ZFP пласт50N06 orig TO-220
3NK80 ZFP plast50N60  (Челябинск )
3NK90 ZFP50N60 h4   (IKW)
40N0350N60A
40N03 = AP40N03P50N60A б. корпус
40N03GP = AP40N03GP  TO-22050N60KDA   (KGT)
40N120 AND ( FGL  40N120 AND)50N60T   (IKW)  =50T60
40N150D50NB60 T
40N5050NB60M orig
40N6050T60 =(50N60)  (IKW)
40N60 A4  (HGTG)52N10
40N60 SFD (FGH  )5484 (MMBF) smd
40N60 SMD (FGH)55NE06
40N60 UFD (FGH )55NF06 met
40N60 UFD (SGH)55NF06 plas
40N60B2D1  (IXGH)5N2307   (H)
40N60C2D1  (IXGR)5N3011P   (H)
40N60h4 = K40H6035N60C   DPAK
40T03GP = AP40T03GP5N60C   TO220
40T03P5N60C   TO220F
40T03S5N60C   TO251
40T301
5N62K3
40TPS085N80   met
40TPS12 (A)5N80C  plast
44N50  (IXFK)5N90     plast
45N120  (IXSH)5N90   met
45NM50  (STW)5N90A   met  TO-3A
45NM50FD  (STW)5NA90   met  TO-220
46N15   (FQB)5NA90  plas
47N60C35NA90A   met  TO-3A
4N60   met5NB40FP
4N60 B  (SSW)5NK40 Z
4N60 B  plast5Nk60
4N60LV (K)5Nk60 ZPF plast.
4N90 A    plast5NK80 Z
4NA40   met5NK80 ZPF plast.
5NM60    (STD)7N50  (MDF)
5NU73 болгарские7N60 A plast
60N03 D2PAK7N60 met
60N03 DPAK7N60B (C)  plast
60N03LDG  TO-2527N65B  (MDF)
60N067N65C
60N06 D2PAK7N80C
60N1007N90Q
60N20T   (IXTA)7NA60  (SSP)
60N60 SFD7NA80
60N60 SMD7NC60HD     (STG)
60N60 UFD7NC70ZFP
60NF03L7NK40Z
60NF06 met7NK80Z
60NF06 plast7NK80ZFP
60NF06T4  D2PAK  met7NM80
60NF06T4  DPAK  met7NM80 met
60NF10 met7NM80 пл.(7N80C надп)
60NH03- =(STD)80N03 D2PAK
60R600 CP D2PAK80N60 UFD
60UP30DN   (FFA)80N60 UFD   (SGH)
65NF06 met80NF12
6N60 —   plast80NF55L-06
6N60 (A)  met80NF55L-06T4
6N60 D2PAK85N06
6N60 F orig85N06 D2PAK
6N62K388N30 TO 247
6N70 пл.8N50 met
6N80 met.
8N60F orig
6N80C пласт8N65M5
6N908N80A
6NA60 met8N90C
6NA80 F18NA60  TO-3A  Б.корпус)
6NB908NA60 plast    TO-220
6NC608NC80A TO-247(Б. корп)
6NC80Z8NC90Z
6NK60Z8NK80Z
6NK60ZFP plast8NK80ZFP
6NK60ZT4 D2PAK90N33
6NK70ZF90NF20
6NK90Z met.90T03 GP TO220
6NK90ZPF plas.99N03   D2PAK
70N0399N03   DPAK
70N069N60
70N33TBM-A   (IXGP)9NA50   plast
70NA60 мет9NA60
70NF03 (70N03)9NA80 plast    TO-220
70TPS129NB50FP
75N03 HDL9NC80   plast
75N059NK50Z
75N069NK50ZFP
75N15 (IXTH)  (TO-247AD)9NK50ZT4 (D2PAK)
75NF209NK60Z
75NF759NK60ZFP
7N40 E   plast9NK70Z
9NK70ZPFIRF 644 B
9NK90Z TO 247 б. корпусIRF 644 N
9NK90Z мет.IRF 650  —
9NK90ZPF \ plact/IRF 710
9NM60NIRF 7101 smd
9NА50IRF 7103 smd
IRF 7104 smd
IRC Z 24IRF 7105 smd
IRC Z 34IRF 720
IRC Z 44IRF 7204 smd
IRF 1010(N,E)  —IRF 7205 smd
IRF 1310NIRF 7210 smd
IRF 1404IRF 730  ориг
IRF 1405IRF 730 не ориг
IRF 1407IRF 7301 smd
IRF 2204IRF 7303 smd
IRF 2204SIRF 7304 smd
IRF 2804 origIRF 7306 smd
IRF 2805IRF 7307 smd
IRF 2807IRF 7309 smd
IRF 2905IRF 7311 smd
IRF 3205 origIRF 7313 smd
IRF 3703IRF 7314 smd
IRF 3706IRF 7317 smd
IRF 3707IRF 7319 smd
IRF 3707SIRF 7322 smd
IRF 3708 (IRF R 3708?)IRF 7324 smd
IRF 3710IRF 7325 smd
IRF 3711IRF 7326 smd
IRF 3808IRF 7331 smd
IRF 4905 origIRF 7342
IRF 4905 SIRF 7343 smd
IRF 510  —IRF 7350 smd
IRF 520IRF 7379 smd
IRF 520 (N)IRF 7380 smd
IRF 5210IRF 7389 smd
IRF 530IRF 740  —
IRF 530 NIRF 740  orig
IRF 5305  TO220IRF 740 S
IRF 5305 S D2PACIRF 7403 smd
IRF 540 —IRF 7406 smd
IRF 540 SIRF 7413 smd
IRF 610  —IRF 7416 smd
IRF 614IRF 7424 smd
IRF 620IRF 7425 smd
IRF 6215IRF 7433 smd
IRF 630  — metIRF 7465 smd
IRF 630  — met ORIGIRF 7469 smd
IRF 630  изолировIRF 7470 smd
IRF 634IRF 7471 smd
IRF 640  —IRF 7477 smd
IRF 640 NSIRF 7478 smd
IRF 641  —IRF 7484 smd
IRF 642  —IRF 7494 smd
IRF 644IRF 7507 smd
IRF 7509 TR smdIRF D 320
IRF 7530 smdIRF D 9024
IRF 7805 smdIRF D 9120
IRF 7807 smdIRF I 540N
IRF 7809 smdIRF I 620 G
IRF 7811 AV smdIRF I 840G
IRF 7822 TR smdIRF L 4105
IRF 7832 smdIRF L 4310
IRF 7835 smdIRF L 9014
IRF 7836 smdIRF P 044 N
IRF 7910 smdIRF P 054 N
IRF 8010      (TO-220)IRF P 064 N
IRF 8010SIRF P 140 N
IRF 820IRF P 1405
IRF 822IRF P 150 N
IRF 822F1IRF P 22N50A
IRF 830 metIRF P 22N60K
IRF 830 plastIRF P 240 —
IRF 830S smdIRF P 250 N
IRF 8313IRF P 260 —
IRF 840  —IRF P 264 N —
IRF 840 origIRF P 2907 Z
IRF 840SIRF P 32N50K
IRF 841IRF P 32NA60
IRF 9510 —IRF P 3306
IRF 9511IRF P 3415
IRF 9530 —IRF P 350
IRF 9540 —IRF P 360
IRF 9610 —IRF P 3710
IRF 9620 orig (SPF 9620)IRF P 4229
IRF 9630 —IRF P 4232
IRF 9640 ориг.IRF P 4368
IRF 9Z14IRF P 4468
IRF 9Z24NIRF P 450
IRF 9Z34IRF P 460 ориг
IRF B 1404AIRF P 4668
IRF B 4020IRF P 4768
IRF B 4115IRF P 9240 orig
IRF B 4115IRF PC 50
IRF B 4227IRF PC 60
IRF B 42N20DIRF PE 40
IRF B 4710IRF PE 50
IRF B 52N15DIRF PF 50
IRF B 9N60IRF R 024N
IRF BC 30 —IRF R 110
IRF BC 40 —IRF R 120
IRF BC 40 -G пластIRF R 1205
IRF BE 30 —IRF R 2705
IRF BF30IRF R 2905
IRF BG 30IRF R 3418
IRF D 110IRF R 3706
IRF D 120IRF R 3707Z
IRF D 123IRF R 3708
IRF D 210IRF R 3709
IRF D 220IRF R 3709 Z
IRF R 4105IRG 4PC 30W
IRF R 5305IRG 4PC 40U
IRF R 5505IRG 4PC 40UD
IRF R 9020IRG 4PC 40W
IRF R 9024IRG 4PC 50F
IRF R 9310IRG 4PC 50FD
IRF RC 20IRG 4PC 50U
IRF S 4229IRG 4PC 50UD
IRF S 530AIRG 4PC 50W
IRF S 630  —IRG 4PC 50WD
IRF S 634IRG 4PF 50W
IRF S 640IRG 4PF 50WD
IRF S 644IRG 4PH 50UD
IRF S 710IRG 4PSC 71U
IRF S 740IRG 4PSC 71UD
IRF S 830IRG 4PSH 71K
IRF S 840IRG 4PSH 71U
IRF S 9630IRG 4PSH 71UD
IRF S 9634IRG I 4065
IRF U 024IRG P 30B 120KDE
IRF U 2705IRG P 4063DPBF
IRF U 3709ZIRG P 4068D
IRF U 420IRG P 4072D
IRF U 9024 NIRG P 50B60PD
IRF W 630BIRG S 14C40L
IRF W 634BIRG S 30B60K
IRF W 720BIRL 2203N
IRF Z 24NIRL 2505 (N)
IRF Z 30IRL 2505 L
IRF Z 34 N-IRL 2505 S  (D2PAC)
IRF Z 40IRL 2703 S
IRF Z 44IRL 2905 L
IRF Z 44 EIRL 3103
IRF Z 44 N-   изолирIRL 3705 N ( L)
IRF Z 44 N =аналог(50N06)IRL 3705 Z
IRF Z 44 NS D2PAKIRL 3713
IRF Z 44 VIRL 3715
IRF Z 46 N-IRL 3803
IRF Z 48NIRL 510
IRF Z 48VIRL 520
IRFIBC30GIRL 530
IRFIBC40GIRL 530NS
IRFIZ44GIRL 540
IRG 4BAC50WCSIRL 630 S  smd   DPAK
IRG 4BC 15UD-SIRL 640
IRG 4BC 20UDIRL 7833
IRG 4BC 30 U-SIRL B3034
IRG 4BC 30FIRL D024
IRG 4BC 30UDIRL IB 4343
IRG 4BC 30W-SIRL L110
IRG 4BC 40FIRL ML2030 smd
IRG 4BC 40UIRL ML2502 smd
IRG 4BC 40UDIRL ML2803 smd
IRG 4PC 30FDIRL ML5103 smd
IRG 4PC 30UIRL ML6302 smd
IRL ML6401 smdK 2025
IRL ML6402 smdK 2039
IRL MS6702 smdK 2043  —
IRL R 024NK 2056  —
IRL R 2705K 2056(AF)-
IRL R 2905K 2098
IRL R 2908K 2099-01S
IRL R 3103K 212 —
IRL R 3105K 2134
IRL R 3410K 2141  —
IRL R 8721K 2232
IRL U2905ZK 2267
IRL Z24N origK 2275  —
IRL Z34NK 2313
IRL Z44N origK 2320
K 2324
K 1010K 2333
K 1058K 241
K 1059K 246
K 1060K 2500
K 1070K 2500 б. корпус
K 1082K 2503
K 1082K 2541
K 1094K 2543
K 1101K 2544
K 1102 —K 2545
K 1117  —K 2607
K 1118  —K 2611
K 1120K 2615
K 117K 2628
K 1202  —K 2632
K 1317K 2642
K 1357K 2645
K 1358K 2647
K 1404  —K 2648
K 1460  —K 2651
K 1464  —K 2665
K 1464 ориг.K 2669
K 1482K 2671
K 1487  —K 2700
K 1507  —K 2717
K 1529K 2718
K 1535K 2723   met
K 1537  —K 2723   plast
K 1567K 2740
K 1621K 2746
K 1624K 2749
K 1626K 2750
K 1692  —K 2761
K 1723K 2767
K 1758 —K 2782
K 1767K 2794
K 1821K 2800
K 1943  —K 2830
K 1953 —K 2833
K 2837K 3919
K 2842K 3919
K 2843K 3929-01MR
K 2847K 3934
K 2848K 4075
K 2865K 4097
K 2876K 4111
K 2917K 494
K 2937K 526
K 2941K 544
K 2956K 583
K 2961K 669
K 2968K 725
K 2996K 727 —
K 301K 738
K 3018K 792 —
K 3019K 793 —
K 3047K 794 —
K 3053K 903 —
K 3057K 904 —
K 3067K 905
K 3082K 940
K 3114K 941
K 3115K 945
K 3116K 954
K 3130K 955
K 3235K 956
K 3255K 975
K 3264K50T60
K 3265
K 3271
K 3296NGB8202NT4   ( АНАЛОГ 10NB37LZ)
K 3298NGD8201AN
K 3435ON 4409 —
K 3451-01 MRP 0102 BL
K 3469P 06 P 03 LDG
K 3528P 06 P 03 LVG
K 3530P 0603 BDG
K 3561P 0903 BDG
K 3562P 1203 BV
K 3564P 1504 BDG
K 3565 TO 220F = (SC 67)P 2003 EVG
K 3566P 2103 NVG
K 3567 TO 220F = (SC67)P 2503 NPG
K 3568P 2504 BDG
K 3569 TO 220F =(SC67)P 2610 ADG
K 3570P 2803 NVG
K 3572P 2804 BDG
K 3677-01 MRP 2804 ND5G
K 3699P 2806 NV
K 3728P 3055 LDG
K 3742P 3056 LDG
K 3797P 5504 EDG
K 3878P 5506 HVG
K 3918P3 NA 80F1
P3 NA 80F1 заказ
P5 NB 40FPHD 1750 FX
P5 NB 60FPHFA04TB60
PC 610A-2 (SFH)HFA08TB120
PC 610A-3 (SFH)HFA08TB60
PC 615A-3 (SFH)HFA15PB60
PC 617A-4 (SFH)HFA15TB60
PHD 66NQ03LTHFA16PA120C
PHKD 13N03LTHFA16TA60C
PHP 24N03LTHFA16TB120
PHP 50N06HFA25PB60
HFA25TB60
SD 46520HFA30PA60C
SD 4841HFA30PB120
SD 4842PHFA30TA60C
SD 4844 PHFA32PA120C
SD 7401 RCHFA50PA60C
SD 7402
SF 10A400H
SF 10A400HD smd
SFH 6345
SFH 690BT
SFP 9634
SFS 9630
SFS 9634
SSH 5N90
SSH 6N60 —   met
SSH 6N80 —
SSH 6N90  plast
SSH 7N60 met
SSP 3N90 plas
SSP 6N60A-
SSS 3N 80
SSS 6N 60AF
STGW45HF60WD

Глючит климат контроль - Страница 2 - Система отопления и кондиционирования XP

Давайте определимся, что данные транзисторы с изолированным затвором, причем для BUZ102 напряжение исток-затвор может быть до 20 вольт. Так что в затвор ток течь не должен, да и по напряжению пробоя быть не может, все таки в сети меньше 20 вольт. Ток сток может быть до 42 ампер, а напряжение до 50 вольт. Так что пробоя по напряжению не будет. А вот по току может. Мощность транзистора 200 ватт, это я уже писал. И температуру он выдерживает до 175 градусов. Что из этого следует? Наиболее вероятен пробой из-за тока. Или перегрева. Но надеюсь корпуса Вы закрепляли на радиаторе нормально. Да, еще есть один момент... Транзисторы с изолированным затвором боятся статики. Поэтому паять из надо с закороченными выводами (фольгой замотать). Конечно, мощные транзисторы не так быстро помирают, как КП301 (если кто еще помнит такие во времена СССР), но я не знаю, какой у Вас паяльник. Может там на жале половина сети... Между стоком и истоком стоит обратный диод который, который убить не так просто(1.7 вольта падения при 40 амперах), хотя и возможно. От дохлости других элементов регулятора мощные транзисторы умирать не должны, причины назвал выше.

 

Ну и теперь, что смотреть:

 

1. Ток двигателя вентилятора. По идее транзистор держит в пике до 160 ампер. Но может быть подкорачивание в двигателе, а в этом случае броски тока могут быть очень не слабые. Если есть подозрение, смотреть осциллографом.

2. Температуру транзисторов.

3. Как оно вообще у Вас включается? На машине пробуете? Домой притащили двигатель вентилятора и аккумулятор?

4. Хорошо бы посмотреть осциллографом напряжение на двигателе, когда он работает. Может там пики в минус не слабые.

 

Точнее ничего сказать нельзя к сожалени. Поскольку ни руками, ни приборами, не пощупать...

 

Для zzaj. У его при пробое вентилятор на полную и включается. А 50N06 по току 50 ампер держит, но мощность меньшую. Так что не совсем полный это аналог. Но вот у меня есть подозрение, что он транзисторы просто подпаивал, а не прикручивал. В результате банальный перегрев и пробой, как следствие.

Изменено пользователем systo

Как проверить полевой транзистор мультиметром

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Англоязычное обозначение таких транзисторов – MOSFET, что означает «управляемый полем металло-оксидный полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти приборы часто называют МДП или МОП транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

Особенности конструкции, хранения и монтажа

Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями. К n-областям подсоединяются выводы (исток и сток). Под действием источника питания из истока в сток по транзистору может протекать ток. Величиной этого тока управляет изолированный затвор прибора.

При работе с полевыми транзисторами необходимо учитывать их чувствительность к воздействию электрического поля. Поэтому хранить их надо с закороченными фольгой выводами, а перед пайкой необходимо закоротить выводы проволочкой. Паять полевые транзисторы надо с использованием паяльной станции, которая обеспечивает защиту от статического электричества.

Прежде, чем начать проверку исправности полевого транзистора, необходимо определить его цоколевку. Часто на импортном приборе наносятся метки, определяющие соответствующие выводы транзистора. Буквой G обозначается затвор прибора, буквой S – исток, а буквой D- сток.
При отсутствии цоколевки на приборе необходимо посмотреть ее в документации на данный прибор.

Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром

Перед тем, как проверить исправность полевого транзистора, необходимо учитывать, что в современных радиодеталях типа MOSFET между стоком и истоком есть дополнительный диод. Этот элемент обычно присутствует на схеме прибора. Его полярность зависит от типа транзистора.

Порядок проверки исправности n-канального транзистора мультиметром следующий:

  1. Снять статическое электричество с транзистора.
  2. Перевести мультиметр в режим проверки диодов.
  3. Подключить черный провод мультиметра к минусу измерительного прибора, а красный – к плюсу.
  4. Подключить красный провод к истоку, а черный – к стоку транзистора. Если транзистор исправен, то мультиметр покажет напряжение на переходе 0,5 — 0,7 В.
  5. Подключить красный провод мультиметра к стоку, а черный – к истоку транзистора. При исправном приборе мультиметр покажет единицу, что означает бесконечность.
  6. Подключить черный провод к истоку, а красный – к затвору. Таким образом, осуществляется открытие транзистора.
  7. Черный провод оставляется на истоке, а красный подсоединяется к стоку. При исправном приборе мультиметр покажет напряжение от 0 до 800 мВ.
  8. При смене полярности щупов мультиметра величина показаний не должна измениться.
  9. Подключить красный провод к истоку, а черный – к затвору. Произойдет закрытие транзистора.
  10. При этом транзистор возвратиться в состояние, соответствующее п.п.4 и 5.

По проделанным измерениям можно сделать вывод, что если полевой транзистор открывается и закрывается с помощью постоянного напряжения с мультиметра, то он исправен.

Полевой транзистор имеет большую входную емкость, которая разряжается довольно долго.
Это используется при проверке транзистора, когда вначале его открывают напряжением мультиметра (п.6), а затем в течение некоторого времени, пока не разрядилась входная емкость, проводят дополнительные измерения (п.п. 7,8).

Оценка исправности р-канального устройства

Проверка исправности р-канального полевого транзистора производится таким же образом, что и n-канального. Отличие состоит в том, что в п. 3 к минусу мультиметра надо подключить красный провод, а к плюсу мультиметра – черный провод.

Выводы:

  1. Полевые транзисторы типа MOSFET широко используются в технике и радиолюбительской практике.
  2. Проверку работоспособности таких транзисторов можно осуществить с помощью мультиметра, следуя определенной методике.
  3. Проверка p-канального полевого транзистора мультиметром осуществляется таким же образом, что и n-канального транзистора, за исключением того, что следует изменить полярность подключения проводов мультиметра на обратную.

Видео о том, как проверить полевой транзистор

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ИМПОРТНЫЕ - PDF Free Download

СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ФИРМЫ HARRIS

БИБЛИОТЕКА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ ВЫПУСК 3 СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ФИРМЫ HARRIS СОДЕРЖАНИЕ НОМЕНКЛАТУРА ИЗДЕЛИЙ ФИРМЫ "HARRIS SEMICONDUCTOR". .............................2 Сверхбыстрые импульсные IGBT транзисторы

Подробнее

Применение продукции IR в автоэлектронике

Применение продукции IR в автоэлектронике В настоящее время рост мощности, потребляемой различными электрическими системами автомобиля, с одной стороны, и ограничение на величину коммутируемого тока пределом

Подробнее

СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ФИРМЫ HARRIS

БИБЛИОТЕКА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ ВЫПУСК СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ФИРМЫ HARRIS СОДЕРЖАНИЕ НОМЕНКЛАТУРА ИЗДЕЛИЙ ФИРМЫ "HARRIS SEMICONDUCTOR".............................. Сверхбыстрые импульсные IGBT транзисторы

Подробнее

Силовая электроника. Каталог

Силовая электроника Каталог 07 08 Содержание Введение Выпускаемая продукция по силовой электронике Наши принципы в партнерских отношениях Список сокращений 4. Быстровосстанавливающиеся диоды (БВД) 5..

Подробнее

Силовая электроника Каталог 2016

Силовая электроника Каталог 06 Оглавление ОГЛАВЛЕНИЕ... ВВЕДЕНИЕ... Выпускаемая продукция по силовой электронике... СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ...4. БЫСТРОВОССТАНАВЛИВАЮЩИЕСЯ ДИОДЫ (БВД)...5.. Корпусные изделия

Подробнее

Справочник по полевым транзисторам

Справочник по полевым транзисторам СОДЕРЖАНИЕ От составителя Область применения Условные обозначения Справочные данные полевых транзисторов П КПС КП КП КП П П КП0 П КП КП0 КП9 КП0 КП0 (мощные) КП0 КП КП

Подробнее

,-,;. г т. автоэлектроники

0702169 i h... -..,-,;. г т автоэлектроники IOR Компоненты для лектроники International Rectifier Компания International Rectifier - мировой лидер в производстве полупроводниковых приборов для силовой

Подробнее

последней предпоследней

Введение Предлагаемый сборник заданий для индивидуальной работы студентов содержит 50 различных кинематических схем механизмов II-го класса 2-го порядка с низшими парами для кинематического анализа. in - - 3 амияшамамшнммннмшмя Компания International Rectifier - мировой лидер в производстве полупроводниковых приборов для силовой преобразовательной

Подробнее

Часть І. Самостоятельные работы

Часть І. Самостоятельные работы Блок 1. Геометрические фигуры. Точка, прямая, луч, отрезок Самостоятельная работа 1 (на чертежах) 1. Какие из точек A, B, C, D (рис. 1) лежат на прямой a, а какие не лежат?

Подробнее

СД МОК/17

21.12.2017 9-4.СД МОК/17 О согласовании проекта адресного перечня многоквартирных домов, подлежащих включению в краткосрочный план реализации в 2018-2020 годах региональной программы капитального ремонта

Подробнее

РАЙОН ПРОСПЕКТ ВЕРНАДСКОГО

График технического обслуживания внутридомового и внутриквартирного газового оборудования в жилых домах Западного административного округа города Москвы на 2015 год А д р е с РАЙОН ФИЛЕВСКИЙ ПАРК Алябьева

Подробнее

Компания Philips Semiconductors потратила

SE#1(1)_web. qxd //0 : M Page Ñèëîâàÿ Ýëåêòðîíèêà, ¹ 1 0 apple ÌÁËÒÚÓapple Philips Íà ñåãîäíÿøíèé äåíü îñíîâíóþ àñòü ïðîèçâîäèìûõ òðàíçèñòîðîâ ñîñòàâëÿþò óñòðîéñòâà ñî ñòðóêòóðîé ìåòàëë-îêèñåë-ïîëóïðîâîäíèê

Подробнее

Наименование Кол-во Стоимость Антенна GSM Варикап BB Варикап КВ Диод 1,5KE10A 70 10,85 Диод 1,5KE6,8CA 98 10,85 Диод 1N

Наименование Кол-во Стоимость Антенна GSM 2 319 Варикап BB132 328 5 Варикап КВ132 28 5 Диод 1,5KE10A 70 10,85 Диод 1,5KE6,8CA 98 10,85 Диод 1N4007 14 0,6 Диод 1N4007BL 12 0,41 Диод MMBD4148SE 20 6,81 Диод

Подробнее

Запрос: F 60 Заголовок Кm NK S T NT CODE CRC

1. Приращение энергии за указанные сутки по выбранным каналам ($0040) номер стартового канала 3 количество запрашиваемых каналов 3 индекс запрашиваемых суток S 2 суммарное значение T 0 NT 0 55 01 00 12

Подробнее

W2S130-AA25-65, W2S130-AA25-01, W2S130-AA03-49, W2S130-BM15-01, W2S130-BM03-01, W2S130- AA03-01,

w2s130-aa03-01, w2s130-aa03-71, w2s130-ab03-13, w2s130-aa03-01, вентилятор, w2s130-aa75-a2, w2s130-bm03-01, w2s130-aa03-01, цена, w2s130-aa03-87, w2s130-aa03-21, ebm-papst, W2S130-AA25-65, W2S130-AA25-01,

Подробнее

Низковольтные MOSFETтранзисторы

Константин Староверов Новое поколение низковольтных MOSFET-транзисторов в корпусах SO-8, PQFN и DirectFET Обновленная линейка низковольтных силовых MOSFET-транзисторов компании International Rectifier

Подробнее

ОЛИМПИАДА ПО МАТЕМАТИКЕ 9 класс

БИЛЕТ 1 1. Найдите количество точек плоскости Oy, имеющих натуральные координаты, y на параболе y 11. 4. Решите неравенство 1 1 1 1.. В числе * 0 *1* 6 * 0 * * нужно заменить каждую из 6 звёздочек на любую

Подробнее

КАТАЛОГ ПРОДУКЦИИ.

КАТАЛОГ ПРОДУКЦИИ СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ МОНОЛИТНЫЕ СВЧ ИС (MMIC) СВЧ УСИЛИТЕЛИ В МОДУЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ ДИСКРЕТНЫЕ СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ УПРАВЛЯЕМЫЕ АТТЕНЮАТОРЫ И ФАЗОВРАЩАТЕЛИ www.amcomusa.com

Подробнее

Не сможешь зажечь свет без выключателя*

AББ Лтд Не сможешь зажечь свет без выключателя* * Ваши клиенты хотят только включать и выключать свет? Идеальное решение это Правильный выбор. Вам будет легче привлечь больше клиентов. Когда в проектах

Подробнее

Справочник радиолюбителя

А. П. Кашкаров Справочник радиолюбителя в з а и м о з а м е н я е м о с т ь э л е м е н то в, ц в е то в а я и к о д о в а я м а р к и р о в к а, электронные самоделки Наука и Техника, Санкт Петербург

Подробнее

КАТАЛОГ ПРОДУКЦИИ.

КАТАЛОГ ПРОДУКЦИИ СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ МОНОЛИТНЫЕ СВЧ ИС (MMIC) СВЧ УСИЛИТЕЛИ В МОДУЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ ДИСКРЕТНЫЕ СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ УПРАВЛЯЕМЫЕ АТТЕНЮАТОРЫ И ФАЗОВРАЩАТЕЛИ www.amcomusa.com

Подробнее

ID_9086 1/9 neznaika.pro

Углы и расстояния в пространстве Ответами к заданиям являются слово, словосочетание, число или последовательность слов, чисел. Запишите ответ без пробелов, запятых и других дополнительных символов. В правильной

Подробнее

СЕЛЕКТОРНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ

СЕЛЕКТОРНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Завод MCF предлагает Вам звуковое и световое оборудование российского производства высокого качества по приемлемым ценам. Мы работаем с 2010 года, среди наших клиентов концертные

Подробнее

World of Kacher. Version 1.0

World of Kacher Version 1.0 В этой брошюре будут рассматриваться схемотехнические и практические реализации Качеров. Пока, здесь рассмотрены только мои наработки. Качер электротехническое устройство, в

Подробнее

ПРОДУКЦИЯ ФИРМЫ «INTERNATIONAL RECTIFIER»

БИБЛИОТЕКА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТО ЫПУСК 14 ПРОДУКЦИЯ ФИРМЫ «INTERNATIONAL RECTIFIER» СОДЕРЖАНИЕ ЕДЕНИЕ..............................................................................3 ХОДНЫЕ КАСКАДЫ..................................................................4

Подробнее

AC синхронные моторы. Серия LSM 36.

Системы прямого привода AC синхронные моторы Серия LSM 36. Минск Октябрь 2011 ООО Рухсервомотор BY-220019, Монтажников 5, Минск, Беларусь tel. +375(17)254-04-43 fax +375(17) 254-04-48 email:[email protected];

Подробнее

1 класс. 2 класс. 3 класс

Стоимость проезда на скорых пригородных поездах повышенной комфортности с предоставлением посадочного места по маршруту Москва(Курская) - - Москва(Курская): 7048 (по пятницам) 7047 (по понедельникам) 1

Подробнее

Планиметрия на олимпиаде «Физтех»

И. В. Яковлев Материалы по математике MathUs.ru Планиметрия на олимпиаде «Физтех» 1. («Физтех», 017, 9 ) В треугольник ABC вписаны два равных прямоугольника P QRS и P 1 Q 1 R 1 S 1 (при этом точки P и

Подробнее

P55nf06 схема включения - kras-salon.ru

Скачать p55nf06 схема включения fb2

P55NF06 Даташит, P55NF06 Datasheet, транзистор P55NF06,P55NF06 даташитов, микросхема P55NF06, P55NF06 PDF, схема p55nf06, документация, включенье, Лист данных, аналог, ремонт. Выбор p55nf06 зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора.

Полная схема о том как проверить STP55NF06 (P55NF06), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд. Включения MOSFET. Возможность скачать даташит (datasheet) P55NF06 в формате pdf электронных компонентов.

P55NF06 - схемы и наличие на складе. P55NF06 Datasheet(PDF) 1 Page - Thinki Semiconductor Co., Ltd.

Номер в каталоге: P55NF06, STP55NF06 функция: N-channel 60V - Ohm- 50A / STripFET II Power MOSFET пакет: TO Type Производитель: STMicroelectr.  Другие с той же файл данные: STB55NF06, STP55NF06FP. Related articles across the web. Blog Post: Smaller, more efficient power banks coming your way! Friday Quiz: Power MOSFETs. Запись опубликована Февраль 2, автором Datasheet13 в рубрике Без рубрики.

Навигация по записям. ← JA даташит — BVcbo = V, NPN Transistor — Fairchild SW даташит — PWM Switching Controller — SAMWIN →. P55NF06 GFV6 CHN P55NF06 GFV6 CHN Чем можно заменить аналог.Может у кого есть. Аналог? Это прикол. Или Форум» Аудио. Определить тиристор в корпусе ТО ([email protected] GKOSD V6 CHN52b).  Для ориентира по схеме: ПН на TL и 6 штук P55nf06, выходные на TIP35CTIP36C 4пары. Старик, что Вы там собираетесь улучшить? Забыли прописную истину: лучшее- Форум» Аудио.

Имитатор звука выстрела генератор шумового сигнала. Усиленный транзистором V2, этот сигнал поступает на управляемый усилитель (транзисторы V4 и V6). N-CHANNEL POWER MOSFET„DESCRIPTIONThinkiSemi 50N06 is three-terminal silicon device with currentconduction capability of about 50A, fast switching speed.

Lowon-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and maxthreshold voltages of 4 kras-salon.ru is mainly suitable electronic ballast, and low power switchingmode power appliances.„ datasheet search, datasheets, Datasheet search site for Electronic Components and Semiconductors, integrated circuits, diodes and other semiconductors.  P55NF06 Datasheet(PDF) 1 Page - Thinki Semiconductor Co., Ltd. Part No. P55NF Description. N-Channel Power MOSFET Transistor. Download. 6 Pages.

Scroll/Zoom. %. Выбор драйвера зависит от схемы включения нагрузки и комутирующего транзистора. Если обратишь внимание, то увидишь что с драйвером и в верхнем и нижнем плече используются N канальные транзисторы.

Просто у них лучше характеристики чем у P канальных. Рассмотрены особенности работы полевых транзисторов типа MOSFET. Приведена методика как проверить полевой транзистор р- и n-канального типа с помощью мультиметра.

P55NF06 - цены и наличие на складе. Аналоги для p55nf Форма поиска аналогов. Название  Ближайший аналог. Выводы на корпусе совпадают, но в электрической схеме компонентов есть некоторые различия, например разная функциональность. Функциональный аналог. Элементы входят в одну функциональную группу, например усилители, со схожими характеристиками. Замена возможна с изменением схемы печатной платы. Возможный аналог.

Данная информация представлена в ознакомительных целях. Сначала рассмотрим его внутри. Стандартная схема. Сзади. Внутри.  У меня в таком же усилители сгорел транзистор p55nf У нас в наличии их нету. Вопрос: можно ли его заменить p60nf Или может еще есть какие нибудь аналоги. 2 года. Slavik напиши в гугле "Аналог p55nf06" и смотри аналоги, но меняй их тогда все сразу. 2 года. alliance

PDF, djvu, doc, EPUB

s9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с  параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H

FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

 

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках  и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Замена транзистора дарлингтона полевыми транзисторами

Автор На чтение 21 мин. Просмотров 1 Опубликовано

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.Магазины электронных компонентов.

«Квантовые материалы комнатной температуры»

Кроме того, МЭСО может использоваться одновременно и для обработки, и для хранения данных — в каждый элемент можно записать по крайней мере 1 бит информации. Дело в том, что МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3). Этот материал был впервые создан в 2001 г. Рамаморти Рамешем (Ramamoorthy Ramesh), профессором математики и инженерии Калифорнийского университета в Беркли и главным автором статьи в Nature.

Мультиферроик имеет два состояния — магнитное и ферроэлектрическое — которые связаны друг с другом. Меняя электрическое поле, можно изменить магнитное состояние. Таким образом, в качестве 0 и 1 здесь выступает восходящее и нисходящее направление намагниченности, которая меняется за счет манипуляций с полем.

Главным прорывом в создании МЭСО стало появление топологических материалов со спин-орбитальным эффектом, который позволяет эффективно считывать состояние мультиферроика. В МЭСО электрическое поле изменяет дипольное электрическое поле по всему материалу, что в свою очередь изменяет электронные спины, которые генерируют магнитное поле. Эта способность исходит из спин-орбитальной связи, квантового эффекта в материалах, который вырабатывает ток, определяемый направлением вращения электрона.

«МЭСО — это элемент, сделанный из квантовых материалов комнатной температуры», — поясняет Сасикант Манипатруни (Sasikanth Manipatruni), старший научный сотрудник и директор Научно-технологического центра Intel по интеграции и производству функциональной электроники.

  • Короткая ссылка
  • Распечатать

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20. У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в. У транзисторовКТ817Б — 45в. У транзистора КТ817В — 60в. У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора. — 3А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Подбор MOSFET или аналога (замены)

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

ТипCodePolStructPdUdsUgsUgs(th)IdTjQgTrCdRdsCaps
2SK3562K3562NMOSFET40600304615028201101.25TO220SIS
2SK3567K3567NMOSFET356003043.51501612602.2TO220SIS
2SK3569K3569NMOSFET456003041015042221800.75TO220SIS
2SK3667NMOSFET45600307.515033201201TO220SIS
2SK3797NMOSFET50600301315062602700.43TO220SIS
2SK3799K3799NMOSFET50900304815060251901.3TO220SIS
2SK3947NMOSFET4060030615028201101.4TO220SIS
2SK4013K4013NMOSFET45800304615045251301.7TO220SIS
2SK4014K4014NMOSFET45900304615045251302TO220SIS
2SK4015NMOSFET45600301015042221800.86TO220SIS
2SK4016NMOSFET506003041315062602700.5TO220SIS
TK10A60DK10A60DNMOSFET456003041015025221350.75TO220SIS
TK10A80ENMOSFET508003041015046401501TO220SIS
TK11A60DK11A60DNMOSFET456003041115028251650.65TO220SIS
TK11A65DK11A65DNMOSFET456503041115030301570.7TO220SIS
TK11A65WNMOSFET35650303.511.11502523230.39TO220SIS
TK12A60DK12A60DNMOSFET456003041215038401900.55TO220SIS
TK12A60WNMOSFET35600303.711.51502523230.3TO220SIS
TK12A65DK12A65DNMOSFET506503041215040352000.54TO220SIS
TK13A60DK13A60DNMOSFET506003041315040502500.43TO220SIS
TK13A65DK13A65DNMOSFET506503041315045502800.47TO220SIS
TK14A65WNMOSFET40650303.513.71503520350.25TO220SIS
TK15A60DK15A60DNMOSFET506003041515045502800.37TO220SIS
TK16A60WNMOSFET40600303.715.81503825350.19TO220SIS
TK18A60VK18A60VNMOSFET45600303.5181503940400.19TO220SIS
TK20A60TK20A60TNMOSFET456003020150304038000.19TO220SIS
TK20A60WNMOSFET45600303.7201504825400.155TO220SIS
TK25A60XNMOSFET45600303.5251504015600.125TO220SIS
TK28A65WNMOSFET45650303.527.61507525700.11TO220SIS
TK31A60WNMOSFET45600303.730.81508632700.088TO220SIS
TK35A65WNMOSFET50650303.53515010030900.08TO220SIS
TK39A60WNMOSFET50600303.738.815011050900.065TO220SIS
TK4A60DK4A60DNMOSFET35600304.441501218701.7TO220SIS
TK4A60DAK4A60DANMOSFET35600304.43.51501118552.2TO220SIS
TK4A60DBK4A60DBNMOSFET35600304.43.71501118602TO220SIS
TK4A65DAK4A65DANMOSFET35650304.43.51501218701.9TO220SIS
TK5A60DK5A60DNMOSFET35600304.451501620801.43TO220SIS
TK5A65DK5A65DNMOSFET40650304515016201001.43TO220SIS
TK5A65DAK5A65DANMOSFET35650304.44.51501620701.67TO220SIS
TK6A60DK6A60DNMOSFET40600304615016201001.25TO220SIS
TK6A65DK6A65DNMOSFET45650304615020251001.11TO220SIS
TK6A80ENMOSFET45800304615032201101.7TO220SIS
TK7A65DK7A65DNMOSFET45650304715024251200.98TO220SIS
TK7A90ENMOSFET45900304715032201102TO220SIS
TK8A60DAK8A60DANMOSFET456003047.515020251001TO220SIS
TK8A65DK8A65DNMOSFET45650304815025221350.84TO220SIS
TK9A60DK9A60DNMOSFET45600304915024251200.83TO220SIS
TK9A90ENMOSFET50900304915046401501.3TO220SIS

Всего результатов: 48

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные

Главное, что важно знать о них:

  • первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
  • после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
  • затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
  • ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера

Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Чем заменить советские радиодетали

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт

И этот аналог пойдет для замены полностью

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

КАК ПОДОБРАТЬ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ

Для простых каскадных усилителей очень важно подобрать транзисторы с максимальным коэффициентом усиления (КУ). Известно, что характеристики транзисторов легко узнать в мануале, но даже там вы увидите огромный разброс параметров усилительных свойств транзисторов одно марки и серии.Иногда так и получается — установив указанные в нарисованной схеме детали , на практике при включении ничего должным образом не работает.Разброс параметров транзисторов настолько большой, что ПРОВЕРКА перед пайкой крайне необходима

Известно, что характеристики транзисторов легко узнать в мануале, но даже там вы увидите огромный разброс параметров усилительных свойств транзисторов одно марки и серии.Иногда так и получается — установив указанные в нарисованной схеме детали , на практике при включении ничего должным образом не работает.Разброс параметров транзисторов настолько большой, что ПРОВЕРКА перед пайкой крайне необходима.

Говоря о Коэффициенте Усиления надо оговориться , что у простого Биполярного транзистора их несколько — и по току и по напряжению и даже комплексный по мощности зависимый от ряда параметров схемы применения.

В частном случае Коэффициент усиления транзистора (по току, мощности или напряжению) – отношение изменения соответствующего показателя в цепи коллектора и в цепи базы.️ Коэффициент усиления транзистора по току Для схем с общей базой этот коэффициент обозначается буквой α (hfБ или h31Б), с общим эмиттером буквой β (hfЭ или h31Э).️ Коэффициент усиления по току (или, как еще указывается в литературе, коэффициент передачи тока) в первом случае (α) есть отношение силы тока в коллекторе (Iк) к силе тока эмиттера (Iэ) при неизменном напряжении в части коллектор-база: α = IК / IЭ, при UК-Б = const

Коэффициент усиления триода по мощности Это величина отношения выходной мощности (P2) к мощности, подаваемой на вход триода (P1): КР = Р2 / Р1Коэффициент усиления транзистора по мощности можно также определить произведением коэффициента усиления по току (КI) и коэффициента усиления по напряжению (KU): КР = КI * KU

Для расчета этих параметров достаточно собрать простенькую схему и провести измерения величин тока в цепях базы и коллектора.

На кухонном столе такая установка выглядит вот так.

С помощью простого расчеты мы легко сможем определить самый подходящий для нашего усилителя транзистор из имеющихся в наличии.

Удивил меня факт того, что транзистор регулярно используемый в усилителях КТ803А оказался далеко не лидером по КУ среди транзисторов изъятых из блоков питания и лампочек экономок.Его КУ равный 10 никак не соперничает с КУ транзистора 13003 равным 20.

А вот германиевые транзисторы П210А меня порадовали Коэффициентом усиления переваливающим за 200.

✅ КАК ПОДОБРАТЬ ТРАНЗИСТОР ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ ✔️ Что есть КУ ?

Источник

Особенности элемента

Преимуществом МЭСО является то, что напряжение, необходимое для его переключения, в пять раз ниже напряжения при переключении КМОП. Проведенные эксперименты показали, что для переключения достаточно 500 мВ, но ученые подсчитали, что это значение можно довести до 100 мВ.

В результате процессоры на МЭСО будут потреблять в 10-30 раз меньше энергии по сравнению с чипами на транзисторах, плюс будут сверхэкономными в спящем режиме. В перспективе можно говорить о повышении энергоэффективности в 10-100 раз по сравнению с тем, чего в будущем можно добиться от КМОП.

МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3)

Ученые сообщают, что МЭСО может вместить в пять раз больше логических операций на том же пространстве по сравнению с КМОП.

П О П У Л Я Р Н О Е:

Графический редактор — Tux Paint — простая бесплатная программа для рисования. Программа предназначена для детей и имеет простую понятную панель инструментов, веселое озвучивание команд, рисованный пингвин-помощник, который поможет детям своими подсказками 🙂

Хоть и Tux Paint простая программка, но в ней есть множество различных инструментов для рисования: набор разных кистей и штампов для рисования, формы и линии, заливка и размытие, волны и вздутие, рельсы и цветочки, зеркало и многое другое.

Прибор для проверки коэффициента усиления мощных и маломощных транзисторов своими руками

Хотя сейчас много в продаже различных приборов и мультиметров, измеряющих коэффициент усиления транзисторов, но любителям что-нибудь мастерить и паять можно порекомендовать несколько несложных схем и доработку.

Данный прибор для проверки транзисторов позволяет точно замерять ряд следующих параметров…

Цена: $5.37 за 10 комплектов

Перейти в магазин

Здравствуйте. Обзор модуля для регулировки электрической мощности с примерами применения. Купил я этот набор для изменения на мощности паяльнике. Раньше я делал подобное устройство, но для паяльника тот диммер чересчур большой, как по размерам, так и по мощности и приходится располагать его в отдельной коробке. И вот на глаза попался сабж, который можно встроить в сетевую вилку, не любую правда, но найти можно.

Размер печатной платы: 2*3.3 см Номинальная мощность: p = UI; 100 Вт = 220 В * 0.45а Модель: 100 Вт модуль диммера; Номинальная мощность: 100 Вт;

Печатная плата x1 шт Потенциометр с выключателем Wh249-500k x1 Потенциометра рукоятка x1 Динистор DB3 x1 Сопротивление 2 К, 0.25 Вт x1 Симистор MAC97A6 x1 Конденсатор 0,1 мкФ 630 В CBB x1

Размеры платы 30х20мм. В глубину от выступающих контактов регулятора до резьбы 17 мм. Посадочное отверстие 9,2 мм. Диаметр резьбы 6,8 мм.

Заказал лот из десяти наборов. Каждый набор помещен в полиэтиленовый пакет.

Деталей немного. Переменный резистор со встроенным выключателем. Принципиальная схема вроде этой, только номиналы другие. Модуль можно спаять за несколько минут. Провода слишком толстые и не дают переменнику полностью встать на свое место. Поэтому припаивать их надо в последнюю очередь, если они нужны, конечно.

Теперь нужно подобрать вилку. Ничего лучшего, чем корпус от зарядки нокия я не нашел. Корпус скреплен винтами, правда с хитрым шлицем, но можно открутить обычной плоской отверткой. Вытаскиваю внутренности, делаю отверстие в крышке. Все, прибор готов. Ручка регулятора имеет такую же фактуру и цвет как и корпус и не создает впечатление инородного тела.

Осталось подсоединить нагрузку — паяльник.

Лужу пружинные контакты от зарядки с помощью кислоты.

И соединяю провод паяльника с диммером и контактами.

И все это помещаю внутрь корпуса зарядки. Провод в корпусе дополнительно фиксировать не стал, влез довольно плотно. Теперь осталось отрегулировать температуру. Хоть паяльник и на 25 ватт, но раскочегаривается до 350 градусов.

Вращением регулятора добиваюсь, чтобы на жале было 270 С и переставляю ручку регулятора указателем на винт, чтобы проще было потом ориентироваться. В это время паяльник потребляет 16,5 ватт.

Видео, демонстрирующее регулировку мощности.

DSCN4510

Ради эксперимента поставил сабж в вентилятор.

Но здесь регулировку оборотов безболезненно можно делать лишь в небольших пределах. При достаточном снижении оборотов — обмотки двигателя начинают гудеть, перегреваться и рано или поздно, скорее рано, при такой эксплуатации двигатель может сгореть Ну и универсальный регулятор, к которому можно подключить и паяльник, и лампу и вентилятор. Корпус взял от от блока питания от дект телефона. Блок питания самый простой — только понижающий трансформатор, на выходе переменный ток. Поэтому разобрал его без сожаления. Корпус расколол на 2 части по шву легкими постукиванием молотка по ножу. Приятный сюрприз- вилка вывинчивается, что облегчает процесс самоделания. Конечно, необходимо немного попилить. Необходимые детали уложились в корпус довольно компактно. Соединяю вилку и розетку проводами. Все это помещаю в корпус, где уже установлен диммер. Провода на фото припаяны неправильно, по невнимательности. Ток при такой распайке идет напрямую через конденсатор и диммер естественно не работает. А я то подумал — брак положили. Перепаял провода, как положено, на контакты подписанные «220V».

Готовое изделие. Применяю диммер по прямому назначению — лампу накаливания можно душевно затемнить. Во время эксплуатации, какого то чрезмерного нагрева прибора не обнаружил, но использовал я сабж на мощность ниже номинальной.

На этом все

Спасибо за внимание

Результаты подбора MOSFET (поиска аналога)

ТипCodePolStructPdUdsUgsUgs(th)IdTjQgTrCdRdsCaps
2SK3562K3562NMOSFET40600304615028201101.25TO220SIS
2SK3567K3567NMOSFET356003043.51501612602.2TO220SIS
2SK3569K3569NMOSFET456003041015042221800.75TO220SIS
2SK3667NMOSFET45600307.515033201201TO220SIS
2SK3797NMOSFET50600301315062602700.43TO220SIS
2SK3799K3799NMOSFET50900304815060251901.3TO220SIS
2SK3947NMOSFET4060030615028201101.4TO220SIS
2SK4013K4013NMOSFET45800304615045251301.7TO220SIS
2SK4014K4014NMOSFET45900304615045251302TO220SIS
2SK4015NMOSFET45600301015042221800.86TO220SIS
2SK4016NMOSFET506003041315062602700.5TO220SIS
TK10A60DK10A60DNMOSFET456003041015025221350.75TO220SIS
TK10A80ENMOSFET508003041015046401501TO220SIS
TK11A60DK11A60DNMOSFET456003041115028251650.65TO220SIS
TK11A65DK11A65DNMOSFET456503041115030301570.7TO220SIS
TK11A65WNMOSFET35650303.511.11502523230.39TO220SIS
TK12A60DK12A60DNMOSFET456003041215038401900.55TO220SIS
TK12A60WNMOSFET35600303.711.51502523230.3TO220SIS
TK12A65DK12A65DNMOSFET506503041215040352000.54TO220SIS
TK13A60DK13A60DNMOSFET506003041315040502500.43TO220SIS
TK13A65DK13A65DNMOSFET506503041315045502800.47TO220SIS
TK14A65WNMOSFET40650303.513.71503520350.25TO220SIS
TK15A60DK15A60DNMOSFET506003041515045502800.37TO220SIS
TK16A60WNMOSFET40600303.715.81503825350.19TO220SIS
TK18A60VK18A60VNMOSFET45600303.5181503940400.19TO220SIS
TK20A60TK20A60TNMOSFET456003020150304038000.19TO220SIS
TK20A60WNMOSFET45600303.7201504825400.155TO220SIS
TK25A60XNMOSFET45600303.5251504015600.125TO220SIS
TK28A65WNMOSFET45650303.527.61507525700.11TO220SIS
TK31A60WNMOSFET45600303.730.81508632700.088TO220SIS
TK35A65WNMOSFET50650303.53515010030900.08TO220SIS
TK39A60WNMOSFET50600303.738.815011050900.065TO220SIS
TK4A60DK4A60DNMOSFET35600304.441501218701.7TO220SIS
TK4A60DAK4A60DANMOSFET35600304.43.51501118552.2TO220SIS
TK4A60DBK4A60DBNMOSFET35600304.43.71501118602TO220SIS
TK4A65DAK4A65DANMOSFET35650304.43.51501218701.9TO220SIS
TK5A60DK5A60DNMOSFET35600304.451501620801.43TO220SIS
TK5A65DK5A65DNMOSFET40650304515016201001.43TO220SIS
TK5A65DAK5A65DANMOSFET35650304.44.51501620701.67TO220SIS
TK6A60DK6A60DNMOSFET40600304615016201001.25TO220SIS
TK6A65DK6A65DNMOSFET45650304615020251001.11TO220SIS
TK6A80ENMOSFET45800304615032201101.7TO220SIS
TK7A65DK7A65DNMOSFET45650304715024251200.98TO220SIS
TK7A90ENMOSFET45900304715032201102TO220SIS
TK8A60DAK8A60DANMOSFET456003047.515020251001TO220SIS
TK8A65DK8A65DNMOSFET45650304815025221350.84TO220SIS
TK9A60DK9A60DNMOSFET45600304915024251200.83TO220SIS
TK9A90ENMOSFET50900304915046401501.3TO220SIS

Всего результатов: 48

Новый элемент

Исследователи из компании Intel, Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли разработали магнитоэлектрический спин-орбитальный (МЭСО) логический элемент, который должен прийти на смену комплементарным структурам металл-оксид-полупроводников (КМОП), то есть обычным транзисторам. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature, о них также сообщила Intel на своем сайте.

Intel считает, что применение МЭСО сможет вывести электронику из тупика, в которой она зайдет, когда миниатюризировать дальше современные транзисторы станет невозможно.

«Мы ищем революционные, а не эволюционные подходы к вычислениям в эпоху пост-КМОП. МЭСО построен вокруг низковольтных соединений и низковольтных магнитоэлектриков. Он объединяет инновации в области квантовых материалов и вычислений», — комментирует открытие Ян Янг (Ian Young), старший научный сотрудник Intel и директор группы исследования интегральных микросхем в группе технологий и производства.

Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.

В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех
цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения).
Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор:
А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора:
С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор;
L-мощный высокочастотный прибор.
Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки.
Например: транзистор AF115 — общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный.
Транзистор BD135 — общего назначения, большой мощности, низкочастотный.

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные

Главное, что важно знать о них:

  • первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
  • после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
  • затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
  • ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера

Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы. К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт

И этот аналог пойдет для замены полностью

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

Введение в 50N06 - Инженерные проекты

Здравствуйте, друзья! Я надеюсь, что у вас все будет в порядке и весело. Сегодня я собираюсь подробно рассказать вам о Introduction to 50N06. 50-N-06 - это устройство с тремя выводами, которые называются затвор, сток и исток соответственно. Он изготовлен из кремния и может выдерживать ток до 50 А. Я уже поделился базовыми знаниями о различных электронных устройствах в своих предыдущих статьях, таких как Введение в MC34063, MMBD914, MSP430, NE555, NE556 и LM2902.Прежде чем вдаваться в подробности этой статьи, вы должны изучить мои предыдущие уроки для лучшего понимания.

50-N-06 обеспечивает высокую скорость переключения. 50N06 - это N-канальный силовой металлооксидный полевой транзистор (MOSFET), специально разработанный для работы с определенными уровнями мощности. Он использует технологию DMOS, которая представляет собой полупроводник на основе оксида металла с двойной диффузией. 50-Н-06 имеет множество особенностей. Его наиболее распространенные особенности включают быстрое переключение, низкий CRSS, очень низкий заряд затвора, улучшенные характеристики dv / dt, полную указанную энергию лавин и многое другое.В более поздней части этой статьи я специально сосредоточусь на базовых знаниях об использовании этого устройства, включая информацию о его контактах, фактическое изображение, схему распиновки, рейтинги, функции, приложения и т. Д. Основной целью разработки этого устройства является быстрое переключение приложений, которые это наиболее важные и распространенные приложения по всему миру. Более подробная информация об основах 50-N-06 будет дана позже в этом разделе.

Введение в 50N06

50N06 - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор.Power MOSFET - это устройство, предназначенное для работы с определенным уровнем мощности. Он состоит из кремния, обладающего способностью проводить до определенного уровня, как указано выше. Он имеет три вывода: затвор, исток и сток, подробности о них будут приведены позже. 50-N-06 основан на технологии DMOS. Он имеет различные функции, включая низкий заряд затвора, быстрое переключение, заданную энергию лавин и многое другое. 50-N-06 приведено на рисунке ниже.

1. 50N06 Контакты
  • Всего три контакта, каждому назначена отдельная задача для выполнения отдельно или одновременно.
  • Все его контакты перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

2. 50N06 Символы контактов
  • Для простоты каждому контакту присвоен символ, который является первой буквой его имени.
  • Обозначения, присвоенные каждому из трех контактов, приведены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

3. 50N06 Символьная форма
  • Символьное представление устройства показывает внутреннюю схему посредством простого символа.
  • Символическая форма
  • 50-N-06 приведена на рисунке ниже.

4. Распиновка 50N06
  • Самое важное, что нужно знать об электронном устройстве, - это конфигурация контактов.
  • Мы не сможем правильно использовать какое-либо устройство, пока не узнаем о его правильной конфигурации контактов.
  • Конфигурацию контактов
  • можно понять по распиновке конкретного устройства.
  • Я уже публиковал схемы распиновки других ИС в своих предыдущих уроках. E.грамм. Введение в PC817, PIC12C508, TL072, TL081, TL431 и TL494, вы должны прочитать эти статьи.
  • Распиновка
  • 50-N-06 приведена на рисунке ниже.

  • Как видно на рисунке выше, я предоставил анимацию 50-N-06, его реальное изображение, а также его символическую форму.
  • Все это будет весьма полезно для понимания конфигурации его контактов.
5. 50N06 Рейтинги
  • Для включения любого электронного устройства требуется внешний источник питания.
  • Обязательно знать требования к питанию конкретного устройства для конкретной цели.
  • Мы можем оценить требования к питанию любого устройства, ознакомившись с его номинальными характеристиками.
  • Номинальные характеристики
  • 50-N-06 приведены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

6. 50N06 Features
  • Характеристики устройства играют жизненно важную роль в популяризации этого устройства среди конкурентов.
  • Если продукт обладает уникальными и удивительными характеристиками, он может стать одним из лучших продуктов на сегодняшнем рынке.
  • Характеристики
  • 50-N-06 представлены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

7. 50N06 Applications
  • Есть много реальных приложений, связанных с 50-N-06,
  • Быстрое переключение - наиболее распространенные приложения.
  • Кроме того, другие приложения перечислены в таблице, показанной на рисунке ниже.

В статье Introduction to 50N06, я предоставил полное и подробное обсуждение основных приложений 50-N-06, его конфигурации контактов, функций, приложений и т. Д.Надеюсь, вам понравился урок. Если вы обнаружили, что в этом руководстве чего-то не хватает, сообщите мне как можно скорее, чтобы я мог немедленно обновить его, чтобы избежать каких-либо неудобств в будущем. Если у вас возникнут проблемы / вопросы, вы можете задать их нам в комментариях. Наша команда всегда готова помочь вам. Я поделюсь другой интересной и информативной темой в своих последующих уроках. А пока береги себя и пока 🙂

Автор: Сайед Заин Насир
https://www.theengineeringprojects.com/

Я Сайед Зайн Насир, основатель Инженерные проекты (TEP). Я программист с 2009 года, до этого я просто занимаюсь поиском, делаю небольшие проекты, а теперь я делюсь своими знаниями через эту платформу. Я также работаю фрилансером и выполнял множество проектов, связанных с программированием и электрическими схемами. Мой профиль Google +

mosfet% 2050n06 техническое описание и примечания по применению

D 434 MOSFET - описание производителя
.

Аннотация: T0220AB T0-220AB MOSFET 345 MOSFET 100A MOSFET 200B MOSFET N BUK854-500IS MOSFET 606
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF БУК100-50ДЛ BUK100-50GL БУК100-50ГС BUK101-50DL BUK101-50GL БУК101-50ГС BUK102-50DL BUK102-50GL БУК102-50ГС БУК104-50Л D 434 MOSFET - описание производителя T0220AB T0-220AB MOSFET 345 mosfet 100A MOSFET - описание производителя 200B МОП-транзистор N БУК854-500ИС МОП-транзистор 606
2006 - an799

Аннотация: MOSFET 500V 15A mosfet 55 nf 06 an799 микрочип "MOSFET" 400V MOSFET 6A tc1426 TC4431 application 348 mosfet TC426
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF AN799 500В14АН an799 МОП-транзистор 500 В, 15 А MOSFET 55 NF 06 an799 микрочип "МОП-транзистор" 400В МОП-транзистор 6A tc1426 Приложение TC4431 348 MOSFET - описание производителя TC426
Т0-220АБ

Аннотация: TOPFETs Полевые транзисторы BUK417-500B BUK617-500BE BUK454-600 mosfet BUK551-100A 100a mosfet buk456 Руководство по ИГБЦ
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF T0220AB OT186 OT186 БУК856-400ИЗ T0-220AB TOPFET полевые транзисторы БУК417-500Б BUK617-500BE BUK454-600 mosfet БУК551-100А 100A MOSFET - описание производителя бук456 Путеводитель игбц
Т0-220АБ

Аннотация: PHILIPS MOSFET igbt mosfet switch BUK866 4001z
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF БУК100-50ДЛ BUK100-50GL БУК100-50ГС BUK101-50DL BUK101-50GL БУК101-50ГС BUK102-50DL BUK102-50GL БУК102-50ГС БУК104-50Л T0-220AB ФИЛИПС МОП-транзистор igbt переключатель mosfet BUK866 4001z
МОП-транзистор

Аннотация: Драйвер zvs коммутатора AN9506 ISL6572 SEM600 ISL6752 Lloyd H.Каталог Dixon MOSFET Переключающий дроссель MOSFET ISL6753
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ISL6752ISL6753 AN1262 ISL6752 ISL6753 AN1002 AN1246 ISL6752ISL6753ZVS AN1002AN1246 МОП-транзистор AN9506 ISL6572 переключатель zvs драйвер SEM600 ISL6752 Ллойд Х. Диксон каталог MOSFET индуктор переключения mosfet ISL6753
SSF7509

Аннотация: МС33035 K1 MOSFET SIL-PAD400 MOSFET 400A 1335W 400A MOSFET TO220 RthJA MOSFET B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SSF7509 15 кГц MC33035 SSF7509 MC33035 K1 MOSFET - описание производителя SIL-PAD400 mosfet 400a 1335 Вт 400A МОП-транзистор MOSFet TO220 RthJA МОП-транзистор B
Схема выводов
полевого МОП-транзистора

Аннотация: LM3641 MOSFET 2KV MOSFET + on + 09ng
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LM3641 Схема выводов полевого МОП-транзистора LM3641 МОП-транзистор 2 кВ MOSFET + на + 09нг
МОП-транзистор мощностью 200 кГц

Аннотация: транзистор c 558 mosfet 4b npn транзистор dc 558 транзистор dc 558 npn 12v 10A драйвер постоянного тока управление двигателем mosfet драйвер mosfet с npn-транзистором ic 558 mosfet 300v 10a импульсный трансформатор привод pwm ic
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF Ан-558 AN010063-01-JP 112 нс 200 нс МОП-транзистор мощностью 200 кГц транзистор c 558 MOSFET 4B npn транзистор dc 558 транзистор dc 558 npn 12v 10A dc драйвер управления двигателем mosfet драйвер mosfet с npn-транзистором ic 558 mosfet 300v 10a импульсный трансформатор привода pwm ic
2007 - LM25116

Аннотация: Si7850DP TSSOP-20-EP MOSFET принципиальная схема IC MOSFET QG 6 PIN mosfet
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LM25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП ds300075 DS300156-01-JP LM25116 Si7850DP ЦСОП-20-ЭП принципиальная схема усилителя mosfet IC MOSFET QG 6 PIN mosfet
1970 - МОП-транзистор-48В

Аннотация: схема emmc powr607 mosfet-n 4700uF eMMC DC-DC 5V-3,3V ISPPAC-POWR607 mosfet ISPPAC-POWR1014
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF HS-12V МОП-транзистор 8сек 32сек 12VNMOSFET 12 В 12 В стр-126- 32сек2сек ispPAC-POWR1220AT8 AldecActive-HDLHDL9-10 МОП-транзистор-48В схема emmc powr607 MOSFET-N 4700 мкФ eMMC DC-DC 5В-3,3В ISPPAC-POWR607 mosfet ISPPAC-POWR1014
837 MOSFET - описание производителя
.

Аннотация: МОП-транзистор T0-220AB 912 BUK108-50DL МОП-транзистор PHILIPS igbt MOSFET 1053 MOSFET руководство 200b 200a mosfet
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF БУК100-50ДЛ BUK100-50GL БУК100-50ГС BUK101-50DL BUK101-50GL БУК101-50ГС BUK102-50DL BUK102-50GL БУК102-50ГС БУК104-50Л 837 MOSFET - описание производителя T0-220AB 912 МОП-транзистор BUK108-50DL ФИЛИПС МОП-транзистор igbt МОП-транзистор 1053 mosfet руководство по mosfet 200b 200a MOSFET - описание производителя
2007 - IC MOSFET QG 6 PIN

Аннотация: mosfet amp ic 200kz power mosfet 100 amp mosfet mosfet 12V 4A ZF 24060 14v 10A mosfet MTC14 FDS6898A IC MOSFET QG
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LM2747 ds201509 50 кГц 250 кГц 50 кГц 1 МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 IC MOSFET QG 6 PIN mosfet amp ic МОП-транзистор мощностью 200 кГц MOSFET 100 ампер МОП-12В 4А ZF 24060 14V 10A MOSFET - описание производителя MTC14 FDS6898A IC MOSFET QG
1995–10063

Аннотация: siemens MOSFET 14 mosfet 10063 AN-558 IRF330 IRF450 siemens mosfet TI mosfet RRD-B30M115 10063
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF TL / G / 10063 Ан-558 TL / G / 10063 RRD-B30M115 / Печатный CSP-9-111C2 10063 siemens MOSFET 14 MOSFET 10063 Ан-558 IRF330 IRF450 Siemens MOSFET - описание производителя TI MOSFET - описание производителя RRD-B30M115 10063
2001 - выпрямитель международный SMD

Аннотация: IRHNJ597230SCS 30CLJQ100SCS IRHNJ597034SCS IRHG6110SCS IRHNJ57234SESCS 35CLQ045SCS IRFE130SCX IRHNJ597130SCS IRHNA57064SCS
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4047A IRHNJ597130 IRHNJ593130 O-254AA 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS международный выпрямитель SMD IRHNJ597230SCS 30CLJQ100SCS IRHNJ597034SCS IRHG6110SCS IRHNJ57234SESCS 35CLQ045SCS IRFE130SCX IRHNJ597130SCS IRHNA57064SCS
2007 - 14 В, 10 А MOSFET

Аннотация: mosfet amp ic IC MOSFET QG 6 PIN 300 Amp mosfet mosfet 12V 4A LM78L05 rcs 72 MTC14 FDS6898A 100 amp mosfet
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LM2747 ds201509 50 кГц 250 кГц 50 кГц 1 МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 14V 10A MOSFET - описание производителя mosfet amp ic IC MOSFET QG 6 PIN 300 ампер MOSFET МОП-12В 4А LM78L05 rcs 72 MTC14 FDS6898A MOSFET 100 ампер
2001 - IRHNA57064SCS

Аннотация: IRHNJ9130SCS IRHNJ597230SCS IRHG6110SCS IRHY7434 IRHE57130SCS IRHNJ57034SCS 8CLJQ045SCV IRHQ57113SE 35CLQ045SCS
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 94046B IRHNJ597230 IRHNJ593230 O-254AA 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS IRHNA57064SCS IRHNJ9130SCS IRHNJ597230SCS IRHG6110SCS IRHY7434 IRHE57130SCS IRHNJ57034SCS 8CLJQ045SCV IRHQ57113SE 35CLQ045SCS
2005-5 мм ldr

Аннотация: ИС драйвера МОП-транзистора LDR 5 мм 300 кГц ldr 10k LM2655MTC-ADJ LM2653 Сопротивление LDR a10sd TSSOP-16 593D
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LM2655 ЦСОП-16 300 кГц DS101284-04-JP LM2655 nat2000 5 мм ldr LDR 5 мм ИС драйвера MOSFET 300 кГц ldr 10k LM2655MTC-ADJ LM2653 Сопротивление LDR a10sd ЦСОП-16 593D
Силовой полевой МОП-транзистор

Аннотация: переключатель mosfet диод Шоттки 40V 2A диод Шоттки 30v MOSFET
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF Si4642DY SiE726DF 1-1500 мкФ 47-680 мкФ Силовой МОП-транзистор переключатель mosfet Диод Шоттки 40V 2A диод шоттки 30 в МОП-транзистор
2010 - схема MOSFET

Аннотация: IC MOSFET QG IC MOSFET CFT top 256 en схема Модулятор LM25116 RDS Si7850DP MOSFET 2KV
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LM25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП DS300156-03-JP MXA20A Принципиальная схема amp mosfet IC MOSFET QG IC MOSFET CFT top 256 en схема LM25116 Модулятор RDS Si7850DP МОП-транзистор 2 кВ
2005 - SLUP169

Аннотация: slup206 peter markowski SLUP206 Руководство по проектированию и применению высокоскоростного полевого МОП-транзистора SEM 2005 СПИСОК ДРАЙВЕРОВ МОП-транзистора Билл Андрейчак mosfet vgs 5v синхронный выпрямитель mosfet SLUA105
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SLUA341 SLUP169 slup206 питер марковский SLUP206 Руководство по проектированию и применению высокоскоростного полевого МОП-транзистора IC SEM 2005 СПИСОК ДРАЙВЕРОВ MOSFET Билл Андрейчак mosfet vgs 5v синхронный выпрямитель MOSFET SLUA105
2007 - AC24V

Аннотация: DC24V LM3102
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LM3102 eTSSOP-20 DC5VDC12VDC24VAC12VAC24V DS300213-03-JP LM3102 AC24V DC24V
5a6 стабилитрон

Аннотация: стабилитрон с двойным МОП-транзистором.2в 1вт 10в стабилитрон 5A6 smd sot23 DG9415
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF Si4418DY 130мОм @ Si4420BDY Si6928DQ 35мОм @ Si6954ADQ 53мОм @ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24мОм @ Стабилитрон 5a6 двойной МОП-транзистор диод стабилитрон 6.2в 1вт ЗЕНЕР ДИОД 10В 5А6 смд сот23 DG9415
2007 - MOSFET ВЧ усилитель

Аннотация: Схема усилителя MOSFET IC MOSFET QG LM25116 Si7850DP 13MOSFET 5256A
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LM25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП ds300075 DS300156-01-JP MOSFET HF усилитель Принципиальная схема amp mosfet IC MOSFET QG LM25116 Si7850DP 13 МОП-транзистор 5256A
2006 - S 170 МОП-транзистор

Аннотация: 8203 двойной МОП-транзистор S 170 МОП-транзистор SOT323 МОП-транзистор ЧАСТОТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ МОП-транзистора P-канал питания МОП-транзистор SO-8 IPS09N03LA TDA21102 МОП-транзистор все эквивалентные МОП-транзисторы книга
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF B152-H8203-G4-X-7600 S 170 МОП-ТРАНЗИСТОР 8203 двойной МОП-транзистор S 170 МОП-транзистор SOT323 МОП-транзистор P ЧАСТОТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ МОП-транзистора P-канальный МОП-транзистор СО-8 IPS09N03LA TDA21102 mosfet все эквивалентные MOSFET книги
2008 - АН1114

Реферат: smd транзистор 2т1 AN1114A smps * ZVT DELTA 2000 smps 90VAC-230VAC термистор ptc 10d AN-1114 микрочип 1414 DS01114A
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF AN1114 DS01114A AN1114 smd транзистор 2т1 AN1114A smps * ZVT DELTA 2000 smps 90–230 В переменного тока термистор ptc 10d Ан-1114 микрочип 1414

Сайты поиска данных для полупроводников

Что такое лист данных?

Техническое описание представляет собой своего рода руководство для полупроводников, интегральных схем .Таблица - это документ, печатный или электронный, который предоставляет подробную информацию о продукте, таком как компьютер, компьютерный компонент или программное обеспечение. Таблица включает информацию, которая может помочь в принятии решения о покупке продукта, предоставляя технические характеристики продукта.

Содержимое файла обычно содержит подробную информацию, пакеты, коды заказа и максимальные номинальные напряжения.

Раньше он распространялся как книга, называемая книгой данных, но теперь она доступна в виде файла PDF.Обычно он предоставляется в виде файла PDF. Как правило, таблицы данных часто имеют несколько дистрибутивов, поэтому полезно проверять последние версии таблиц.

Тем не менее, я рекомендую вам сверяться с таблицей данных за тот период времени, когда вам известен год производства принадлежащих вам деталей.

Ссылки сайтов

1. Сайт с техническими данными, предоставленный магазином полупроводников

  • https://www.arrow.com/
  • https://www.digikey.com/
  • https://www.mouser.com/
  • http: // www.element14.com/
  • https://www.verical.com/
  • http://www.chip1stop.com/
  • https://www.avnet.com/
  • http://www.newark.com/
  • http://www.futureelectronics.com/
  • https://www.ttiinc.com/

2. Семейство сайтов поиска по техническим данным

  • http://www.datasheet39.com/
  • http://www.datasheet4u.com/
  • http://www.datasheetcatalog.com/
  • http: //www.alldatasheet.com /
  • http://www.icpdf.com/
  • http://www.htmldatasheet.com/
  • http://www.datasheets360.com/
  • https://octopart.com/

Octopart - это поисковый двигатель для электронных и промышленных деталей. Найдите данные по запчастям , проверьте наличие и сравните цены у сотен дистрибьюторов и тысяч производителей.

3. Другие семейства веб-сайтов, связанные с таблицами

  • https: // en.wikipedia.org/wiki/Datasheet
  • http://www.smdcode.com/en/
  • http://www.s-manuals.com/smd
  • http://www.qsl.net/yo5ofh/data_sheets/data_sheets_page.htm

4. Как читать техническое описание

Статьи по теме в Интернете

High Current MOSFET IRFP2907 Datasheet

В сообщении описываются основные характеристики сильноточного N-канального MOSFET IRFP2907, который рассчитан на обработку до 209 ампер непрерывного тока при достаточно большом напряжении 75 вольт.

Сильноточные характеристики

С появлением МОП-транзисторов переключение большой мощности с помощью компактных корпусов стало особенно возможным.

Возьмем, к примеру, предлагаемый сильноточный МОП-транзистор IRFP2907 (не имеет отношения к 2N2907), который можно использовать для запуска токов, превышающих 200 ампер, и подходит исключительно для генераторов ветряных турбин. заявка

Хотя это устройство разработано специально для автомобильных приложений, экстремальный диапазон этого устройства может быть эффективно использован для многих других приложений, таких как инверторы, ветряные турбины, инверторы и т. д.

Точнее, это устройство с N-каналом идеально подходит для инверторов ветряных турбин, поскольку в них используются генераторы переменного тока, которые являются автомобильным компонентом.

Основные характеристики и функции

Давайте узнаем об основных характеристиках mosfet IRFP2907

  1. Advanced Process Technology: обеспечивает надежную конструкцию и рабочие параметры.
  2. Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии: обеспечивает оптимальную подачу тока источника через нагрузку, тем самым повышая общую эффективность системы.
  3. Динамический dv / dt Рейтинг: делает устройство особенно востребованным в системах с высокой мощностью, критически важных.
  4. 175 ° C Рабочая температура: этот экстремальный диапазон обеспечивает лучшую устойчивость и стабильность даже в тяжелых условиях эксплуатации.
  5. Быстрое переключение: делает устройство особенно подходящим для приложений быстрого переключения высокого тока, не опасаясь поломки устройства, но с максимальной эффективностью.
  6. Повторяющиеся лавины допустимы до Tjmax: лавинное течение больше не является проблемой для этого устройства, которое хорошо охраняется, чтобы сделать его полностью отказоустойчивым даже при наихудших сценариях.

Технический паспорт

Технический паспорт сильноточного МОП-транзистора IRFP2907 можно понять по следующим пунктам:

  1. Чрезвычайно низкое RDS (вкл.) = Обычно около 4,5 миллиОм, это почти нулевое сопротивление на выводах стока и истока, когда устройство полностью насыщено.
  2. Напряжение насыщения = Напряжение насыщения VGS составляет около 10 В, которое может быть превышено не более чем до 20 В. Применение этого диапазона напряжения на затворе и выводах истока позволило бы обеспечить полное насыщение и почти нулевое сопротивление на выводах сток / исток.
  3. Высокий коммутируемый ток: При применении вышеуказанных параметров максимально допустимый ток на стоках и на выводах истока будет до 200 ампер… это огромно.
  4. Напряжение пробоя = Его не следует превышать предпочтительно выше 70 вольт. Это применяется через сток и исток с последовательно включенной нагрузкой при уровнях тока, которые могут превышать отметку в 200 ампер, как объяснено выше.

10 шт. FQP50N06 транзисторный силовой полевой МОП-транзистор N канал 60 В 50A 50N06 Fairchild NEW USA

Отправка в: США, Канада, Великобритания, Дания, Румыния, Словакия, Болгария, Чехия, Финляндия, Венгрия, Латвия, Литва, Мальта, Эстония, Австралия, Греция, Португалия, Кипр, Словения, Япония, Китай, Швеция, Корея, Южная, Индонезия, Тайвань, Южная Африка, Таиланд, Бельгия, Франция, Гонконг, Ирландия, Нидерланды, Польша, Испания, Италия, Германия, Австрия, Багамы, Израиль, Мексика, Новая Зеландия, Филиппины, Сингапур, Швейцария, Норвегия , Саудовская Аравия, Украина, Объединенные Арабские Эмираты, Катар, Кувейт, Бахрейн, Хорватия, Республика, Малайзия, Бразилия, Чили, Колумбия, Коста-Рика, Доминиканская Республика, Панама, Тринидад и Тобаго, Гватемала, Сальвадор, Гондурас, Ямайка, Антигуа и Барбуда, Аруба, Белиз, Доминика, Гренада, Сент-Китс-Невис, Сент-Люсия, Монтсеррат, острова Теркс и Кайкос, Барбадос, Бангладеш, Бермуды, Бруней-Даруссалам, Боливия, Эквадор, Египет, Французская Гвиана, Гернси, Гибралтар, Гваделупа , Исландия, Джерси, Иордания, Камбоджа, Каймановы острова, Лихтенштейн, Шри-Ланка, Люксембург, Монако, Макао, Мартиника, Мальдивы, Никарагуа, Оман, Перу, Пакистан, Парагвай, Реюньон, Вьетнам, Уругвай

Исключено: APO / FPO, Российская Федерация, Афганистан, Казахстан, Монголия, Непал, Таджикистан, Азербайджанская Республика, Грузия, Туркменистан, Армения, Узбекистан, Бутан, Индия, Кыргызстан, Лаос, Гана, Джибути, Острова Зеленого Мыса, Мали, Ботсвана, Сьерра-Леоне, Мадагаскар, остров Святой Елены, Сейшельские острова, Гамбия, Либерия, Руанда, Ливия, Камерун, Центральноафриканская Республика, Габонская Республика, Лесото, Майотта, Нигерия, Зимбабве, Маврикий, Гвинея, Кот-д'Ивуар (Кот-д'Ивуар), Чад, Кения, Гвинея-Бисау, Эритрея, Сенегал, Того, Марокко, Бурунди, Экваториальная Гвинея, Мавритания, Конго, Демократическая Республика, Конго, Республика, Западная Сахара, Малави, Коморские Острова, Ангола, Алжир, Бенин, Тунис, Уганда , Замбия, Сомали, Свазиленд, Эфиопия, Мозамбик, Нигер, Танзания, Намибия, Буркина-Фасо, Турция, Йемен, Ирак, Ливан

Поставщики транзисторов Mosfet

5n65, все поставщики транзисторов Mosfet качества 5n65 на Alibaba.com

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Полупроводниковые электронные компоненты ( MOSFET , SCR, SBD, FRD, Voitage)

Общий доход:

1 миллион долларов США - 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 90,0% , Юго-Восточная Азия 8,0% , Южная Азия 2.0%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Mosfet , SCR, SBD, FRD, Voitage

Общий доход:

5 миллионов долларов США - 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 95.0% , Восточная Азия 5,0%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

МОП-транзистор , ТРАНЗИСТОР , ДИОД, ИС, ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов - 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 40% , Южная Америка 10% , Юго-Восточная Азия 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

микросхема конденсаторов, резисторы, суперконденсатор, электролитический конденсатор, колба

Топ-3 рынка:

Центральная Америка 10% , Африка 10% , Восточная Азия 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Mosfet , интегральная схема, транзистор , конденсатор SMD, диод

Общий доход:

1 миллион долларов США - 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Северная Америка 50% , Восточная Европа 12% , Восточная Азия 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Пресс для резки, фальцевальные машины, обувные машины, светодиодная продукция, электронные компоненты

Общий доход:

10 миллионов долларов США - 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Средний Восток 11% , Северная Америка 11% , Западная Европа 11%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Semicondutor, интегральные схемы, диод, транзистор , конденсаторы

Общий доход:

5 миллионов долларов США - 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 20% , Северная Америка 10% , Южная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы, сопротивление емкости, разъем, светодиод, адаптер

Общий доход:

1 миллион долларов США - 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 10% , Южная Азия 10% , Северная Европа 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC CHIP, интегральная схема, диод, транзистор , конденсатор

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Средний Восток 22% , Центральная Америка 20% , Восточная Азия 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

микросхемы IC, оборудование, разъемы, дисплей, печатная плата

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 25% , Южная Европа 25% , Южная Америка 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Электронные компоненты, Активные компоненты, Интегральные схемы, Транзисторы , Датчики

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Средний Восток 14% , Восточная Европа 13% , Южная Европа 13%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

ДИОДЫ, ТРАНЗИСТОРЫ , Mosfet , мостовой ректификатор, регулятор напряжения

Общий доход:

10 миллионов долларов США - 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 50% , Восточная Азия 12% , Юго-Восточная Азия 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы, пассивный компонент, активный компонент, полупроводники, разъем

Общий доход:

10 миллионов долларов США - 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Восточная Азия 15%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы, микросхема датчика изображения CMOS, корпус, разъемы, клеммы

Общий доход:

5 миллионов долларов США - 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 25% , Африка 12% , Восточная Азия 11%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Печатная плата, электронные компоненты, сборка печатной платы

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Oceania 24.0% , Юго-Восточная Азия 22,0% , Северная Америка 20,0%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Полупроводниковые электронные компоненты ( MOSFET , SCR, SBD, FRD, Voitage)

Общий доход:

1 миллион долларов США - 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 90,0% , Юго-Восточная Азия 8,0% , Южная Азия 2.0%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

ic, биполярный транзистор , разъем, разъем, PCBA

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 8% , Центральная Америка 8% , Южная Азия 8%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC, интегральная схема, транзистор , диод, конденсатор

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов - 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 20% , Северная Америка 15% , Центральная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

компоненты, емкость, сопротивление, диод, Триод

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Африка 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC, конденсатор, Транзистор , модуль, разъем

Общий доход:

10 миллионов долларов США - 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 40.0% , Юго-Восточная Азия 9,0% , Южная Америка 6,0%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

диод, резистор, конденсатор, транзистор , разъем

Общий доход:

50 миллионов долларов США - 100 миллионов долларов США

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Электронные компоненты, кнопочный переключатель, защитный кожух для печатной платы, изготовление на заказ пресс-формы

Топ-3 рынка:

Западная Европа 20% , Северная Америка 15% , Средний Восток 15%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Розетка и вилка, интегрированные схемы, транзистор , диод, конденсатор

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Европа 10% , Юго-Восточная Азия 10% , Средний Восток 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральная схема, ИС, микросхема, электронный компонент, реле

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 10% , Внутренний рынок 10% , Средний Восток 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

ИС, интегральная схема, конденсатор, резистор, Транзисторы

Общий доход:

1 миллион долларов США - 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Средний Восток 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Диод, Транзистор , выпрямительный мост, оптрон, IC

Общий доход:

1 миллион долларов США - 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 40% , Южная Америка 10% , Северная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Электронные компоненты, датчик камеры, электролитические конденсаторы, резистор, диод

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 15% , Южная Америка 10% , Северная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы - ИС, пассивные компоненты, светодиодное освещение, электромеханические, разъемы

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 10% , Средний Восток 10% , Центральная Америка 10%

Страна / регион: Турция Основные продукты:

Тиристорные модули для конденсаторов, тиристорные модули для реакторов, тиристорные блоки управления мощностью, динамический контроллер коэффициента мощности, трансформаторы тока малой мощности (LPCT)

Общий доход:

5 миллионов долларов США - 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 20% , Средний Восток 20% , Внутренний рынок 5%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

интегральная схема (ИС), микроконтроллер, датчик, транзистор , индуктор

Страна / регион: Китай Основные продукты:

МОП-транзистор , ТРАНЗИСТОР , ДИОД, ИС, ЗАРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов - 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 40% , Юго-Восточная Азия 10% , Африка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

СВЧ-модуль, радарный датчик, светодиодная линейная ламповая панель, светодиодные солнечные лампы, индукционные лампы для микроволновых радаров

Топ-3 рынка:

Северная Америка 20% , Центральная Америка 10% , Северная Европа 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Модуль Интернета вещей, электронные компоненты, ИС, транзистор, микроконтроллер

Общий доход:

10 миллионов долларов США - 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Северная Америка 13%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Военное дело, связь, авиация, статическое хранение, Система наблюдения и национальная оборона

Общий доход:

5 миллионов долларов США - 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Европа 30% , Западная Европа 20% , Северная Америка 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Диод, диод Шоттки, стабилитрон, мостовой выпрямитель, TVS

Общий доход:

50 миллионов долларов США - 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 40% , Восточная Европа 20% , Восточная Азия 15%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Транзистор , mosfet , тиристор, igbt, диод

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 50% , Восточная Азия 50%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Микросхема, конденсатор, транзистор , светодиод, сопротивление

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 48% , Юго-Восточная Азия 10% , Восточная Азия 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

транзистор , mosfet , модуль, диод, микросхема

Топ-3 рынка:

Северная Америка 20% , Западная Европа 20% , Северная Европа 20%

Простая схема инвертора от 12 В до 230 В переменного тока - MOSFET - DIY Electronics Projects

В этом посте мы собираемся построить простейший инвертор от 12 В постоянного тока до 230 В переменного тока с использованием транзисторов и полевых МОП-транзисторов.

Узнаем:

  • Различные ступени в цепи инвертора.
  • Принципиальная схема инвертора.
  • Анализ формы волны этого инвертора.
  • Что такое нестабильный мультивибратор.
  • Максимальная выходная мощность инвертора.
  • Преимущества и недостатки этого инвертора.

Преобразователи мощности в представлении не нуждаются; мы используем их при отключении электричества, в аварийной ситуации или просто в лагере.

Инверторы

Power могут обеспечивать мощность от 10 до 10000 Вт в зависимости от ваших потребностей, а инверторы также могут быть однофазными или трехфазными в зависимости от вашего приложения.

Инверторы

могут быть с любыми характеристиками, но стандартный инвертор имеет следующие важные ступени:

Ступени инвертора:

  • Источник питания, например аккумулятор
  • Осциллятор
  • Управляющий этап
  • Трансформатор

Давайте изучим один за другим:

Аккумулятор / источник питания постоянного тока:

Источником питания постоянного тока может быть батарея глубокого разряда, генератор постоянного тока или солнечная панель.Все они обеспечивают стабильное питание постоянного тока инвертору.

Напряжение на инверторе может быть 6 В, или 12 В, или 24 В, или 48 В, или даже 84 В, это зависит от характеристик входа инвертора.

Осциллятор:

Генератор - это ступень, на которой постоянный постоянный ток от батареи преобразуется в переменный; мы можем назвать этот этап сердцем инвертора, потому что он генерирует частоту или импульсы, как человеческое сердце.

Первоначально низкое напряжение постоянного тока преобразуется в низкое напряжение переменного тока с помощью мультивибратора или любой схемы генератора.Колебание, создаваемое генератором, может быть прямоугольной или синусоидальной волной или модифицированной синусоидальной волной с фиксированной частотой и фиксированным рабочим циклом, в основном 50/60 Гц при 50% рабочем цикле.

Низкое напряжение переменного тока подается на следующий каскад, который является управляющим каскадом, состоящим из полевых МОП-транзисторов или транзисторов.

Управляющий этап:

Колебательный каскад просто дает колеблющийся слабый сигнал переменного тока, который нельзя подать на трансформатор для повышения напряжения.

Ступень возбуждения увеличивает силу колебательного сигнала переменного тока.

Управляющий каскад состоит из полевых МОП-транзисторов или транзисторов. Большинство коммерческих инверторов комплектуются полевыми МОП-транзисторами для каскада возбуждения, поскольку они очень эффективны при переключении, имеют меньшее сопротивление между выводами истока и стока, что приводит к меньшему нагреву.

Управлять полевым МОП-транзистором очень просто, так как им можно напрямую управлять с помощью микроконтроллера или микросхем

Для силового транзистора требуется промежуточный каскад управления, чтобы смещать силовой транзистор до оптимального уровня, что занимает больше места на печатной плате и также увеличивает стоимость компонентов.

В этом проекте мы используем полевые МОП-транзисторы.

Трансформатор:

Трансформатор - это компонент, который преобразует переменный ток низкого напряжения в переменный ток высокого напряжения.

Усиленный сигнал переменного тока от каскада возбуждения сильный и готов к питанию трансформатора. Трансформатор может быть с центральным отводом или без центрального отвода.

Давайте рассмотрим пример центрального ленточного трансформатора.

Трансформатор с центральным ответвлением

Клемма центрального отвода обычно подключается к + Ve батареи, поскольку полевые МОП-транзисторы, используемые для инверторов, являются N-канальными (N-канальные полевые МОП-транзисторы более эффективны).

Полевые МОП-транзисторы помещаются на клеммы X и Y, и один из двух полевых МОП-транзисторов включается мгновенно и попеременно.

Допустим, MOSFET в положении «X» включен, теперь ток течет от центрального ответвления к «X», запитывая эту конкретную обмотку. Из-за взаимной индукции на другую сторону катушки с большим числом витков подается напряжение, и на выходе из-за большего числа витков выстреливает высокое напряжение.

Через 10 мс (для 50 Гц) MOSFET в положении «Y» включается, а при «X» выключается, ток течет от центрального ответвления к «Y» и возбуждает эту конкретную обмотку.

Теперь катушка с большим числом витков получает питание с противоположной полярностью и выдает высокое выходное напряжение.

Этот цикл продолжается и выдает 230 В переменного тока / 50 Гц, которые могут использоваться нашими повседневными гаджетами.

Теперь вы знаете, как работает простой инвертор.

Принципиальная схема инвертора:

Простая схема инвертора от 12 В до 230 В переменного тока

Загрузите лучшую принципиальную схему с высоким разрешением здесь

Список компонентов:

  • BC548 / любой транзистор NPN x 2
  • 27 кОм x 2
  • 1 кОм x 2
  • 0.47 мкФ x 2 - электролитический или керамический
  • MOSFET IRF540N или любой N-канальный MOSFET x2
  • Трансформатор 9В-0-9В / 10А (минимум 5А)
  • Предохранитель 5А (для защиты аккумулятора от короткого замыкания)
  • 12V 7Ah Аккумулятор

Описание схемы:

Схема очень простая, с легкостью справится даже новичок.

Схема состоит из нестабильного мультивибратора, который использует два транзистора и настроен на генерацию от 50 Гц до 60 Гц при рабочем цикле 50%.Частота может быть от 50 до 60 Гц; это связано с допуском конденсаторов и резисторов, что создает неточность.

Этот нестабильный мультивибратор действует как генератор для этого инвертора. Управляющий каскад имеет 2 полевых МОП-транзистора IRF540N, а трансформатор 230 В / 9 В-0-9 В / 10 А повышает выходное напряжение.

Анализ формы волны:

Прямоугольная волна 50 Гц от Multivibrator

Осциллограф проверяется на клеммах затвора обоих полевых МОП-транзисторов, и мы получаем вышеуказанную форму волны, которая представляет собой прямоугольную волну с частотой около 50 Гц и скважностью 50%.

Общие сведения о нестабильном мультивибраторе:

Если вы внимательно посмотрите на принципиальную схему, вы найдете схему, аналогичную приведенной ниже:

Схема мультивибратора

Это называется нестабильный мультивибратор. Нестабильный означает, что выход нестабилен, но выход включается и выключается с фиксированной частотой и рабочим циклом.

Выходная частота определяется конденсаторами C1, C2 и R2, R3 из приведенной выше принципиальной схемы.

Чтобы получить 50% рабочий цикл, C1 и C2 должны иметь одинаковое значение, а R2 и R3 также должны иметь одинаковое значение в одно и то же время, оба транзистора должны иметь одинаковое усиление.

Частота нестабильного мультивибратора на базе транзисторов определяется по формуле:

F = 1 / 1,38 x R x C

  • F - частота в Герцах.
  • R - сопротивление в Ом.
  • C - емкость в Фарадах.

Попробуем вычислить частоту этого инвертора:

F = 1 / 1,38 x 27 x 10 3 x 0,47 x 10 -6

F = 57,10 Гц

ПРИМЕЧАНИЕ: Из-за допусков компонентов мы будем стабильно работать в диапазоне от 50 Гц до 60 Гц.Большинство устройств нормально работают на этой частоте.

Какую выходную мощность я получаю?

Для этого инвертора вы можете получить мощность около 75 Вт или меньше от трансформатора 9 В / 10 А, который приводится в действие МОП-транзистором IRF540N с батареей 12 В 7 Ач.

Выходная мощность любого инвертора зависит от следующих трех факторов:

  • Источник постоянного тока
  • Текущая пропускная способность полевых МОП-транзисторов / приводной каскад
  • Трансформатор

Источник постоянного тока:

Выходная мощность вашего инвертора зависит от максимальной мощности батареи или солнечной панели.

Батарея имеет определенный предел для подачи тока, если вы превысите его, это приведет к снижению срока службы батареи. Не стоит ожидать, что аккумулятор 12 В 7 Ач обеспечит мощность 500 Вт.

Если вы хотите запитать некоторые приборы с более высокой мощностью, вам следует обновить батарею / солнечную панель.

MOSFET / Приводной этап:

Управляющий каскад имеет ограничение на пропускание тока от батареи к трансформатору. IRF540N может поставлять 33A в соответствии со своим техническим паспортом.Таким образом, 12 В (батарея) x 33 А = максимум 396 Вт, если ваша батарея и трансформатор выдержат.

Если вам нужна еще большая выходная мощность, вы можете выбрать более мощный MOSFET или подключить два или более IRF540N параллельно.

Трансформатор:

Трансформатор - самая дорогая часть в цепи инвертора.

Предел трансформатора можно рассчитать, умножив напряжение и ток вторичной обмотки понижающего трансформатора (мы используем обратное, поэтому инвертор воспринимается как повышающий трансформатор).

Например: с трансформатором 9 В / 10 А 9 В x 10 А = 90 Вт максимум. После потерь вы получите около 75 Вт.

Теперь вы знаете ограничивающие факторы вашего инвертора.

Преимущества этого инвертора:

  • Простая конструкция под силу новичкам.
  • Достойный КПД от 75 до 80%.
  • Стабильная частота от 50 до 60 Гц.
  • Хорошо проверенная схема.

Недостаток этого инвертора:

  • Выходное напряжение изменяется при увеличении нагрузки.
  • Прямоугольная волна не подходит для чувствительных электронных устройств, таких как медицинское оборудование.

Если у вас возникнут дополнительные вопросы по этому проекту, оставьте комментарий ниже, вы получите гарантированный ответ.

Blogthor

Мой ник - blogthor, я профессиональный инженер-электронщик, специализирующийся на встроенных системах. Я опытный программист и разработчик электронного оборудования.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *