Содержание

Инструкции для духовых шкафов Miele с функцией СВЧ

Инструкции для духовых шкафов Miele с функцией СВЧ — скачать или просмотреть схемы и инструкции по установке и применению товаров.

/

/

/

С функцией СВЧ Духовой шкаф Miele H 7840 BMX GRGR Инструкция к Miele H7840BMX GRGR pdf, 1.85 MB Схема встраивания 1 Miele H7840BMX GRGR jpg, 111.2 KB Схема встраивания 2 Miele H7840BMX GRGR jpg, 110.95 KB Схема встраивания 3 Miele H7840BMX GRGR jpg, 54.72 KB Схема встраивания 4 Miele H7840BMX GRGR jpg, 53.53 KB Схема встраивания 5 Miele H7840BMX GRGR jpg, 136.96 KB Схема встраивания 6 Miele H7840BMX GRGR jpg, 73.65 KB Схема встраивания 7 Miele H7840BMX GRGR jpg, 104.58 KB Схема встраивания 8 Miele H7840BMX GRGR jpg, 149.77 KB Схема встраивания 9 Miele H7840BMX GRGR jpg, 126.48 KB Книга рецептов pdf, 645.47 KB Духовой шкаф Miele H 7840 BMX OBSW Инструкция к Miele H7840BMX OBSW pdf, 1.
85 MB Схема встраивания 1 Miele H7840BMX OBSW jpg, 111.2 KB Схема встраивания 2 Miele H7840BMX OBSW jpg, 110.95 KB Схема встраивания 3 Miele H7840BMX OBSW jpg, 54.72 KB Схема встраивания 4 Miele H7840BMX OBSW jpg, 53.53 KB Схема встраивания 5 Miele H7840BMX OBSW jpg, 136.96 KB Схема встраивания 6 Miele H7840BMX OBSW jpg, 73.65 KB Схема встраивания 7 Miele H7840BMX OBSW jpg, 104.58 KB Схема встраивания 8 Miele H7840BMX OBSW jpg, 149.77 KB Схема встраивания 9 Miele H7840BMX OBSW jpg, 126.48 KB Книга рецептов pdf, 645.47 KB Духовой шкаф Miele H 7840 BMX BRWS Инструкция к Miele H7840BMX BRWS pdf, 1.85 MB Схема встраивания 1 Miele H7840BMX BRWS jpg, 111.2 KB Схема встраивания 2 Miele H7840BMX BRWS jpg, 110.95 KB Схема встраивания 3 Miele H7840BMX BRWS jpg, 54.72 KB Схема встраивания 4 Miele H7840BMX BRWS jpg, 53.53 KB Схема встраивания 5 Miele H7840BMX BRWS jpg, 136.96 KB
Схема встраивания 6 Miele H7840BMX BRWS jpg, 73. 65 KB Схема встраивания 7 Miele H7840BMX BRWS jpg, 104.58 KB Схема встраивания 8 Miele H7840BMX BRWS jpg, 149.77 KB Схема встраивания 9 Miele H7840BMX BRWS jpg, 126.48 KB Книга рецептов pdf, 645.47 KB Компактный духовой шкаф Miele H 7840 BM GRGR Инструкция к Miele H7840BM GRGR pdf, 1.85 MB Схема встраивания 1 Miele H7840BM GRGR jpg, 111.2 KB Схема встраивания 2 Miele H7840BM GRGR jpg, 110.95 KB Схема встраивания 3 Miele H7840BM GRGR jpg, 54.72 KB Схема встраивания 4 Miele H7840BM GRGR jpg, 53.53 KB Схема встраивания 5 Miele H7840BM GRGR jpg, 136.96 KB Схема встраивания 6 Miele H7840BM GRGR jpg, 67.04 KB Схема встраивания 7 Miele H7840BM GRGR jpg, 66.68 KB Схема встраивания 8 Miele H7840BM GRGR jpg, 73.65 KB
Схема встраивания 9 Miele H7840BM GRGR jpg, 104.58 KB Схема встраивания 10 Miele H7840BM GRGR jpg, 149.77 KB Схема встраивания 11 Miele H7840BM GRGR jpg, 126.48 KB Книга рецептов pdf, 645. 47 KB Компактный духовой шкаф Miele H 7840 BM OBSW Инструкция к Miele H7840BM OBSW pdf, 1.85 MB Книга рецептов pdf, 645.47 KB Схема встраивания 1 Miele H7840BM OBSW jpg, 111.2 KB Схема встраивания 2 Miele H7840BM OBSW jpg, 110.95 KB Схема встраивания 3 Miele H7840BM OBSW jpg, 54.72 KB Схема встраивания 4 Miele H7840BM OBSW jpg, 53.53 KB Схема встраивания 5 Miele H7840BM OBSW jpg, 136.96 KB Схема встраивания 6 Miele H7840BM OBSW jpg, 67.04 KB Схема встраивания 7 Miele H7840BM OBSW jpg, 66.68 KB Схема встраивания 8 Miele H7840BM OBSW jpg, 73.65 KB Схема встраивания 9 Miele H7840BM OBSW jpg, 104.58 KB
Схема встраивания 10 Miele H7840BM OBSW jpg, 149.77 KB Схема встраивания 11 Miele H7840BM OBSW jpg, 126.48 KB Компактный духовой шкаф Miele H 7840 BM BRWS Инструкция к Miele H7840BM BRWS pdf, 1.85 MB Схема встраивания 1 Miele H7840BM BRWS jpg, 111.2 KB Схема встраивания 2 Miele H7840BM BRWS jpg, 110. 95 KB Схема встраивания 3 Miele H7840BM BRWS jpg, 54.72 KB Схема встраивания 4 Miele H7840BM BRWS jpg, 53.53 KB Схема встраивания 5 Miele H7840BM BRWS jpg, 136.96 KB Схема встраивания 6 Miele H7840BM BRWS jpg, 67.04 KB Схема встраивания 7 Miele H7840BM BRWS jpg, 66.68 KB Схема встраивания 8 Miele H7840BM BRWS jpg, 73.65 KB Схема встраивания 9 Miele H7840BM BRWS jpg, 104.58 KB Схема встраивания 10 Miele H7840BM BRWS jpg, 149.77 KB Схема встраивания 11 Miele H7840BM BRWS jpg, 126.48 KB Книга рецептов pdf, 645.47 KB Компактный духовой шкаф Miele H 7840 BM EDST/CLST
Инструкция к Miele H7840BM EDST/CLST pdf, 1.85 MB Схема встраивания 1 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 111.2 KB Схема встраивания 2 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 110.95 KB Схема встраивания 3 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 54.72 KB Схема встраивания 4 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 53.53 KB Схема встраивания 5 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 136. 96 KB Схема встраивания 6 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 67.04 KB Схема встраивания 7 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 66.68 KB Схема встраивания 8 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 73.65 KB Схема встраивания 9 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 104.58 KB Схема встраивания 10 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 149.77 KB Схема встраивания 11 Miele H7840BM EDST/CLST jpg, 126.48 KB Книга рецептов pdf, 645.47 KB Компактный духовой шкаф Miele H 7640 BM GRGR
Инструкция к Miele H7640BM GRGR pdf, 1.84 MB Схема встраивания 1 Miele H7640BM GRGR jpg, 111.2 KB Схема встраивания 2 Miele H7640BM GRGR jpg, 110.95 KB Схема встраивания 3 Miele H7640BM GRGR jpg, 54.72 KB Схема встраивания 4 Miele H7640BM GRGR jpg, 53.53 KB Схема встраивания 5 Miele H7640BM GRGR jpg, 136.96 KB Схема встраивания 6 Miele H7640BM GRGR jpg, 67.04 KB Схема встраивания 7 Miele H7640BM GRGR jpg, 66.68 KB Схема встраивания 8 Miele H7640BM GRGR jpg, 73. 65 KB Схема встраивания 9 Miele H7640BM GRGR jpg, 104.58 KB Схема встраивания 10 Miele H7640BM GRGR jpg, 149.77 KB Схема встраивания 11 Miele H7640BM GRGR jpg, 126.48 KB Книга рецептов pdf, 645.47 KB Компактный духовой шкаф Miele H 7640 BM OBSW Инструкция к Miele H7640BM OBSW pdf, 1.84 MB Схема встраивания 1 Miele H7640BM OBSW jpg, 111.2 KB
Схема встраивания 2 Miele H7640BM OBSW jpg, 110.95 KB Схема встраивания 3 Miele H7640BM OBSW jpg, 54.72 KB Схема встраивания 4 Miele H7640BM OBSW jpg, 53.53 KB Схема встраивания 5 Miele H7640BM OBSW jpg, 136.96 KB Схема встраивания 6 Miele H7640BM OBSW jpg, 67.04 KB Схема встраивания 7 Miele H7640BM OBSW jpg, 66.68 KB Схема встраивания 8 Miele H7640BM OBSW jpg, 73.65 KB Схема встраивания 9 Miele H7640BM OBSW jpg, 104.58 KB Схема встраивания 10 Miele H7640BM OBSW jpg, 149.77 KB Схема встраивания 11 Miele H7640BM OBSW jpg, 126.48 KB Книга рецептов pdf, 645. 47 KB Компактный духовой шкаф Miele H 7640 BM BRWS Инструкция к Miele H7640BM BRWS pdf, 1.84 MB Схема встраивания 1 Miele H7640BM BRWS jpg, 127.38 KB Схема встраивания 2 Miele H7640BM BRWS jpg, 111.2 KB Схема встраивания 3 Miele H7640BM BRWS jpg, 110.95 KB
Схема встраивания 4 Miele H7640BM BRWS jpg, 54.72 KB Схема встраивания 5 Miele H7640BM BRWS jpg, 53.53 KB Схема встраивания 6 Miele H7640BM BRWS jpg, 136.96 KB Схема встраивания 7 Miele H7640BM BRWS jpg, 67.04 KB Схема встраивания 8 Miele H7640BM BRWS jpg, 66.68 KB Схема встраивания 9 Miele H7640BM BRWS jpg, 73.65 KB Схема встраивания 10 Miele H7640BM BRWS jpg, 104.58 KB Схема встраивания 11 Miele H7640BM BRWS jpg, 149.77 KB Схема встраивания 12 Miele H7640BM BRWS jpg, 126.48 KB Книга рецептов pdf, 645.47 KB Компактный духовой шкаф Miele H 7640 BM EDST/CLST Инструкция к Miele H7640BM EDST/CLST pdf, 1.84 MB Схема встраивания 1 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 111. 2 KB Схема встраивания 2 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 110.95 KB Схема встраивания 3 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 54.72 KB
Схема встраивания 4 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 53.53 KB Схема встраивания 5 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 136.96 KB Схема встраивания 6 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 67.04 KB Схема встраивания 7 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 66.68 KB Схема встраивания 8 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 73.65 KB Схема встраивания 9 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 104.58 KB Схема встраивания 10 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 149.77 KB Схема встраивания 11 Miele H7640BM EDST/CLST jpg, 126.48 KB Книга рецептов pdf, 645.47 KB Духовой шкаф Miele H 7440 BMX GRGR Инструкция к Miele H7440BMX GRGR pdf, 1.69 MB Книга рецептов pdf, 645.47 KB Схема встраивания 1 Miele H7440BMX GRGR jpg, 111.2 KB Схема встраивания 2 Miele H7440BMX GRGR jpg, 110.95 KB Схема встраивания 3 Miele H7440BMX GRGR jpg, 54. 72 KB Схема встраивания 4 Miele H7440BMX GRGR jpg, 53.53 KB
Схема встраивания 5 Miele H7440BMX GRGR jpg, 136.96 KB Схема встраивания 6 Miele H7440BMX GRGR jpg, 73.65 KB Схема встраивания 7 Miele H7440BMX GRGR jpg, 104.58 KB Схема встраивания 8 Miele H7440BMX GRGR jpg, 149.77 KB Схема встраивания 9 Miele H7440BMX GRGR jpg, 126.48 KB

Этапы разработки СВЧ модуля / Хабр

Введение

В настоящее время активные фазированные антенные решетки строят на базе приёмопередающих модулей (ППМ), часто содержащих несколько конструктивно объединенных идентичных каналов. ППМ состоят из нескольких СВЧ блоков или узлов. Часто эти блоки разрабатываются на том же предприятии (фирме), в таком случае они отработаны хорошо. Если же некоторые или все блоки покупные, часто инженеры разработчики совершают ошибку – не тестируют каждый блок по отдельности. В этой статье я расскажу немного про ППМ, задачи, возникающие перед главным конструктором работы ( не только по СВЧ части), а главное – постараюсь убедить вас в том, что тестовые платы необходимы инженеру-разработчику. Автор этой статьи leka_engineer, ищите меня на Хабре и в Инстаграме

Задача

Типовая блок-схема канала ППМ представлена на рисунке 1. Практически все ППМ построены подобным образом. В примере для экономии места и уменьшения стоимости ППМ с помощью переключателей реализована возможность использовать в модуле только один фазовращатель и один аттенюатор.

Рис.1 Блок-схема ППМ

Каждый из блоков требует разных видов измерений. И даже если у вас есть даташит на покупную микросхему, например, фазовращатель, он ставится на плату, важен способ монтажа, элементы схемы управления, тип линий передачи, коаксиально-полосковый переход от кабеля на печатную плату ( а если усилитель, то тут ещё и схемы фильтрации питания). Каждый элемент следует исследовать и измерить его характеристики именно на той подложке, на которой будет в итоге изготовлена плата модуля, а также с теми же элементами схем питания и управления.

Кроме того, в процессе измерений может осуществляться дополнительная настройка и найдены оптимальные режимы работы, улучшено согласование и “почищен” спектр выходного сигнала.

Разработка

Сложность разработки СВЧ модулей состоит в том, что главному конструктору необходимо решать одновременно несколько задач, а именно:

Рис.2 Задачи

Имитатор внешней системы управления необходим для отладки. Он формирует сигнал управления для ППМ, аналогичный тому, что будет в системе. На начальных этапах отладки, имитатор может быть прошит таким образом, чтобы посылать только нужные состояния / сигналы. Имитатор представляет собой плату в коробке, управление имитатором осуществляется с ноутбука по USB кабелю, выходные сигналы подаются на входы блока управления модулем.

Рис.3 Имитатор

К вспомогательным устройствам относятся: вентили,аттенюаторы, направленные ответвители, лабораторные усилители, адаптеры, радиаторы, фильтры, тестовые оснастки. Некоторое оборудование есть в любой СВЧ лаборатории, некоторое требует изготовления под заказ и/или проектирования, например вентили высокой мощности, стенды с принудительным воздушным охлаждением.

Этапы проектирования

Спроектированный и изготовленный кристалл или покупную корпусированную микросхему необходимо протестировать отдельно, не стоит сразу собирать все блоки на одну плату. Для тестирования используют тестовые платы или Evaluation board. Крупные производители микросхем типа Avago, Qorvo и тд предлагают купить у них такие борды с уже установленными компонентами (мне кажется это интересной темой, я думаю написать об этом статью). Можно купить, а лучше сделать свои, ведь материал СВЧ подложки будет другой, плюс всё равно делать для других микросхем или собственных кристаллов.

Тестовые платы изготавливаются на СВЧ подложке, с подводящими полосками такого же типа, как планируется использовать на плате всего модуля. Также на платах делают цепи питания / управления с фильтрующими компонентами. Мы делаем тестовые платы единого размера, со стандартным посадочным местом.

Рис.4 Компоненты и тестовая плата в оснастке со стенками

При этом делается тестовая плата с прямым печатным полоском, для оценки КСВ и потерь линии и КПП. Иногда такую плату называют калибровочной, хотя это не совсем верно.

Далее из таких оснасток с платами можно собрать части модуля для совместной отработки и оценки возможных влияний. Например, рассогласование на входе или выходе фазовращателя может привести к увеличению ошибок установки фазы, а наличие паразитных спектральных составляющих на выходе предварительного усилителя может нарушить корректную работу выходного усилителя мощности.

Рис.5 Сборка из нескольких узлов на тестовых платахРис.6 Блок-схема к рисунку 5

На этом этапе производится отработка совместной работы блоков СВЧ тракта, например быстродействия. С помощью многоканального осциллографа производится сравнение времени прохождения процессов переключения состояний аттенюатора и фазовращателя и вносятся необходимые корректировки.

Рис.7 Процесс отладки модуля с имитатором

Только после этого предлагается изготавливать плату, на которую будут установлены все кристаллы и компоненты.

Заключение

Продемонстрирован подход к разработке СВЧ тракта приёмопередающего модуля. Описаны этапы тестирования блоков СВЧ тракта.

Дисклеймер: В статье описан мой опыт (leka_engineer), и я призываю коллег прислушаться, чтобы не было ситуации когда всё поставили, а ничего не работает и не понятно что не работает.

Электроника НТБ – научно-технический журнал – Электроника НТБ

Технологии СВЧ-микросхем
Твердотельная СВЧ-электроника начала интенсивно развиваться с появлением кремниевых, а затем и арсенидгаллиевых СВЧ-транзисторов с приемлемыми параметрами по коэффициенту усиления, коэффициенту шума, КПД и выходной мощности в СВЧ-диапазоне. Большая номенклатура, многофункциональность, сложность реализации технических характеристик при небольшой потребности (в основном в военной технике) изначально направили развитие твердотельной СВЧ-электроники по пути гибридной технологии (технологии гибридных интегральных схем — ГИС). При этой технологии отдельные активные и пассивные компоненты — транзисторы, конденсаторы, линии задержки, ключи и т.п., изготовленные из оптимальных материалов и по оптимальной для каждого компонента технологии, объединяются в ГИС. Гибридная технология на первых этапах развития твердотельной СВЧ-электроники за счет несложных технологических приемов — разварки, пайки, склеивания — при резком увеличении функциональных возможностей СВЧ-аппаратуры обеспечила высокие технические характеристики, приемлемую надежность, резкое снижение веса и габаритов и низкую цену аппаратуры за счет использования высокого качества компонентов, возможности подстройки в процессе изготовления ГИС.
С развитием технологии арсенида галлия появилась технология монолитных СВЧ-интегральных схем (МИС СВЧ), в которой активные и пассивные СВЧ-компоненты изготавливаются на одном кристалле и в едином технологическом цикле. Эта технология открыла перспективы создания более сложных, более высокочастотных СВЧ-систем с повышенной надежностью, меньшим весом и габаритами, в том числе наземных и бортовых систем радиолокации с активными фазированными решетками (АФАР).
Очевидно, что преимущества технологии МИС реализуются только при массовой потребности в СВЧ-схемах, когда за счет снижения трудоемкости и повышения выхода годных схем удается достичь низкой стоимости интегральных СВЧ-схем и оправдать большие капитальные вложения в технологическое оборудование и инфраструктуру. Наиболее тяжело обеспечить высокий выход годных для СВЧ МИС усилителей мощности (УМ), технические трудности при изготовлении которых сопоставимы со СБИС на кремнии, потому что они содержат сложные в изготовлении мощные транзисторы с малой длиной (менее 0,5 мкм) и большой шириной (10—15 мм) затвора и множество различных пассивных элементов: емкостей, индуктивностей, воздушных мостиков и сквозных заземляющих отверстий. Площадь чипов УМ превышает 20 мм2 при толщине менее 100 мкм. Стоимость МИС УМ высока также потому, что для обеспечения технических характеристик мощных транзисторов (выходной мощности, коэффициента усиления и КПД) их изготавливают на дорогих эпитаксиальных гетероструктурах, значительная часть площади которых (до 90%) тратится на создание пассивных компонентов.
При отсутствии массовой потребности в СВЧ-схемах наиболее целесообразна технология квазимонолитных СВЧ-интегральных схем (КМИС СВЧ), в которой оптимально сочетаются преимущества ГИС- и МИС-технологий. В ОАО “Октава” разработана и успешно используется технология КМИС для сантиметрового диапазона, в которой интегральная СВЧ-схема формируется из нескольких чипов арсенида галлия [1]. Чипы с полевыми субмикронными транзисторами устанавливаются перевернутым монтажом на макрочип с пассивными элементами и отрезками микрополосковых линий (рис.1). Под местом установки транзистора в макрочипе для эффективного отвода тепла формируют сквозные отверстия, заполненные металлом с высокой теплопроводностью.
Для примера, технические характеристики, надежность и габариты КМИС двухкаскадного УМ (см. рис.1) такие же, как у аналогичной МИС УМ. Более низкая стоимость КМИС по сравнению с МИС достигается за счет изготовления макрочипов из пластин относительно дешевого объемного полуизолирующего арсенида галлия и высокого выхода годных макрочипов, не содержащих элементы с субмикронными размерами. Кроме того, дорогие эпитаксиальные гетероструктуры расходуются только на изготовление чипов транзисторов. В результате выход годных КМИС получается в несколько раз выше, чем для МИС, а трудоемкость их изготовления — ниже.

Примеры КМИС СВЧ
Для эффективного применения КМИС-технологии на ОАО “Октава” разработан ряд интегральных транзисторов типа MESFET с различной шириной затвора (Wт = 0,18—12,8 мм). Транзисторы имеют удельную выходную мощность 0,6—0,8 Вт/мм, коэффициент усиления (Кр) 8,5—9,0 дБ и КПД 45—50% на частоте 12 ГГц. Они изготавливаются на основе GaAs-структур, технология молекулярно-лучевой эпитаксии которых разработана в ИФП СО РАН. Этот ряд приборов полностью обеспечивает потребности в КМИС для разработки и производства СВЧ-модулей в диапазоне частот до 18 ГГц с выходной мощностью до 10 Вт. Для каждой КМИС разрабатывается свой макрочип с использованием любого из разработанных интегральных транзисторов. Выбор типа транзистора зависит от технических требований, предъявляемых к разрабатываемой КМИС.
Используя технологию КМИС, в ОАО “Октава” на основе эпитаксиальных структур, поставляемых ИФП СО РАН, разработан ряд гибридных узкополосных и широкополосных СВЧ-устройств диапазона 2—18 ГГц для комплектации многофункциональных СВЧ-модулей, в том числе аппаратуры с АФАР. Среди них — малогабаритные широкополосные системы радиоэлектронного противодействия с АФАР (включая приемопередающие модули), комплект модулей для АФАР Х-диапазона, а также гибридные широкополосные модули усилителей с выходной мощностью более 1 Вт в диапазоне 4—18 ГГц (рис. 2—4).

Перспективы развития КМИС
Дальнейшее развитие мощных КМИС связано прежде всего с улучшением характеристик транзисторов и теплоотвода от работающих приборов. Первым шагом в этом направлении является замена GaAs-транзисторов с затвором Шоттки (MESFET) транзисторами на псевдоморфных гетероструктурах (PHEMT). Разработанные в ОАО “Октава” PHEMT-транзисторы на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs, выращиваемых в ИФП СО РАН в лаборатории А.И.Торопова, имеют удельную насыщенную выходную мощность Руд = 1 Вт/мм и малосигнальный коэффициент усиления Кр = 7,2 дБ на частоте 18 ГГц (при напряжениях на стоке 7,5 В и КПД 60%) [2]. Полученные результаты обеспечивают возможность увеличения выходной мощности КМИС узкополосных УМ в Х-диапазоне (8—12,5 ГГц) до 10—15 Вт и до 3—4 — мощности широкополосного УМ в диапазоне 8—18 ГГц.
Дальнейшее кардинальное улучшение параметров КМИС связано с разработкой GaN/AlGaN HEMT-транзисторов. Нитрид галлия — это уникальный широкозонный материал, позволяющий создавать высокомощные и одновременно высокочастотные приборы благодаря высоким пробивным полям 33Ч105 В/см (в 8 раз выше, чем в GaAs), высокой плотности электронов в приборном канале NS > 1013 см-2 (на порядок выше, чем в GaAs), большой скорости насыщения электронов в больших электрических полях vS = 2,7Ч107 см/с, которая остается высокой при повышенных температурах. Такое сочетание электронных свойств обеспечивает более чем 20-кратное увеличение выходной мощности транзисторов на AlGaN/GaN-гетероструктурах по сравнению транзисторами на классических соединениях А3В5 (арсенид галлия, фосфид индия и др.) — порядка 30 Вт/мм на частоте 8 ГГц [3]. Для развития этого направления в ИФП СО РАН разрабатывается технология молекулярно-лучевой эпитаксии GaN/AlGaN-гетероструктур. Уже получены гетероструктуры с электрическими параметрами, сравнимыми с зарубежными результатами [4], что дает основание для проведения работ по разработке технологии мощных СВЧ-транзисторов. КМИС-технология позволяет наиболее быстро использовать преимущества GaN-транзисторов и создать СВЧ-устройства нового поколения. Кроме того, свойство технологии КМИС снижать затраты на гетероструктуры в отношении GaN проявляется в еще большей степени, поскольку GaN-гетероструктуры в несколько раз дороже GaAs-структур.

Литература
1. Мякишев Ю.Б., Барладян К.Л., Ожерельева Л.Ю. АС №1526521 (1987 год).
2. Бакаров А.К., Журавлев К.С., Торопов А.И. и др. Мощные полевые СВЧ-транзисторы на основе эпитаксиальных структур AlGaAs/GaAs. – Микроэлектроника, 2002, т.31, с.163–169.
3. Данилин В., Жукова Т., Кузнецов Ю. и др. Транзисторы на GaN. Пока самый “крепкий орешек”. – ЭЛЕКТРОНИКА: НТБ, 2005, №4, с.20–29.
4. A.G. Pogosov, M.V. Budantsev, R.A. Lavrov, et al.
Transport properties of the two-dimensional electron gas in GaN/AlGaN heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy. – Phys. Stat. Sol., 2006,
v.203, p. 2186–2189.

Резистивная память. Новый конкурент на рынке энергонезависимых ЗУ

Согласно отчету консультативной фирмы Web-Feet Research, процесс обратимого изменения сопротивления тонких окисных пленок позволит создать новый тип энергонезависимой памяти, образцы которой, возможно, поступят на рынок уже в этом году. Согласно оценкам производителя полупроводникового оборудования – компании Tegal, поставляющей технологические установки исследователям, резистивные ОЗУ (RRAM) обещают высокую плотность упаковки, низкую стоимость и малое энергопотребление микросхем памяти. Подобно многим другим технологиям до этого, RRAM обещают заменить флэш-память, если когда-нибудь у нее возникнут неразрешимые проблемы.
Хотя компании с неохотой берутся за изготовление изделий на основе незрелых или не полностью изученных материалов и процессов, размер рынка энергонезависимой памяти столь велик, что производители еще больше боятся потерять перспективный потенциальный сектор рынка, сулящий доход в много миллиардов долларов. Шумиха вокруг RRAM уже привела к тому, что только в США подано около дюжины патентных заявок эту технологию. Многие полупроводниковые компании ведут исследования в этой области и разрабатывают окисные пленки, процессы осаждения которых можно включать в стандартную технологию изготовления КМОП-микросхем.
Ячейки резистивного ОЗУ, как правило, представляют собой двухвыводные элементы, выполненные на основе оксидных тонких пленок со структурой перовскита или пленок двойных окислов металлов. Предметом академических исследований такие пленки стали после открытия ориентировочно в 2000 году индуцированного электрическим импульсом эффекта изменения их сопротивления. Предполагается, что импульс создает в пленке множество проводящих нитей, которые и приводят к изменению сопротивления пленки. Но при этом процесс образования таких проводящих дорожек является обратимым.
На основе анализа уже выданных или заявленных патентов США, можно сделать вывод, что в число компаний, разрабатывающих RRAM, входят Sharp, Sony, Samsung Electronics, LSI Logic, Matsushita Electric Industrial и Winbond Electronics. На сегодняшний день наиболее активные исследования в этой области ведет компания Samsung Electronics, разработавшая резистивное ОЗУ на базе многослойной плёнки из проводящих и резистивных полимеров (полиимид и PCBM производная фуллерена). Работы специалистов компании показали не только возможность создания резистивной памяти на базе полимерных материалов, но и возможность осаждения пленок таких материалов при низких температурах. А это позволит наносить матрицы памяти поверх обычных кремниевых микросхем. Несмотря на низкотемпературный процесс формирования пленок, разработчики утверждают, что они в течение часа смогут выдерживать температуру окружающей среды в 300°С без ухудшения характеристик. К тому же, показана возможность памяти выдерживать до 2000 циклов считывания/записи. Об итогах своих исследований разработчики компании Samsung доложат на ежегодной Международной конференции по электронным приборам IEDM, которая состоится 11–13 декабря этого года в Сан-Франциско
Известно и о разработанном компанией Sharp совместно с Университетом Шизуока опытном образце RRAM, превосходящего по быстродействию флэш-память NAND-типа в 1000 раз. Правда, размер матрицы памяти и процесс ее изготовления не известны.

По материалам
www.eetimes.eu
www.eetimes.com

Проектирование радиочастотных и микроволновых цепей: теория и приложения

Prefice

1. Линии радиосвязи

1.0 Введение

1.0 Введение

1.1 Введение

1.1 Отношения напряжения

1.1. Напряжение, ток и импеданс на линии передачи

1.2 Константы распространения

1.2.1 Дисперсия

1.2.2 Искажение амплитуды

1. 3.

1.4 Совпадающие и несовпадающие линии передачи

1.5 Волны на линии передачи

1.6 Диаграмма Смита

1.6.1 Получение диаграммы

1.6.2 Свойства диаграммы

1.7 Заглушки

1.8 Распределенные согласующие схемы

1

1.6. диаграмма

1.10 Согласование сосредоточенного импеданса

1.10.1 Согласование комплексного полного сопротивления нагрузки с реальным полным сопротивлением источника

1.10.2 Согласование комплексного полного сопротивления нагрузки с комплексным полным сопротивлением источника

1.11 Эквивалентная сосредоточенная схема линии передачи без потерь

1.12 Дополнительные задачи

1.13 Приложения

Приложение A1.1 Коаксиальный кабель

A1.1.1 Электромагнитные поля в коаксиальном кабеле

A1.1.2 Essential Essentials А1.2 Компланарный волновод

А1.2.1 Структура копланарного волновода (КПВ)

А1.2.2 Распределение электромагнитного поля на линии КПВ

А1. 2.3 Основные свойства копланарных (CPW) линий

A1.2.4 Резюме основных моментов, касающихся линий CPW

Приложение A1.3 Металлический волновод

A1.3.1 Принципы построения волновода

A1.3.2 Распространение волноводов

A1.3. волноводные моды

A1.3.4 Волноводное уравнение

A1.3.5 Фазовые и групповые скорости

A1.3.6 Теоретико-полевой анализ прямоугольных волноводов

A1.3.7 Волноводное сопротивление

A1.3.8 Моды прямоугольного волновода высшего порядка

A1.3.9 Затухание в волноводе

A1.3.10 Размеры прямоугольного волновода и обозначение волновода

A1.3.11 Круглый волновод

Приложение A1.4 Microstrip

представление линии передачи

Ссылки

2. Планарная схема I: проектирование с использованием микрополосковой линии

2.0 Введение

2.1 Распределение электромагнитного поля по микрополосковой линии

2. 2 Эффективная относительная диэлектрическая проницаемость,  

2.3 Графики проектирования микрополосковых устройств и программное обеспечение САПР

2.4 Ограничения по рабочей частоте

2.5 Толщина скин-слоя

2.6 Примеры микрополосковых компонентов

2.6.1 ответвления

2.6.1 ответвление

2.6.

2.6.3 Делитель мощности Уилкинсона

2.7 Структуры микрополосковых связанных линий

2.7.1 Анализ микрополосковых связанных линий

2.7.2 Микрополосковые направленные ответвители

2.7.2.1 Конструкция микрополосковых направленных ответвителей

2.7.2.2 Направленность микрополосковых направленных ответвителей

2.7.2.3 Усовершенствования микрополосковых направленных ответвителей

2.7.3 Примеры других распространенных микрополосковых структур со связанными линиями

DC.

2.7.3.2 Микрополосковый полосовой фильтр с краевой связью

2.7.3.3 Ответвитель Ланге

2. 8 Резюме

2.9 Дополнительные задачи

2.

3. Процессы изготовления ВЧ и СВЧ цепей

3.1 Введение

3.2 Обзор основных параметров материалов

3.2.1 Диэлектрики

9.0003

3.2 Проводники Требования к материалам радиочастотных схем

3.4 Изготовление планарных высокочастотных схем

3.4.1 Травление схем

3.4.2 Толстопленочные схемы (прямая трафаретная печать)

3.4.3 Толстопленочные схемы (с использованием фотоизображаемых материалов)

3.4.4 LTCC (низкотемпературная керамика совместного обжига)

3.4.5 Использование струйной технологии

3.5 Характеристика материалов для радиочастотных и микроволновых цепей

3.5. 1 Измерение диэлектрических потерь и диэлектрической проницаемости

3.5.1.1 Объемные резонаторы

3.5.1.2 Определение диэлектрических характеристик по возмущению полости

3.5.1.3 Использование раздельного диэлектрического резонатора (SPDR)

3.5. 1.4 Открытый резонатор

3.5.1.5 Измерения передачи в свободном пространстве

3.5.2 Измерение свойств плоских линий

3.5.2.1 Микрополосковое резонансное кольцо

3.5.2.2 Физические линии

900.2.2 свойства микрополосковых линий

3.6 Дополнительные задачи

ссылки

4. Планарная схема II: уточнения базовых конструкций

4.1 Введение

4.2 Разрывы в микрополосковых

4.2.1 Эффект открытого эффекта

4.2.2 Ширина ширина

4.2.3 Уголки

4.2.3 Уголки

4.2.4 Разрывы

4.2.5 T-Junctions

4.3 Microslip Chartosures

4.4 Упакованные пассивные компоненты сосредоточенного элемента

4.4. 1 Типовые упаковки для пассивных ВЧ-компонентов

4.4.2 Резисторы с сосредоточенными элементами

4.4.3 Конденсаторы с сосредоточенными элементами

4.4.4 Катушки индуктивности с сосредоточенными элементами

4.5 Миниатюрные плоские компоненты

4. 5.1 Спиральные катушки индуктивности

4.5.2 Контурные катушки индуктивности

4.5.3 Встречно-штыревые конденсаторы

4.5.4 Конденсаторы MIM (металл-изолятор-металл)

4.6 Приложение 4.1. Вносимые потери из-за микрополоскового зазора 90 002 с 900 S-параметры

5.1 Введение

5.2 Определения S-параметров

5.3 Графики прохождения сигналов

5.4 Правило Мэйсона о некасающейся петле

5.5 Коэффициент отражения двухпортовой сети

3 5.6 Коэффициенты усиления двухпортовых сетей

5.7 Стабильность

5.8 Дополнительные задачи

5.9 Приложение A5.1 Соотношения между параметрами сети

 A5.1.1 Параметры передачи (параметры ABCD)

 )

 A5.1.3 Параметры импеданса (Z-параметры)

Ссылки

6. Микроволновые ферриты

6.1 Введение

6.2 Основные свойства ферритовых материалов

6.2.1 Материалы феррита

6.2.2 Прецессия в ферритовых материалах

6. 2.3 Tensor проницаемость

6.2.3 Проницаемость Tensor

6.2.4 Феррриты

6.3 ферриты в металлическом волноводе

6.3.1 резонансный изолятор

6.3.2 Изолированный изолятор

6.3.3 Волноводный циркулятор

6.4 Ферриты в плоских цепях

6.4.1 Планарные циркуляторы

 6.4.2 Распространение с ориентацией по фронту

 6.4.3 Изолятор с ведением по фронту

6004.4 Фазовые переключатели

6.5 Самоврезываемые ферриты

6.6 Дополнительные проблемы

6.6 Список литературы

7. Измерения

7.1 Введение

7.2.2 7.1 Введение

7.2.2 RF и микроволновые соединители

7.2.1 Техническое обслуживание разъемов

7.2.2 Подключение к Planar схемы   

7.3 Векторные микроволновые анализаторы цепей

7.3.1 Описание и конфигурация

7.3.2 Модели ошибок, представляющие ВАЦ

7.3.3 Калибровка VNA

7.4 Организация измерений на вафере

7.5 Сводка

Список литературы

80 RF RF 70003

8. 1 Введение

8.2 Обзор ответов на фильтр

8.3 Параметры фильтра

8.4 Стратегия дизайна для РФ и микроволновые фильтры

8.5 Многоэлементный фильтр нижних частот

8.6 Практические характеристики фильтра

8.7 Баттервортовская (или максимально плоская) характеристика

 8.7.1 Фильтр нижних частот Баттерворта

8.7.3 Полосовой фильтр Баттерворта

8.7.3 Полосовой фильтр Баттерворта

8.8 Чебышевская характеристика (равные пульсации)

8.9 Микрополосковый фильтр нижних частот со ступенчатым сопротивлением

3

3

Микрополосковый фильтр нижних частот с использованием шлейфов

8.11     Микрополосковые полосовые фильтры с торцевой связью  

8.12      Микрополосковые полосовые фильтры с торцевой связью

8.13      Практические моменты, связанные с конструкцией фильтра

8.14 Сводка

8.15 Дополнительные проблемы

8.15 Дополнительные проблемы

8.16 Приложение A8.1 Эквивалентная сосредоточенная T-сеть Представление линии передачи

Ссылки

9. Микроволновые малые сигнальные усилители

9.1 Введение

9.2 Условия для сопоставления

9.3 Распределенные (микрополосковые) согласующие цепи

9.4 Цепи смещения постоянного тока

9.5 Корпуса микроволновых транзисторов

9.6 Типовой гибридный усилитель

9.70003

9.09

9.15 Circrectifate

9.15 одновременного сопряжения

9.15

9.15

9.15

9.15

9.15

9.15

9.15

9.15 Дополнительные проблемы

9.15 Каталожные номера

10. Переключатели и фазовращатели

10.1 Введение

10.2 Переключатели

10.2.1 PIN-диоды

10.2.2 FET (полевые транзисторы)

10.2.3 MEMS (микроэлектромеханические системы)

10.2.4 Устройства IPCS (Inline Phase Change Switch)

10.3 Цифровые фазовращатели

10.3.1 2 Фазовращатель с нагруженной линией

10.3.3 Фазовращатель отражательного типа

10.3.4 Фазовращатель Шиффмана 90

10. 3.5 Фазовращатель с одним переключателем

10.4 Дополнительные задачи 20 10002

9000Осцилляторы

11.1 Введение

11.2 Критерии для колебаний в схеме обратной связи

11.3 RF (транзистор) осцилляторы

11.3.1 Colpitts осциллятор

11.3.2 Hartley Escillator

11.3.3 CLAPP-GESCILLATOR

11.4 Генератор, управляемый напряжением (VCO)

11.5 Генератор, управляемый кристаллом

11.5.1 Генератор, управляемый кристаллом

 11.5.2 Генератор, управляемый кристаллом

11.6 Синтезаторы частоты

11.6.1 Контур фазовой автоподстройки частоты

11.6.1.1 Принцип работы контура фазовой автоподстройки частоты

11.6.1.2 Основные компоненты контура фазовой автоподстройки частоты

11.6.1.3 Коэффициент усиления контура фазовой автоподстройки частоты

11.6.1.4 Переходное анализ фазовой петли

11.6.2 Сервисные синтезаторы непрямого частоты

11,7 Микроволновые генераторы

11. 7.1 Диэлектрический резонатор генератор

11.7.2 Задержка Линия стабилизированный генератор

11.7.3 диодные осцилляторы

11.7.3.1 Ганн диодный генератор

11.7.3.2 IMBATT диодный генератор

11.8 Осциллятор шума

11.9 Измерение осциллятора SHOM

11.10 Дополнительные проблемы

Список литературы

12. РФ и микроволновые антенны

12.1 Введение

12.2 Параметры антенны

12.3 Сферические полярные координаты

12.4 Излучение диполя Герца

12.4.1 Основные принципы

 12.4.2 Коэффициент усиления вибратора Герца

12.5 Излучение полуволнового вибратора

 12.5.1 Основные принципы

 12.5.2 Коэффициент усиления полуволнового вибратора

3 . свойства полуволнового диполя

12,6 Антенные решетки

12,7 Взаимное сопротивление

12,8 Решетки, содержащие паразитные элементы

12,9 Решетка Яги-Уда

12,10 Лог-периодическая решетка

петли антенна

12. 12 Planar Antenens

12.12 12.12.1 линейно поляризованные патч-антенны

12.12.2 циркулярно поляризованные плоские антенны

12.13 роговые антенны

12.13 ROOD Rannens

12.14 Parabolic Reflicle Refender

12.15 Andiators

12.16 Дополнительные проблемы

12.17 Приложение: График микрополоскового проектирования для подложек с r = 2,3

Ссылки

13. Усилители мощности и усилители-распределители

13.1 Введение

13.2 Усилители мощности

13.2 Усилители мощности

13.2.1 Обзор параметров усилителя мощности

13.2.1.1 Усиливание мощности

13.2.1.2 Эффективность доставки мощности (PAE)

13.2.1.3 Входные и выходные импульсы

13.2.2 искажения 13.2.2.1 Сжатие усиления2.3.3 FeedForwarder

13.2.4 Комбинированные мощности

13.2.5

13.2.5 Doherty Усилитель

13.3 Сопоставление нагрузки усилителей мощности

13.4 Распределенные усилители

13. 4.1 Описание и принцип работы

13.4.2 Анализ

13.5 Разработка материалов и упаковки для усилителей мощности

Ссылки

14. Приемники и подсистемы

14.1 Введение

14.2 Источники шума приемника

14.2.1 Тепловой шум

14.2.2 Шум полупроводников

14.3 Показатели шума

14.3.1 Коэффициент шума (F)

14.3.2 Шумовая температура (Te цифра каскада 1

3

3 No сетей

14,5 Шумовая температура антенны

14,6 Шумовая температура системы

14,7 Коэффициент шума согласованного аттенюатора

14,8 Супергетеродинный приемник

14.8.1 Супергетеродинный приемник с одним преобразованием

3 14,78.2 Частота изображения

14.8.3 Показатели качества для супергетеродинного приемника

14.8.4 Супергетеродинный приемник с двойным преобразованием

14.8.5 График бюджета шума для супергетеродинного приемника

14.9 Смесители

1 принципы работы смесителя

14. 9.2 Параметры смесителя

14.9.3 Активные и пассивные смесители

14.9.4 Однотактный диодный смеситель

14.9.5 Одиночный балансный смеситель

14.9.6 Двойной балансный смеситель

39.7 Active FET Mixers

14.10 Дополнительные проблемы

14.11 Приложения

14.11 Приложения

Приложение A14.1 Функция ошибки

Приложение A14.2 Измерение шума Рисунок

Ссылки
Ответы на выбранные дополнительные проблемы

Микроволновая цепь Дизайн с использованием линейного и нелинейного Методы, 3-е издание

Предисловие xv

Предисловие xvii

1 ВЧ/СВЧ системы 1

1.1 Введение 1

1.2 Уравнения Максвелла 12

1.3 полосы частот, режимы и сигналы эксплуатации 12

1.4 аналоговые и цифровые сигналы 16

1.5 элементарные функции 25

1,6 базовые RF передатчики и приемники 31

1.7 RF беспроводной /СВЧ/миллиметровые волны 33

1. 8 Современные САПР для анализа нелинейных цепей 37

1.9 Линия динамической нагрузки 37

2 Сосредоточенные и распределенные элементы 43

2.1 Введение 43

2.2 Переход от РФ к микроволновым цепям 43

2.3 Паразитические E_CECT на сосредоточенные элементы 46

2.4 Распределенные элементы 54

2.5 Гибридный элемент: спиральная катушка 55

V

VI Содержание

3 Активные устройства 61

3.1 Микроволновые транзисторы 61

3.1.1 Классификация транзисторов 61

3.1.2 Основы биполярных транзисторов 631.4 Sige HBTS 90

3.1.5 Основы Tribe-e_ECT 3.1.5 95

3.1.6 GAN, GAAS и INP HELTS 106

3.1.7 MOSFETS 112

3.1.8 Упакованные транзисторы 130

3.2 Пример: выбор транзистора и смещения для малошумящих

Ampli_cation 134

3.3 Пример: выбор транзистора и смещения для конструкции генератора 138

3.4 Пример: выбор транзистора и смещения для усиления мощности 141

3. 4.1 Смещение 304 HEMT 0 04,2 Медицинские HBTS 145

4 Двухпортовые сети 153

4.1 Введение 153

4.1 ВВЕДЕНИЕ 153

4,2 Двухпортовые параметры 154

4,3 S Параметры 163

4,4 S Параметры от анализа специй 164

4,5 Мейсон Графики 165

4.6 Стабильность 168

4.7 Коэффициент усиления по мощности, коэффициент усиления по напряжению и коэффициент усиления по току 171

4.7.1 Коэффициент усиления по мощности 171

4.7.2 Коэффициент усиления по напряжению и коэффициент усиления по току 177

4.7.3 Коэффициент усиления по току 178

4.00028 трех портов 179

4.9 Вывод преобразователя Power Power 182

4.10 Di_RENTY S параметры 184

4.10.1 Измерения 186

4.10.2 Пример 187

4.11 Ввигаенные проволочные линии 187

4.12 Низкий шум и конструкция усилителя большой мощности 190

4.13 Примеры конструкции малошумящего усилителя 193

5 Согласование импеданса 209

5. 1 Введение 209

5.2 Диаграммы Смита и согласование 209

5.00023 Соответствующие сети импеданса 217

Содержание VII

5.4 Одноэффективное сопоставление 217

5.5 Двухэлементное совпадение 219

5.6 Соответствующие сети с использованием сосредоточенных элементов 220

5.7 Соответствующие сети с использованием распределенных элементов 221

5.7.1 Трансформаторы пар проводов 221

5.7.2 Трансформаторы линий передачи 223

5.7.3 Конические линии передачи 224

5.8 Ограничения полосы пропускания для согласующих сетей 225

6 Микроволновые фильтры 241

1 ВВЕДЕНИЕ 241

6.2 Дизайн прототипного фильтра низкого прохода 242

6.2.1 Ответ Баттерворта 242

6.2.2 Реакция Chebyshev 245

6.3 Преобразования 247

6.3.1 Фильтры с низким проходом: частота и импеданс масштабирования 247

6.3.2 Фильтры верхних частот 250

6.3.3 Полосовые фильтры 251

6.3.4 Узкополосные полосовые фильтры 255

6. 3.5 Заграждающие фильтры 259

6.4 Линейный фильтр 259

6.44.1 Semileumped Фильтры с низким проходом 263

6.4.2 Ричардс Преобразование 266

6.5 Точные проекты и САПР Инструменты 274

6.6 Реальные фильтры 275

6.6.1 Сумматические элементы 275

6.6.2 Элементы линии передачи 275

6.6.3 Объемные резонаторы 275

6.6.4 Коаксиальные диэлектрические резонаторы 276

6.6.5 Тонкопленочный объемно-волновой акустический резонатор (FBAR) 276

7 Шум в линейных и нелинейных двухпортовых портах 0 9.007 281 281 2811 ВВЕДЕНИЕ 281

7.2 Соотношение сигнал / шум 280002 7.2.2 9000

7.3 Измерения шума Рисунок 285

7.4 Параметры шума и корреляции шума 286

7.4.1 Корреляция матрицы 287

7.4.2 Метод объединения двухпортовой матрицы 288

7.4.3 Преобразование шума с использованием [ABCD] шума

Матрицы корреляции 288

7.4.4 Связь между параметром шума и [CA] 289

viii СОДЕРЖАНИЕ

7. 4.5 Представление корреляционной матрицы ABCD в терминах параметров шума [13]: 290

7.4.6 Преобразования матрицы корреляции шума 291

Источники на вход 292

7.4.9 Преобразование источников шума 294

7.4.10 Параметры ABCD для конфигураций CE, CC и CB 294

7.5 Шумное двухпортовое описание 295

7.6 Шума фигура каскадных сетей 301

7.7 Иномация внешних паразитарных элементов 303

7.8 CircoCS 305

7.9 Шум корреляция в линейных двухторах с использованием корреляции

Матрицы 309

7.10 Шум диаграмма тестирования 312

7.11 Как для определения параметров шума 313

7.12 Шум в нелинейных цепях 314

7.12.1 Источники шума в нелинейной области 316

7.13 Моделирование шума транзистора 319

7.13.1. Моделирование шума биполярных и гетеробиполярных транзисторов 320

7.13.2 Моделирование шума на поле-e_ECT транзисторов 332

7.14 Библиография 342

8 Машины и большой сигнал AMPLI_ER 347

8. 1 ВВЕДЕНИЕ 347

8.2 Одноступенчатый Ampli_er Design 349

8.2.1 High Gain 349

8.2.2 Максимально доступное усиление и одностороннее усиление 350

8.2.3 Low-Noise Ampli_er 357

8.2.4 High-Power Ampli_er 359

8.2.4 High-Power Ampli_er 359

8.2.32.5 широкополосный AMPLI_ER 360

8.2.6 Обратная связь Ampli_er 362

8.2.7 Cascode Ampli_er 364

8.2.8 Multistage Ampli_er 370

8.2.9 Распределенные AMPLI_ER и MATRIX AMALLI_ER 371

8.2.10 Millimeter-Wave Ampli_ers 376

8.3 Умножители частоты 376

8.3.1 Введение 376

8.3.2 Пассивное умножение частоты 377

8.3.3 Активное умножение частоты 378

8.4 Пример конструкции 1.9-ГГц PCS и 2.1-ГГц W-CDMA

Ampli_.5

8.5 Анализ стабильности и ограничения 384

Содержание IX

8.6 Проблемы 391

9 Power PowerI_ER Design 393

9.1 Введение 393

9.2, характеризующие транзисторы для power-ampli_er design 396

9. 3 Однокаскадный усилитель мощности 402

9.4 Многокаскадный усилитель 408

9.5 Усилители-распределители мощности 417

9.6 Класс эксплуатации 433

6.1. Оптимизация угол проводимости 437

9.6.2 Оптимизация гармонического расторжения 446

9.6.3 аналоговый коммутатор-режим Ampli_ers 451

9.7 E_CCOLION и линейность PA Топологии 456

9.7.1 dohertyty Ampli_er 456

9.7.2 Ортировки Усилители 460

9.7.3 Усилители EER Кана и слежения за огибающей 462

9.8 Цифровые микроволновые усилители мощности (класс D/S) 473

9.8.1 Топология режима напряжения 475

9.8.2 Топология текущего режима 480

9.9 Power Ampli_

9.9 Power Ampli_ER Stainiability 487

10 Дизайн осциллятора 49000

10.1 Введение 49000

10,2 ВВЕДЕНИЕ 49000

10,2 Сжатая Смит-диаграмма 502

10.3 Серия или параллельный резонанс 506

10.4 Резонаторы 507

10.4.1 Диэлектрические Резонаторы 508

10. 4.2 ЖИГ-резонаторы 512

10.4.3 Варакторные резонаторы 517

10.4.4 Керамические резонаторы 518

10.4.5 Связанный резонатор 519

3

3 9.4.44.6 Измерения резонатора 525

10.5 Двухпортовый генераторный дизайн 531

10.6 Отрицательное сопротивление от транзисторов модели 535

10.7 Осциллятор Q и выходной мощности 547

10.8 Шум в осцилляторах: Линейный подход 550

10.8.1 Осциллятор Leeson Модель 550

10.8.2 Проектирование с низким уровнем шума 557

10.9 Аналитический подход к проектированию оптимального генератора с использованием

S-параметров 568

10.10 Нелинейные активные модели для генераторов 583

x0CONTENT10.1 Диоды с гиперийным соединением 584

10.10.2 Silicon Versus Arsenide 585

10.10.3 Выражения для GM и GD 587

10.10.4 Нелинейные выражения для CGS, GGF и RI 590

10.10.5 Аналитическое моделирование ВАХ 591

10.10.6 Вывод эквивалентной схемы 591

10. 10.7 Определение условий колебаний 591

10.10.8 Нелинейный анализ 594

90 20.69 Заключение11 Дизайн осциллятора с использованием нелинейных инструментов CAD 596

10.11.1 Метод извлечения параметров 600

10.11.2 Пример методологии нелинейной конструкции: 4-GHZ

Осциллятор {AMALI_ER 604

10.11.3 Вывод 610

10.12 Средства микроволн. 610

10.13 Расчет генератора с использованием параметров Y для сильного сигнала 614

10.14 Пример проектирования для сильного сигнала на основе функций Бесселя 617

10.15 Пример расчета для оптимального фазового шума и хорошей выходной мощности 622

1016 A Пример дизайна для частоты 350 МГц. Осциллятор Colpitts

630

10.16.1 1 / F Шум: 644

10,17 2400 МГц на основе MOSFET Push {Pull Escillator 645

10.17.1 Уравнения дизайна 647

10.17. 2 Проектные расчеты 652

10.17.3 Фазовый шум 653

10.18 CAD-решение для расчета фазового шума в генераторах 656

10. 18.1 Общий анализ шума из-за модуляции и

преобразования в генераторы 6518.2 Модуляция синусоидального сигнала 657

10.18.3 Модуляция с помощью шума сигнал 658

10.18.4 Модели шума осциллятора 659

10.18.5 Модуляция и преобразование Шум 661

10.18.6 Нелинейный подход для вычисления шумоподаваний

схем генераторов 661

10.18.7 Генерация шума в генераторах 663

10.18.8 Метод преобразования частоты 663

10.18.9 Анализ шума преобразования 664

10.18.10noise Performance Index Из-за преобразования частоты 664

10.18.11Modulation Анализ шума 666

10.18.12noise Индекс производительности Из-за вклада

Модуляционный шум 668

10.18.13:00

CORELATION COE_CINE 669

Содержание XI

10.19 Измерение фазового шума 670

10.19.1 Методы измерения фазового шума 671

10.20 Вернуться к обычной системе измерения фазового шума

(Hewlett-Packard) 684

10. 21 Состояние из искусства 688

10.21.1 Путь аналогового сигнала 689

10.21.2 Цифровой сигнал Путь 690

10.21.3 Измерение импульсного фазового шума 692

10.21.4 Перекрестная корреляция 693

10.22 Производительность 694

10.23 Шум в цепях и полупроводниках [10.87, 10.88, 10.99] 695, 10.88, 10.99] 695, 10.88, 10.99] 695

10.24 Критация валидации 69000

10.24.1 1000-МГц Керамический резонатор (CRO) 699

10.24.2 4100-MHZ Осциллятор с коробкой передач Линейные резонаторы 703

10.24.3 2000-MHZ GaAs GAAS-DET-Осциллятор 707

10.25 Аналитический подход для проектирования проектирования Ecient Microwave FET

и биполярные осцилляторы (оптимальная мощность) 709

10.25.1 серии обратной связи (MESFET) 709

10.25.2 Параллельная обратная связь (Mesfet ) 714

10.25.3 Последовательная обратная связь (биполярная) 716

10.25.4 Параллельная обратная связь (биполярная) 719

10. 25.5 Пример полевого транзистора 720

10.25.67 Synthesizers 732

10.25.8 Самококолезованный смеситель 732

10.26 Введение 735

10.26 Введение 735

10.27 большой уровень шума сигнала 735

10.28 Количественная фазовая шума 743

10.29 Сводка 745

11 Частотный синтезатор 769

11.1 Строительный блок синтезатор 771

11.1.1 Генератор, управляемый напряжением 771

11.1.2 Опорный генератор 771

11.1.3 Делитель частоты 771

11.1.4 фазовычастотные сравнители 774

11.1.5 Фильтры петли – фильтры для фазовых детекторов, обеспечивающих выход

Вывод напряжения 779

11.1.6 Пример 784

11.2. Важные характеристики синтезатора 787

11.2.1 5.287

11.2 .2 Фазовый шум 788

xii СОДЕРЖАНИЕ

11.2.3 Паразитный отклик 788

11.2.4 Переходное поведение цифровых контуров с использованием трехпозиционных детекторов

Фазовые детекторы 788

11. 3 практических цепей 796

11.4 Фракционный принцип 799

11.4.1 Пример: 802

11.4.2 Методы подавления SPUR 805

11,5 цифровой прямой частоты синтезатора 808

11.5.1 DDS Преимущества 811

12 Конструкция микроволнового смесителя 815

12.1 Введение 815

12.2 Теория диодного смесителя 823

12.3 Однодиодные смесители 836

12.4 Однобалансные смесители 847

1

25 двойных сбалансированных миксеров 863

12.6 Mixer Mixer 891

12.7 Сбалансированные смесители FET 915

12.8 Резистивные (Reecivity) Смесители FET 930

12.9 Специальные смесительные схемы 938

12.10 Mixer Shum 950

12.10.1 Смеситель Анализ (MOSFET) 950

12.10.2 Шум в резистивных смесителях GaAs HEMT1 958

13 ВЧ-переключатели и аттенюаторы 971

13.1-контактные диоды 971

13.2-контактные диодные переключатели 974 974

3-контактные диодные аттенюаторы 985

13.4 коммутаторы 987

14 моделирование микроволновых микросхем 995

14. 1 Введение 995

14.2 Введение 995

14.2 Типы дизайна 997

14.2.1 печатная плата 997

14.2.2 монолитная микроволновая печь встроенных цепей 998

14.3 Design Entry 999

14.3.1 Схема захвата 9902 14.3.1 Схема захвата 999

14.3.2 Доска и макет MMIC 1000

1based на Майкл Марграф, “Niederfrequenz-rauschen und Intermodatingen von резистивен FET-Subchern,”

Phd Диссертация в Берлинском институте технологии, 2004 (на немецком языке) [12].Рисунки перепечатаны с разрешения.

Подход к моделированию шума смесителя также был опубликован в [13, 14, 15].

Содержимое XIII

14.4 Линейная цепь имитация 1001

14.4.1 Small-Signal AC и S-параметр моделирования 1001

14.4.2 Пример: микроволновый фильтр, схематический на основе 1004

14.5 нелинейный симуляция 1004

14.5.1 Метод Ньютона 1006

14.5.2 Моделирование транзисторов 1007

14.5.3 Моделирование переходных процессов 1008

14. 5.4 Пример: переходный процесс 1010

14.5.5 Симуляция гармонического баланса 1012

14.5.6 Пример: гармонический баланс, однотональный усилитель 1016

14.5.7 Пример: гармонический баланс, двухтональный усилитель 1017

3 4 4.5003 4.5.7 Моделирование 1019

14.5.9 Пример: огибающая, модулированный усилитель 1023

14.5.10 Схема смешения и тепловое моделирование 1024

14.5.11 Пример: электротермический 1027

9 402 9 14.62 Электромагнитное моделирование6.1 Метод моментов 1031

14.6.2 Метод конечного элемента 1031

14.6.3 Конечное ди- Доброе время 1032

14.6.4 Выполнение моделирования EM 1032

14.6.5 Пример: микроволновый фильтр, EM на основе 1034

14.7 Проектирование для производства 1034

14.7.1 Оптимизация схемы 1035

14.7.2 Пример: оптимизация 1037

14.7.3 Варианты компонентов 1041

14.7.4 Анализ Монте-Карло 1042

3 1042

7.5 Пример: анализ Монте-Карло 1044

14. 7.6

14.7.6. AMALI_ER 1050

14.8.4 DC Дизайн подачи DC 1053

14.8.5 Дизайн разделителя Wilkinson 1053

14.8.6 Анализ сопоставления и линейного осциллятора 1053

14.8.7 Оптимизация усиления петли и фазы 1057

14.8.8 Анализ нелинейных осцилляторов 1057

14.8.9 1 / F Характеристика шума 1059

14.8.10 Фазовый шумометр 1066

14.8.11 Время запуска генератора 1069

14.8.12 Макет EM Cosimulation 1069

14.8.13 Сводка дизайна осциллятора 1070

XIV Содержание

14.9 Заключение 1071

Приложение 1071

ПРИЛОЖЕНИЯ A: Деривации для одностороннего усиления

Раздел 1075

Приложение B: Векторное Представление двухцветных интермодуляционных продуктов 1077

Однотонный анализ 1078

анализ двухцветных 1080

смещение, индуцированные смещение искажение 1086

Summary 1089

Single-Tone 1089

Развертывание серии Volterra 1090

Фундаментальный термин 1091

DC Term 1091

нелинейная параллельная сеть RC 1092

Благодарности 1094

Библиография 1095

Приложение C: пассивные микроволновые элементы 1097

сосредоточенные элементы 1098

распределенные элементы 1100

разрывы 1107

монолитные элементы 1110

элементы специального назначения 1113

индекс 1119

U3851A RF микроволновая цепь Дизайн, симуляция и измерение Курсы, 5G NR n3

  • Лабораторные курсы, охватывающие весь жизненный цикл проектирования РЧ-систем
  • Помогает преподавателям университетов экономить время и ресурсы, расширяя текущие инженерные программы
  • Помогает университетам легко интегрировать лабораторные курсы в текущую учебную программу
  • Гарантирует, что учащиеся полностью ознакомлены с последними разработками в области машиностроения

Учебное ПО U3851A для проектирования, моделирования и измерения ВЧ-схем СВЧ-диапазона является основным компонентом решения Keysight для обучения СВЧ-диапазонам. Учебное программное обеспечение включает в себя модульный набор прототипов, в котором используется модуль приемника 1,8 ГГц, редактируемые лабораторные листы и задания на основе задач, рассчитанные на 50 часов лабораторных занятий. С помощью учебного программного обеспечения U3851A студенты узнают, как проектировать ВЧ-продукт от начала до конца, от спецификации и моделирования до создания прототипа и проверки. Студенты приобретут практические навыки использования стандартных контрольно-измерительных приборов, таких как осциллографы, анализаторы цепей, генераторы сигналов и анализаторы спектра.Они также узнают, как спроектировать радиочастотный приемник с помощью ведущего в отрасли программного обеспечения Keysight для проектирования и автоматизации электроники (EDA), в том числе PathWave Advanced Design System (ADS) и PathWave System Design (SystemVue).

Решение Keysight для обучения радиочастотным микроволнам закладывает прочную основу для изучения основ радиочастотного микроволнового излучения, открывая путь для специализации учащихся в области передовых беспроводных приложений 5G или IoT. Такие практические навыки и прикладные знания в реальном мире, полученные с помощью курсов, сделают студентов готовыми к работе в отрасли и будут пользоваться большим спросом.

Учебный комплект состоит из модульного комплекта прототипа, контроллера комплекта, адаптеров RF и разветвителя, кабелей (RF, питания, LAN, BNC), адаптера питания и футляра для переноски.

  • Лабораторные листы: Лаб. 1 — Линии передачи, Лаб. 2 — Фильтр, Лаб. 3 — Малошумящие усилители, Лаб. 4 — Драйвер и усилители мощности, Лаб. Проектирование, моделирование и измерение
  • Рекомендуемые инструменты: Генератор сигналов (N9310A), анализатор спектра (N9000B), анализатор цепей (N9917A), источник шума (346B), источник питания (E36312A), осциллограф (DSOX1102G), набор для калибровки (85521A)
  • Требуемое программное обеспечение EDA: PathWave Advanced Design System (ADS), PathWave RF Synthesis (Genesys) PathWave EM Design (EMPro), PathWave System Design (SystemVue)
  • Дополнительное программное обеспечение: PathWave BenchVue
  • Какое место это занимает в вашей учебной программе?
    • Целевой университетский предмет: ВЧ- и СВЧ-дизайн
    • Целевой год обучения: студенты 3-го и последнего курсов
    • Предпосылки: Основные схемы, сигналы и системы, аналоговая электроника и электромагнетизм

Образец лабораторного листа для U3851A

Advanced RF & Microwave Circuit Design (обновленная и модернизированная версия

)

RF and Microwaves в настоящее время находится на переднем крае в качестве фундаментальной технологии для многочисленных промышленных и коммерческих приложений. Поскольку применение РЧ и микроволн продолжает развиваться и эта технология становится обычным фактором в научном и инженерном сообществах, крайне важно, чтобы студенты университетов и практикующие ученые и инженеры были полностью знакомы с принципами измерения, электроникой и основами проектирования, лежащими в основе этой технологии. .

 

РЧ и микроволны в настоящее время находятся на переднем крае в качестве фундаментальной технологии для многочисленных промышленных и коммерческих приложений.Поскольку применение РЧ и микроволн продолжает развиваться и эта технология становится обычным фактором в научном и инженерном сообществах, крайне важно, чтобы студенты университетов и практикующие ученые и инженеры были полностью знакомы с принципами измерения, электроникой и основами проектирования, лежащими в основе этой технологии. .

 

Advanced RF  & Microwave Circuit Design — это самый быстрый способ освоить этот важный предмет, а информация, содержащаяся на страницах этой книги, сделает каждую ключевую электронику, измерение и принцип проектирования простой задачей.

 

Книга знакомит с концепциями по широкому кругу материалов и имеет ряд преимуществ по сравнению с существующими текстами, в том числе:

1.   Представление ряда научных постулатов и аксиом, которые закладывают основу для любой из инженерных наук и являются уникальными для этой книги по сравнению с аналогичными текстами по РЧ и СВЧ.

2. Презентация классических законов и принципов электричества и магнетизма, взаимосвязанных, концептуально и графически.

3.      Акцент смещается со строгих математических решений уравнений Максвелла на простые, но фундаментальные концепции, лежащие в основе этих уравнений. Это смещение акцентов будет способствовать более глубокому пониманию электроники, особенно на радиочастотах и ​​микроволновых частотах.

4. Подробно рассмотрены основы электроники, что облегчает переход к принципам ВЧ/СВЧ и предотвращает пробел в знаниях у читателя.

Магазин IET – Теория СВЧ-схем и основы метрологии СВЧ

  В наличии

Ограниченное количество: 4 в наличии


Цифровая библиотека IET
Это издание доступно в электронном виде
в Цифровой библиотеке IET
Гленн Ф.
Энген

Ни одна система в науке или технике не может быть успешно спроектирована, проанализирована и определена, если она не подкреплена точными количественными измерениями. Это особенно сложно в области микроволн, где чаще всего интересующий параметр (параметры) нельзя наблюдать напрямую, а необходимо вывести из измерения других связанных параметров. Хотя появление автоматизированного сетевого анализатора устранило большую часть прежней рутинной работы, проблемы интерпретации информации, отображаемой в цифровом виде, все еще остаются.Одна из целей этой книги — дать читателю полное представление о модели СВЧ-схемы и ее ограничениях и, таким образом, устранить множество потенциальных ловушек, которые в противном случае подстерегают неосторожного экспериментатора.

Начиная с уравнений поля, в книге сначала излагаются теоретические основы теории микроволновых цепей с особым акцентом на ее сходство и отличие от низкочастотного аналога. Это приводит к идентификации параметров, подлежащих измерению, после чего следует обзор методов измерения с акцентом на «почему» в дополнение к «как».

Особое внимание уделяется «методам уравнения мощности», оценке адаптера, шестипортовому сетевому анализатору и шуму. В частности, в этих областях книга включает недавно разработанные материалы, которые ранее не публиковались.

Об авторе

За более чем 30 лет работы в Национальном бюро стандартов Гленн Ф. Энген опубликовал более сорока статей в области микроволновой метрологии.Его вклад в искусство был отмечен золотыми и серебряными медалями Министерства торговли, премией NBS в области прикладных исследований, премией Общества (приборы и измерения), премией Вудингтона за профессионализм в области метрологии, членством в IEEE в качестве научного сотрудника и ARFTG Automated. Награда за карьеру в области измерения.

Год публикации: 1992 г.

Страницы: 256

ISBN-13: 978-0-86341-287-5

Формат: ХБК

ARTECH HOUSE USA: Практические микроволновые схемы

Эта книга отличается тем, что представляет микроволновые и радиочастотные технологии с точки зрения схемотехники, а не набора электромагнитных проблем.Акцент делается на получении практического понимания часто упускаемых из виду, но жизненно важных физических процессов. Этот ресурс предоставляет инженерам СВЧ-схем аналитические методы для понимания и проектирования высокочастотных схем почти полностью с точки зрения схемы. Электромагнитные концепции не избегаются, но они используются только по мере необходимости для поддержки схемотехнических концепций или для описания таких явлений, как излучение и поверхностные волны в микрополосках.

Предисловие. ; Линии передачи – Линии передачи. Практические соображения. Применение: Радиоуправляемая линия передачи. Применение: Многосекционный четвертьволновый трансформатор.; Связанные линии передачи и модальный анализ – анализ четных и нечетных мод. Общие, несколько связанных линий. Балун Дизайн. ; Параметры рассеяния – описание цепи в терминах волновых величин. Свойства матрицы рассеяния. Анализ S-параметров двух портов. Стабильность. Передаточная матрица рассеяния.; Соответствующие схемы – основы.Узкополосное согласование. Трансформаторы линии электропередач. Классический синтез. Распределенные сети. Современные методы.; Анализ цепей – анализ сетевых графиков. Узловой анализ. ; Моделирование цепей и элементов – характеристика цепей. Некоторые полезные несуществующие компоненты. Некоторые проблемные элементы схемы.; Активные двухпортовые — теория усилителей. Шум. Дизайн усилителя.; Сбалансированные и квадратурно-связанные схемы — гибридные переходы на 90 и 180 градусов. Схемы с квадратурной связью. Балансные усилители с балунами и 180-градусным углом; гибриды; Об авторе.Показатель.;

  • Стивен А. Маас Стивен А. Маас — независимый консультант и главный научный сотрудник корпорации AWR. Он получил докторскую степень. по электротехнике из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе.

Почему моя микроволновая печь постоянно отключает автоматический выключатель?

На общие вопросы по электротехнике отвечает местный электрик из Индианаполиса.

Конец долгого дня.Вы истощены. Ваши дети истощены. И, конечно же, все голодны. К счастью, вы помните вчерашние остатки в холодильнике. Вам просто нужно поставить их в микроволновую печь на несколько минут. И… микроволновая печь отключает автоматический выключатель.

Мы часто слышим вопрос: «Почему моя микроволновая печь отключает автоматический выключатель?» Ответ: Цепь становится перегруженной.

Микроволны часто вызывают перегрузку электрических цепей, что может доставлять неудобства и беспокоить домовладельцев. Проще говоря, микроволновая печь потребляет больше тока, чем рассчитана электрическая цепь. Электрические цепи рассчитаны на определенное количество ампер, а микроволновая печь превышает это значение, вызывая срабатывание автоматического выключателя.

Срабатывание автоматических выключателей — обычное дело в домашнем хозяйстве, но когда это происходит постоянно, пора добраться до сути проблемы и найти решение. Итак, что заставляет микроволновку перегружать электрическую цепь?

Есть две возможные причины, по которым микроволновая печь продолжает отключать автоматический выключатель:

  • Микроволновая печь работает неправильно и потребляет слишком много электроэнергии.
  • Слишком много электроприборов подключено к одной цепи.
Причина №1: микроволновая печь неисправна.

Сначала проверьте, не связана ли проблема с работой микроволновой печи. Подключите микроволновую печь к месту, где выключатель установлен на более высокий ток (например, в гараже), затем включите микроволновую печь и посмотрите, что произойдет.

Если срабатывает автоматический выключатель в этой области, это признак того, что с микроволновой печью что-то не так.Вы должны либо починить микроволновую печь, либо заменить ее.

Если выключатель не срабатывает, это означает, что микроволновая печь в порядке, но для нее требуется отдельная выделенная цепь.

Причина № 2: к одной цепи подключено слишком много устройств.

Поскольку большинство микроволновых печей потребляют около 12 ампер, им нужна собственная выделенная цепь. Это означает, что они не должны делить цепь с какими-либо другими приборами, иначе они быстро перегрузят цепь и отключат выключатель.

Чтобы проверить, подключена ли ваша микроволновая печь к выделенной цепи, посмотрите на этикетку на сработавшем выключателе.Если написано «микроволновая печь», вероятно, она подключена к выделенной цепи. Если нет, вполне вероятно, что микроволновая печь использует общую цепь с другими приборами, и цепь становится перегруженной.

Нужна установка специальной цепи? Позвоните в «Уайтс Электрик» сегодня!

Как всегда, оставьте электромонтажные работы профессионалам.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.