Содержание

2p4m 2A / 400V-126 в линию однонаправленный Triac 10 Polouta транзисторов

2P4M 2A / 400V-126 в линию однонаправленный Triac 10 POLOUTA транзисторов

 

Изображение продукции

 

 

Пакет

·Стандартная упаковка: Процессоров в штучной упаковке

·Сведения об упаковке: Заводские запечатанной упаковке
·Мы можем судоходства во всем мире путем DHL,   UPS,   Fedex и EMS, упаковки очень безопасных и strong. Если у вас есть особые потребности
·Дайте нам знать
·Это займет у вас всего 3-5 дней для достижения ваших рук

 

Приложение

Основные продукты являются ic MOS трубки, IGBT, диод, triode, тиристор, три клеммы регулятора давления и т. Д.

Продукция широко используются блоки питания и зарядные устройства, цифровой продукции, систем связи, драйверы светодиодов, интеллектуальные системы, беспилотных самолетов, автомобильной электроники

Аудио, гарнитуры Bluetooth и других электронных изделий

Сертификаты
 

В 2010 году компании зарегистрированы на китайском и английском языках товарными знаками корпорации "Джин Dapeng JDP", много энергии в исследования и разработки продукции и

Успешно разработала серию высокого качества торговой марки - электронные компоненты, которое получило признание и поддержку со стороны большинства клиентов приложений



 

Другие продукты
 


 

Наши услуги

(1) первоначального количества и цены

(2)  Участие в IC отрасли более чем на 25 лет
(3) быстрой и безопасной доставки
(4)  100% & Оригинала
(5) Группа специалистов по обслуживанию
(6) предоставлять специализированные услуги IC
(7) хорошей обратной связи со всего мира


 

 

2p4m тиристор схема - floralux24.ru

Скачать 2p4m тиристор схема PDF

Здесь подробно рассмотрены методы однокнопочного управления тиристорными коммутаторами. Принцип работы тиристорных однокнопочных управляющих устройств основан на динамических зарядно-разрядных процессах в схемы управления тиристора [EW 4/]. Схема однокнопочного управления тиристором.

Схема зарядного устройства для шуруповёрта (марку шуруповёрта не знаю) принесли только зарядник Стоит по 2p4m Q1 Транзистор марка 2Р4М и всё больще ничего 2p4m написано высокая подложка под тиристор (стоит без радиатора) пробит полностью какие параметры его может кто то что то знает?

На рисунке 1 показана одна из простейших схем однокнопочного управления тиристорным коммутатором. В зависимости от необходимого рабочего напряжения и подбирайте тиристор.

Как проверить тиристор на работоспособность? Да очень просто! В статье описывается принцип работы тиристора, а также его методы проверки.  Есть также схема отличного прибора для проверки тиристора, ее можно глянуть в этой статье. Также советую глянуть видео от ЧипДипа про проверку тиристора и ток удержания.

Возможность скачать даташит (datasheet) 2P4M в формате pdf электронных компонентов. Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 файлов доступных для скачивания.

Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта. Искать datasheet c. Наименование Описание. Начинается на: Содержит: Более 1 datasheets например:LM 2P4M - 2P4M-Plastic Molded Thyristor.

Тиристор общего применения промышленной частоты ток 2А напр. В. Есть одна особенность маленький ток управления - меньше мкА. То что рекомендуют на замену C D1, TAG D, C D, TAG D не знаю есть ли в продаже. Можно попробовать в связке BTD, BT менеедефицитные детали но не зная конкретного применения не знаю как будет работать. Только что посмотрел прайсы в продаже такой тиристор есть и не дорогой - стоит ли ломать копья с заменой. Схема зарядного устройства для шуруповёрта (марку шуруповёрта не знаю) принесли только зарядник Стоит по позиции Q1 Транзистор марка 2Р4М и всё больще ничего не написано высокая подложка под радиатор (стоит без радиатора) пробит полностью какие параметры его может кто то что то знает?

Доктор. аналогопатолог Сообщения: GMI, а это не твой "Транзистор" floralux24.ru? ЗЫ: а маркировку то надо писать по англицки GMI. Предупреждений: 2 Сообщения: Доктор, пордонс 2P4M написал по английски. Добавлено. TSE2P4M Даташит, TSE2P4M Datasheet PDF, ETC - Thyristors / Package: TO / V, TSE2P4M даташитов, TSE2P4M pdf. Купить 2P4M TO, тиристор в интернет-магазине радиодеталей RadioComplect в Москве с доставкой по России. Всегда низкие цены и быстрая доставка.  Купить 2P4M TO, тиристор.

Чтобы оформить заказ, заполните форму. В течение пары часов с вами свяжется менеджер и уточнит детали заказа, а также время доставки.

Ваше имя. * Телефон. * E-mail. * Адрес доставки. Схема включения тиристора и симистора с импульсным запуском. Снижение требуемой при импульсном управлении мощности и возможность введения гальванической развязки позволяют применить в узлах управления тиристорами бестрансформаторное питание.

Включение тиристора через ключ и ограничительный резистор.  Если же нагрузка имеет выраженный индуктивный характер, можно рекомендовать схемы управления, приведенные на рис.

2. Для уменьшения помех радиоприему необходимо включение в сетевые провода помехоподавляющих фильтров, а если провода от регулятора до нагрузки имеют заметную длину, то и в эти провода тоже. Распространенные схемы управления тиристорами или симисторами. Самой распространенной схемой является симисторный или тиристорный регулятор. Здесь тиристор открывается после того как на конденсаторе будет достаточная величина для его открытия. Момент открытия регулируется с помощью потенциометра или переменного резистора.

Чем больше его сопротивление - тем медленнее заряжается конденсатор. Резистор R2 ограничивает ток через управляющий электрод. Эта схема регулирует оба полупериода, то есть вы получаете полную регулировку мощности почти от 0% и почти до %.

doc, rtf, fb2, fb2

нужна электрическая схема зарядного устройства рвс 6

Электрическая схема зарядного устройства

Электрическая схема зарядного устройства литиевых аккумуляторов, применяемых в мобильных гаджетах сводится к обеспечению их в процессе заряда постоянным напряжением, превышающим на 10

Схема электрическая принципиальная зарядного

Схема тиристорного зарядного устройства на КУ202. Перечень используемых компонентов в схеме c1 = 0,47-1 мкФ 63В. r1 = 6,8к — 0,25Вт r2 = 300 — 0,25Вт r3 = 3,3к — 0,25Вт r4 = 110 — 0,25Вт r5 = 15к — 0,25Вт r6 = 50 — 0,25Вт r7 = 150 — 2Вт

Скачайте архив инструкция зарядному устройству рвс-6

1 Евгений (07.10.2013 14:15) Нужна Инструкция для зарядного устройства Imax B6 (русский язык). ребята кто может,помогите,нужна схема з/у РВС-6.Зарядка простая и схема для ремонта не нужна А если уж сильно нужно рисуйте в ручную.

Зарядные устройства полный список схем и

Схема автоматического зарядного устройства (на LM555) 347: 16.11.2016: 167: Схема автоматического зарядного устройства для сотовых телефонов : 663: 16.11.2016: 168: Схема блока питания и зарядного устройства

Зарядное устройство РВС-6 Форум

01/02/2013· Зарядное устройство РВС-6 Авто и Мото. Все . Измерения; Микроконтроллеры; Силовая электроника

Схема простого зарядного устройства с регулировкой

Схема зарядного устройства, обеспечивающее зарядку 12-вольтовых аккумуляторных батарей током до 15 А, причем ток зарядки можно изменять от 1

Автомобильные зарядные устройства. Схемы. Принцип

Технические характеристики зарядного устройства ТИПА УЗС-П-12-6,3 УХЛ 3.1. «Электроника», «Электроника-М», «Электроника-И» Питание устройства осуществляется от сети переменного тока напряжением (220±22) В и частотой 50 и 60

Зарядные устройства в каталоге схем и документации

Принципиальная электрическая схема зарядного устройства alinco edc-64 На рис. 6.17 приведена схема простого бестрансформаторного блока питания buz41a. Через включенный по схеме с общим стоком транзистор vt1 конденсатор СЗ з�

Схемы зарядных устройств | 2 Схемы

Схема автомобильного зарядного устройства 18.12.2018 8134 Зима неумолимо приближается и скоро начнется сезон покупки (сборки) автомобильных зарядных устройств.

Схема электрическая принципиальная зарядного

Схема электрическая принципиальная зарядного устройства ресурс 1 Зарядное устройство ресурс-1 Помогите разобраться.. Вопшем,, принесли , наремонтировать,,

Схема электрическая принципиальная зарядного

Схема тиристорного зарядного устройства на КУ202. Перечень используемых компонентов в схеме c1 = 0,47-1 мкФ 63В. r1 = 6,8к — 0,25Вт r2 = 300 — 0,25Вт r3 = 3,3к — 0,25Вт r4 = 110 — 0,25Вт r5 = 15к — 0,25Вт r6 = 50 — 0,25Вт r7 = 150 — 2Вт

Электрическая схема зарядного устройства бархат м

Схема тиристорного зарядного устройства на КУ202. Перечень используемых компонентов в схеме c1 = 0,47-1 мкФ 63В. r1 = 6,8к — 0,25Вт r2 = 300 — 0,25Вт r3 = 3,3к — 0,25Вт r4 = 110 — 0,25Вт r5 = 15к — 0,25Вт r6 = 50 — 0,25Вт r7 = 150 — 2Вт

Зарядное устройство для герметичных свинцовых

Схема зарядного устройство для герметичных гелиевых АКБ . Питается схема от 5 до 40В, но лучше не превышать 30В Выдает до 32В стабилизированного напряжения Ток заряда до 2А, но лучше не превышать 1.5А. Перечень компонентов.

Схема электрическая принципиальная зарядного

Схема электрическая принципиальная зарядного устройства ресурс 1 Зарядное устройство ресурс-1 Помогите разобраться.. Вопшем,, принесли , наремонтировать,,

Схема зарядного устройства электроника для

Схема тиристорного зарядного устройства на КУ202. Перечень используемых компонентов в схеме c1 = 0,47-1 мкФ 63В. r1 = 6,8к — 0,25Вт r2 = 300 — 0,25Вт r3 = 3,3к — 0,25Вт r4 = 110 — 0,25Вт r5 = 15к — 0,25Вт r6 = 50 — 0,25Вт r7 = 150 — 2Вт

Тиристорное зарядное устройство для автомобильного

Схема тиристорного зарядного устройства на КУ202. Перечень используемых компонентов в схеме c1 = 0,47-1 мкФ 63В. r1 = 6,8к — 0,25Вт r2 = 300 — 0,25Вт r3 = 3,3к — 0,25Вт r4 = 110 — 0,25Вт r5 = 15к — 0,25Вт r6 = 50 — 0,25Вт r7 = 150 — 2Вт fu1 = 10А vd1 = ток 10А

ЗАРЯДНО-РАЗРЯДНОЕ УСТРОЙСТВО

Она нужна для питания вольтметра на модуле ek-2501, той же фирмы. Измерительный вход модуля всегда подключен к плюсовому выводу разъёма ХР1, к которому подключается аккумулятор, через первую группу контактов sa3

Схема зарядного устройства 2p4m – Схема зарядного

Стандартная электрическая схема зарядного устройства шуруповерта включает в себя микросхему трехканального типа. В данном случае транзисторов для модели на 12 В потребуется четыре. По емкости они могут довольно

Самодельное зарядное устройство для аккумулятора

В таком состоянии схема зарядного устройства будет находиться, пока напряжение на аккумуляторе не уменьшится до 12,54 В. Как только напряжение установится равным 12,54 В, опять включится реле и зарядка пойдет заданным

Схема зарядного устройства для шуруповерта 18

Рис. 3. Принципиальная схема зарядного устройства. При поиске неисправностей в первую очередь стоит проверить мосфет, далее резисторы и конденсаторы. Проверять элементы нужно с

Электрическая схема зарядного устройства бархат м

Схема тиристорного зарядного устройства на КУ202. Перечень используемых компонентов в схеме c1 = 0,47-1 мкФ 63В. r1 = 6,8к — 0,25Вт r2 = 300 — 0,25Вт r3 = 3,3к — 0,25Вт r4 = 110 — 0,25Вт r5 = 15к — 0,25Вт r6 = 50 — 0,25Вт r7 = 150 — 2Вт

Зарядное устройство для герметичных свинцовых

Схема зарядного устройство для герметичных гелиевых АКБ . Питается схема от 5 до 40В, но лучше не превышать 30В Выдает до 32В стабилизированного напряжения Ток заряда до 2А, но лучше не превышать 1.5А. Перечень компонентов.

Схема пуско зарядного устройства для

Простая принципиальная электрическая схема зарядного устройства для Изюминка зарядного устройства – конденсаторная батарея. Особенность схем с гасящим конденсатором – добавляя или уменьшая емкость (просто под

Схема зарядного устройства электроника для

Схема тиристорного зарядного устройства на КУ202. Перечень используемых компонентов в схеме c1 = 0,47-1 мкФ 63В. r1 = 6,8к — 0,25Вт r2 = 300 — 0,25Вт r3 = 3,3к — 0,25Вт r4 = 110 — 0,25Вт r5 = 15к — 0,25Вт r6 = 50 — 0,25Вт r7 = 150 — 2Вт

Схема зарядного устройства автомобильных

24/11/2010· Схема зарядного устройства автомобильных аккумуляторов Электрон-6 Питание. Ув. ELPro. "Потроха" сфотографировал, но не знаю, как их сбросить на этот сайт.

Самодельное зарядное устройство для аккумулятора

В таком состоянии схема зарядного устройства будет находиться, пока напряжение на аккумуляторе не уменьшится до 12,54 В. Как только напряжение установится равным 12,54 В, опять включится реле и зарядка пойдет заданным

Схема зарядки шуруповерта – Зарядное устройство для

Схема зарядного устройства для шуруповерта с регулятором lm7805 включает в себя только двухканальные микросхемы. Конденсаторы используются на ней с емкостью от 3 до 10 пФ. Встретить регуляторы данного типа чаще всего

Схема зарядного устройства для шуруповерта 18

Рис. 3. Принципиальная схема зарядного устройства. При поиске неисправностей в первую очередь стоит проверить мосфет, далее резисторы и конденсаторы. Проверять элементы нужно с

Схемы зарядных устройств для шуруповертов: Ошибка

Схема зарядного устройства для шуруповерта . Эту схему предложил В. Баранов в журнале Радио 2017 №10 (с.20). Как видно на схеме, гасящими конденсаторами являются емкости c1 и c2. От их общей емкости зависит ток заряда

Орион Pw270 Схема Принципиальная Электрическая

Схема электрическая принципиальная зарядного устройства Striver pw270 бракеражный журнал сырой продукции в доуЖурнал Дефектология № 1 читать онлайн Dle yaman, ноты песня для клипа про друзей Схема зарядки striver pw270.

тиристор% 20battery% 20charger% 202p4m техническое описание и примечания по применению

2002 - Симистор к 220

Аннотация: Тиристорный симистор 400 В 16 А TRIAC 25 А 600 В симистор 600 В 25 А симистор 400 В 25 А Симистор 3 А 600 В симистор 10 А Тиристор 400 В 3 А 600 В Тиристор to 220
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ET013 ET015 ET020 SLA0201 STA203A STA221A TF321M TF321M-A TF321S TF341M Симистор to220 Тиристор симистор 400в 16а TRIAC 25a 600v симистор 600в 25а симистор 400в 25а Симистор 3а 600в симистор 10а 400в тиристор 3а 600в Тиристор к220
2008 - тиристор анодный затвор

Аннотация: 3-фазная схема включения тиристора, схема управления затвором на быстром тиристоре 200A, 3-фазный тиристорный привод постоянного тока pgh25016am, 600A, тиристорный scr-демпфер
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 108мм ПГх408 тиристор с анодным затвором Трехфазная схема включения тиристора быстрые тиристорные схемы управления затвором 200А 3-х фазный тиристорный привод постоянного тока pgh25016am 600А тиристорный scr демпфер ДЛЯ 3-ФАЗНОГО МОСТОВОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ схема включения тиристора Схема управления тиристорным затвором на 200 А 6 тиристорная схема драйвера
2011 - тиристор анодный затвор

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 5x1014 1x107 DEAR0000112) тиристор с анодным затвором
1999 - Тиристор 470 А

Реферат: тиристорный эквивалент 1 кОм 4-контактный резисторный массив Тиристор Т 25 тиристорный направляющий тиристорный конденсатор 23 мкФ MITSUBISHI GATE ARRAY PULSE тиристор SA04
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ASA100) Тиристор 470 А тиристорный эквивалент 1 кОм 4-контактный массив резисторов Тиристор Т 25 направляющая тиристора тиристор конденсатор 23 мкф MITSUBISHI GATE ARRAY ИМПУЛЬСНЫЙ тиристор SA04
Тиристор ГТО

Реферат: Тиристор GTO 40A, тиристорный драйвер GTO, схема тиристорного инвертора THYRISTOR GTO, тиристор GTO Примечания по применению Схема привода затвора gto vvvf регулирование скорости 3-фазного асинхронного двигателя Блок привода затвора GTO Теория, конструкция и применение демпфирующих цепей
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
1998 - тиристор лтт

Реферат: SIEMENS THYRISTOR Тиристоры Siemens EUPEC Тиристор LTT постоянного тока в переменный, преобразователь тиристором BREAK OVER DIODE плата управления тиристорная защита тиристора абстрактный срок службы тиристора преобразователь переменного тока в постоянный тиристором
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF D- тиристор лтт SIEMENS THYRISTOR Тиристоры Сименс EUPEC Тиристор LTT преобразователь постоянного тока в переменный с помощью тиристора ПЕРЕРЫВ НАД ДИОДОМ плата управления тиристором Аннотация тиристорной защиты срок службы тиристора преобразователь переменного тока в постоянный с помощью тиристора
fgt313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
2015 - Тиристор с МОП-управлением

Реферат: срок службы тиристора
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
2001 - ТР250-180У

Реферат: TS600-170 "Power over LAN" TR250-145 REBD TS250-130-RA TSL250-080
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
2002 - микросхема драйвера scr выпрямителя 3 фазы

Реферат: OPTOCOUPLER микросхема драйвера тиристорного затвора SCR TRIGGER PULSE Схема OPTOCOUPLER для тиристорного затвора однофазный полумост, управляемый выпрямитель scr Оптопара с тиристором SCR Phase Control IC SCR TRIGGER PULSE scr драйвер ic для выпрямителя 3 фазы 6 выхода
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
тиристор тт 500 н 16

Реферат: тиристорный выпрямитель с фазовым регулированием тиристор t 500 n 1800 однофазный тиристорный выпрямитель тиристор tt 121 трехфазный мост полностью управляемый выпрямитель тиристор t 500 n 18 диод ECONOPACK w3 диод b6
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
2004 - драйвер затвора scr ic

Аннотация: микросхема драйвера scr для выпрямителя микросхема трехфазного драйвера для тиристора OPTOCOUPLER для тиристорного затвора микросхема управления трехфазным мостом SCR SCR TRIGGER PULSE схема OPTOCOUPLER триггер тиристор scr OPTOCOUPLER тиристор схема управления тиристором схема контактов тиристора
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
1998 - Трехфазный мостовой полностью управляемый выпрямитель

Реферат: tt 60 n 16 kof press-pack igbt однофазный полностью управляемый выпрямитель с тиристорным управлением с датчиком тока от постоянного к постоянному току с помощью тиристора.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
2003 - EUPEC tt 162 n 16

Аннотация: тиристорный тиристорный модуль tt 162 n bsm 25 gp 120 igbt модуль bsm 100 gb 60 дл ДИСК ТИРИСТОРНЫЙ диод EUPEC tt 105 N 16 тиристорный модуль высокой мощности scr IGBT FZ
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF кука-2003-инхальт EUPEC tt 162 n 16 тиристор тт 162 н тиристор большой мощности модуль bsm 25 gp 120 igbt модуль bsm 100 гб 60 дл ДИСК ТИРИСТОР диод EUPEC tt 105 N 16 тиристор большой мощности scr Модуль IGBT FZ
2001 - ТИРИСТОР

Реферат: применение тиристора Тиристор 10А Указания по применению тиристора Указания по применению тиристор ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Тиристор с фазовым управлением тиристор высокой мощности eupec тиристор с фазовым управлением
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 119мм 05ITSM ТИРИСТОР применение тиристора тиристор 10А указания по применению тиристоров заметки по применению ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ тиристоров фазовый контроль тиристор большой мощности тиристор с фазовым регулированием eupec
тиристор тт 162 н

Реферат: быстрый тиристор 1000 В тиристор tt 162 n 16 IGBT модуль FZ 400 тиристор td 162 n тиристор TT 162 тиристор КОНФИГУРАЦИЯ ВЫВОДОВ тиристор tt 500 n 16 THYRISTOR H 1500 тиристор 162
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
метод испытания тиристоров eupec

Реферат: SIEMENS hvdc THYRISTOR SIEMENS THYRISTOR для HVDC для 500 кВ ИМПУЛЬСНЫЙ тиристор автомобильный тиристор hvdc тиристор LTT тиристорный преобразователь проектирование схемы зажигания Схемы применения тиристоров
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF D-81541 D-59581 D- метод испытания тиристоров eupec SIEMENS hvdc THYRISTOR SIEMENS THYRISTOR тиристор для HVDC на 500 кВ ИМПУЛЬСНЫЙ тиристор автомобильный тиристор hvdc тиристор лтт схема зажигания тиристорного преобразователя Схемы применения тиристоров
2001 - ТР250-180У

Реферат: Тиристор SiBar TSL250-080 TSV250-130 "Power over LAN" TR600-150-RA TR600-150 TR250-145 TR250-120 GR-974
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Тиристор с обратной проводимостью

Реферат: CRD5CM Тиристор to220 тиристорный регулятор CRD5C обратнопроводящий тиристор Gate Turn-off Thyristor to220
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2010 - Ренесас О-220 Тиристор с обратной проводимостью CRD5CM Тиристор к220 тиристорный регулятор CRD5C обратнопроводящий тиристор Тиристор выключения затвора to220
2002 - тиристор EUPEC

Реферат: EUPEC Тиристор LTT тиристор ltt все типы тиристоров и схема Infineon процесс распределения энергии Тиристор LTT Срок службы тиристора с использованием системы питания 6-дюймовый тиристор для HVDC ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТИРИСТОР
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF D-59581 D-81541 EUPEC Тиристор EUPEC Тиристор LTT тиристор лтт все типы тиристоров и схемы Процесс распространения энергии Infineon LTT тиристор срок службы тиристора тиристорное использование энергосистемы 6 "тиристор для HVDC ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТИРИСТОР
тиристор тт 162 н 12

Реферат: тиристор tt 162 n тиристор TT 46 N тиристор TT 162 асимметричный тиристор тиристор tt 25 тиристор TD 25 N dd 55 n 14 тиристор powerblock tt 105 n 16 powerblock tt 162
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF кука-2006-де-инхальт тиристор тт 162 н 12 тиристор тт 162 н тиристор ТТ 46 Н тиристор ТТ 162 асимметричный тиристор тиристор тт 25 тиристор ТД 25 Н dd 55 n 14 powerblock тиристор тт 105 н 16 powerblock tt 162
Тиристор Westcode

Аннотация: WESTCODE TB 1KHZ тиристор R216Ch22FJO тиристор T 95 F 700 SM12CXC190 тиристор 910 тиристор h 250 tb 16 диодов westcode S антипараллельный тиристор
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 151JL Тиристор Westcode WESTCODE TB Тиристор 1 кГц R216Ch22FJO тиристор Т 95 Ф 700 SM12CXC190 тиристор 910 тиристор h 250 тб 16 диоды westcode S Антипараллельный тиристор
OPTOCOUPLER тиристор

Реферат: тиристорный контактор, тиристор, использующий схему перехода через нуль, автомобильный тиристор, все типы тиристоров и приложения Оптопара с тиристором, модуль тиристоров, переключающий нуль, код тиристора BR6000T br6000
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF IEC60439-1 / 2/3: D-81617 105 / V3 OPTOCOUPLER тиристор тиристорный контактор тиристор с использованием схемы перехода через нуль автомобильный тиристор все типы тиристоров и приложений Оптопара с тиристором Модуль тиристоров переключения с нулевым переходом код тиристора BR6000T br6000
однофазный мостовой полностью управляемый выпрямитель

Реферат: EUPEC DD 105 N 16 L однофазный полностью управляемый выпрямитель 3-фазный тиристорный выпрямительный контур EUPEC DD 151 N 14 k EUPEC tt 105 N 16 тиристор TT 18 N eupec FZ 800 R 16 EUPEC Тиристор B / B0615 DIODE
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
1999 - тиристор Т10

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 120 мА 180 мА тиристор Т10

Распиновка 2P4M SCR, характеристики, аналог и техническое описание

2P4M - это твердотельное полупроводниковое устройство под названием Thyristor или SCR (кремниевый управляемый выпрямитель).Устройство разработано так, чтобы иметь высокочувствительные уровни запуска и подходит для приложений, где доступные токи затвора ограничены.

Конфигурация контактов

2P4M - это трехконтактное устройство, как показано выше на схеме выводов 2P4M , и мы опишем каждый из этих выводов ниже.

Штифт

Имя

Функция

1

Катод

Подключено к нейтрали

2

Ворота

Импульс запуска низкого напряжения подается на этот вывод для включения SCR

3

Анод

Подключено к нагрузке

2П4М Характеристики и электрические характеристики
  • Простая установка благодаря миниатюрным размерам и тонким электродным выводам
  • Низкая стоимость
  • Распределение с меньшим удерживающим током обеспечивает бесплатный дизайн приложений
  • Пиковое обратное напряжение блокировки: 500 В
  • Пиковый ток в открытом состоянии: 2А
  • Пиковый ток затвора: 0.2А
  • Пиковое обратное напряжение затвора: 6 В
  • Диапазон рабочих температур спая: от -40 ° C до + 125 ° C
  • Диапазон температур хранения: от -55 ° C до + 150 ° C

Эквивалентный SCR 2P4M

SN102, TIC206D, BT169, TYN604, 2N1596, 2N1595

2P4M SCR Обзор

2P4M в основном используется в приложениях, где токи затвора ограничены, таких как зажигание емкостным разрядом, управление двигателем в кухонных принадлежностях и защита от перенапряжения в источниках питания с низким энергопотреблением.Устройство также используется в низковольтных выпрямителях переменного тока и регуляторах среднеквадратичного напряжения.

Как использовать 2П4М SCR

Для начала разберемся с принципами работы, давайте рассмотрим простую прикладную схему для устройства, как показано на принципиальной схеме ниже. Здесь V1 - источник постоянного напряжения, нагрузка резистивного типа подключена последовательно к тиристору, а Vg - напряжение запуска на затворе устройства. Вдобавок кнопка 2 будет замкнута по умолчанию и разомкнет цепь при нажатии.Также в схеме, анод устройства подключен к нагрузке, а катод подключен ко второму концу источника питания.

В исходном состоянии кнопка B1 не будет нажата, а при отсутствии напряжения на затворе тиристор будет в непроводящем состоянии. Таким образом, при отсутствии триггера на затвор SCR (т.е.Vg = 0V) общее падение напряжения появляется на устройстве, и мы имеем Vload = 0V, как показано на графике. Это состояние продолжается до тех пор, пока на затвор устройства не будет подан импульс напряжения, что возможно при нажатии кнопки B1.

Таким образом, когда B1 нажимается в момент времени T1, как показано на графике, SCR начинает проводить, и на нагрузке появляется напряжение, как показано на графике. Поскольку источником питания является постоянный ток, тринистор, который был включен, будет оставаться в режиме проводимости даже после того, как напряжение затвора будет снято после того, как устройство начнет проводить. Это связано с характеристиками устройства как SCR.

Теперь, чтобы вернуть SCR в состояние с высоким сопротивлением, ток через устройство должен быть обнулен на долю секунды.После отключения тока заряд, накопленный в устройстве, рассеется, и оно вернется в исходное состояние прямой блокировки. А чтобы сбросить ток в контуре до нуля, нажмите кнопку B2. Как только эта кнопка будет нажата, контур разомкнется, и ток через устройство станет нулевым. Как показано на графике, после нажатия кнопки B2 напряжение на нагрузке станет равным нулю из-за разрыва контура, и устройство начнет восстанавливаться.

После того, как кнопка B2 будет отпущена, устройство снова заблокирует прямое напряжение постоянного тока и будет ждать стробирующего импульса.Таким образом, пока кнопка B1 не будет нажата снова, напряжение нагрузки будет нулевым. Как показано на графике, напряжение появляется на нагрузке после второго запуска, и этот цикл запуска и отключения является непрерывным.

Таким образом, мы использовали SCR в качестве переключающего устройства, и аналогичным образом мы можем использовать его в других приложениях.

Приложения
  • Разряд конденсатора зажигания
  • Управление двигателем
  • Диммер
  • Зарядное устройство
  • Различный контроль температуры
  • Выпрямители переменного тока
  • Переключение напряжения RMS
  • Преобразователи питания
  • Промышленная коммутация

2D-Модель

Все размеры указаны в миллиметрах

Указатель 2 - Зарядное устройство - Схема источника питания - Принципиальная схема

Комплект для промышленного зарядного устройства

Опубликовано: 27.03.2013 4:23:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Industrial, Battery Charger, Project Kit


Назначение предназначено для зарядки АКБ постоянным током от сети переменного тока.Источник питания постоянного тока для зарядного устройства батареи является производным от выпрямительного механизма с тиристорным управлением. Электропитание переменным током полезно для промежуточного выпрямителя, состоящего из диодов и TRIAC, обеспечивающего предпочтительную мощность от микроконтроллера. (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1406)

Простое зарядное устройство на 12 В

Опубликовано: 22.03.2013 4:02:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Зарядное устройство 12 вольт


Такая схема зарядного устройства позволяет быстро и легко перезарядить практически все свинцово-кислотные аккумуляторные батареи.Это зарядное устройство обеспечивает максимальный ток, пока ток, потребляемый батареей, не упадет до 150 миллиампер. На этом этапе будет подаваться меньшее напряжение, чтобы избежать перезарядки. Когда свинцово-кислотный аккумулятор полностью заряжен, эта цепь отключается и загорается светодиод, показывая, что аккумулятор полностью заряжен. (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (2534)

Мобильное зарядное устройство с преобразователем напряжения

Опубликовано: 22.03.2013 4:00:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Мобильное зарядное устройство, преобразователь напряжения


Схема позволяет просто и безопасно заряжать 1-10 никель-кадмиевых или никель-металлгидридных элементов от источника 12 В.Преобразователь напряжения может работать при 6 В, в этом случае макс. выходное напряжение 12В (без нагрузки). Производительность можно улучшить за счет использования диодов Шоттки (D2 / D3). D4 (светодиод) можно не использовать, если вам не нужен какой-либо индикатор. Нестабильный Мутивибратор генерирует частоту колебаний. На выходе (вывод 3) подключен удвоитель напряжения. На холостом ходу C5 примерно вдвое больше входного напряжения. Таким образом, существует достаточная разница напряжений для зарядки подключенных аккумуляторов. Из-за высокой частоты коммутации можно использовать относительно небольшие конденсаторы.Зарядный ток отображается с помощью «реального» регулятора нагрузки (D4). (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1351)

Зарядное устройство 12 В

Опубликовано: 22.03.2013 3:58:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: 12 вольт, зарядное устройство


На следующей схеме показано высокопроизводительное зарядное устройство для свинцово-кислотных аккумуляторов с гелевым электролитом. Зарядное устройство быстро перезаряжает свинцово-кислотный аккумулятор и отключается при полной зарядке.Изначально зарядный ток имеет ограничение до 2 ампер. По мере увеличения напряжения батареи ток свинцово-кислотной батареи уменьшается, а если ток снижается до 150 мА, зарядное устройство переходит на более низкое поддерживающее напряжение, защищающее от перезарядки. (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1451)

Стабильное автомобильное зарядное устройство на 5 А

Опубликовано: 22.03.2013 3:39:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: 5 А, стабильное автомобильное зарядное устройство


(просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (2092)

Зарядное устройство для ноутбука 60 Вт

Опубликовано: 22.03.2013 3:02:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: 60 Вт, зарядное устройство для ноутбука


Схема предназначена для зарядного устройства аккумулятора ноутбука с выходным напряжением 20 В.В этой схеме используется TOP 246 Y от Power Integration. TOP 246 Y устраняет половину дискретных компонентов по сравнению с UC3842. Как и было обещано Power Integration, эта ИС более надежна, имеет меньшую форму, что сокращает время на проектирование и снижает затраты. (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1923)

Зарядное устройство для всех типов аккумуляторов

Опубликовано: 22.03.2013 2:58:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Зарядное устройство, все типы батарей


Обратите внимание, что стабильность наблюдается при изменении тока нагрузки и незначительного изменения напряжения питания.Точно так же этот факт обычно упускают из виду, но если вам нужна идеальная стабильность - стабилизируйте блок питания. Расчет тока очень прост - ток в амперах равен 1,2, деленному на сопротивление R1 в Ом. Для отображения тока используется транзистор (обязательно германиевый из-за низкого напряжения открытия), что позволяет визуально наблюдать токи до 50 мА. Предохранитель диода D1 и F2 защищает зарядное устройство от обратного хода аккумулятора. Емкость С1 выбирается по формуле: 1 ампер должен 2000 мкФ.Преимущества предлагаемого устройства: защита от короткого замыкания не имеет значения количество элементов в аккумуляторной батарее и тип - можно заряжать и герметизировать кислотно-литиевый 12,6 3,6 и 7,2 В щелочной Переключатель тока должен быть включен именно так, как показано на диаграмме - чтобы оставаться при любых манипуляциях с резистором R1. Использование переменного низкоомного резистора нежелательно из-за нестабильности скользящего контакта при токах нагрузки более 0,2 А. (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1706)

Зарядное устройство для NiCd аккумуляторов

Опубликовано: 22.03.2013 2:12:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Зарядное устройство, NiCd батареи


Это устройство используется для одновременной зарядки никель-кадмиевых аккумуляторов.Выходной понижающий трансформатор переменного тока 12 В поступает на выпрямительный диодный мост, собранный на 4-х диоде 1N4007. Плавный конденсатор С3 постоянного напряжения подается на микросхему 7808, на выходе которой будет регулироваться напряжение 8 В. Транзистор Т1 (BC547), включенный в схему эмиттерного повторителя, используется в качестве регулятора напряжения, определяющего ток заряда. Величину этого тока можно регулировать потенциометром VR2 или использовать переключатель с тремя подстроечниками, на каждый из которых подается желаемый ток заряда (90 мА, 180 мА и 300 мА).(На рисунке нижние выводы потенциометра должны быть подключены). Если вы хотите, чтобы аккумуляторы заряжались очень быстро, выберите ток заряда 300 мА, время зарядки составляет около 30 минут. Светодиоды LED1… LED4 - индикаторы заряда, светятся только при прохождении тока заряда аккумулятора. На транзисторах Т2… Т5 выполнены постоянные источники зарядного тока. Встроенный регулятор IC1, установка радиатора. (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1485)

5 В Зарядное устройство на базе микросхемы LNK616PG

Опубликовано: 22.03.2013 2:10:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: зарядное устройство 5 вольт, чип


На микросхеме LNK616PG семейства LinkSwitch-II фирмы Power Integrations можно спроектировать очень простое зарядное устройство с питанием от сети, которое может работать как в режиме стабилизации напряжения, так и в режиме стабилизации тока.Устройство можно использовать для зарядки мобильных телефонов или других электронных устройств, потребляющих менее 5 Вт. Микросхема LNK616PG была разработана для использования в бюджетных низковольтных зарядных устройствах и сетевых адаптерах. Этот контроллер обеспечивает точное управление выходным напряжением и током для небольшого количества внешних компонентов и, что характерно, без использования оптопар. (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (718)

Зарядное устройство для литий-ионных аккумуляторов на базе LP2951

Опубликовано: 22.03.2013 2:03:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Зарядное устройство, литий-ионный аккумулятор


Стабилизатор LP2951 производства National Semiconductors.Значения элементов взяты из статьи «Зарядка», написанной Честером Симпсоном. Диод D1 может быть любым из серии 1N400x, который можно приобрести. Он используется как фиксатор, чтобы предотвратить обратный ток от АКБ к микросхеме LP2951 при отключении входного напряжения. Ток заряда составляет около 100 мА, и это значение максимального тока ограничено внутренними схемами микросхемы LP2951. Для тех, кому интересно, поясним, что любую литий-ионную батарею можно заряжать до зарядного тока 1С (т. Е. Тока в мА эквивалентной емкости в мАч, так что, например, аккумулятор емкостью 1100 мАч можно заряжать. ток до 1100 мА).Чем меньше ток заряда, тем больше время заряда. По моему скромному мнению, 100 мА - относительно небольшой ток зарядки, так что типичный литий-ионный аккумулятор можно подключить к этому зарядному устройству на ночь. (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1346)

Автомобильное зарядное устройство для аккумуляторов Nicd

Опубликовано: 21.03.2013 4:15:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Автомобильное зарядное устройство, Аккумуляторы Nicd


Автомобильное зарядное устройство для аккумуляторных батарей Nicd очень подходит для портативного зарядного устройства, с несколькими компонентами, что позволяет собрать их в небольшом корпусе.Количество кремниевых диодов на выходе автомобильного зарядного устройства определяется напряжением аккумуляторной батареи. Изобразите каждый диод на 0,7 В. Например, для блока на 10,9 В потребуется 10,9 / 0,7 = 15,57 или 16 диодов. (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (720)

Зарядное устройство Nicd использует светодиоды постоянного тока

Опубликовано: 21.03.2013 4:02:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Зарядное устройство Nicd, светодиоды, постоянный ток


Эта принципиальная схема зарядного устройства Nicd представляет собой еще одно простое зарядное устройство для никель-кадмиевых аккумуляторов, и я считаю его очень интересным, поскольку для регулировки тока зарядки используются светодиоды.Как упоминалось выше, эта схема зарядного устройства Nicd использует светодиоды постоянного тока для регулировки тока зарядки. В нем используются светодиоды, которые пропускают постоянный ток около 15 мА для диапазона приложенного напряжения от 2 до 18 В. Их можно подключать параллельно для получения любого значения, кратного 15 мА, и они загораются при протекании тока. Схема будет заряжать одиночный элемент с током 15, 30 или 45 мА или последовательно подключенные элементы до предельного номинального напряжения питания (около 14 В). (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (952)

Зарядное устройство для свинцово-кислотных аккумуляторов с ограничением тока

Опубликовано: 20.03.2013, 1:53:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Свинцово-кислотное зарядное устройство, Предел тока


Зарядное устройство для свинцово-кислотных аккумуляторов рассчитано на напряжение зарядки 2.4 В на элемент, согласно рекомендациям многих производителей ». Импульсная схема заряжаемого аккумулятора с напряжением 14,4 В (6 CEU x2,4 В на элемент) при 120 Гц. Эта конструкция зарядного устройства для свинцово-кислотных аккумуляторов обеспечивает ограничение тока для защиты внутренних компонентов схемы зарядного устройства, при этом ограничивая скорость зарядки, чтобы предотвратить серьезное повреждение разряженных свинцово-кислотных аккумуляторов. Рекомендуемое максимальное время зарядки обычно составляет около четверти от емкости аккумулятора в ампер-часе. Например, максимальный ток зарядки аккумулятора в среднем до 44 ампер-час составляет 11 А.Если импеданс нагрузки требует большего зарядного тока, равного 11 А, то схема перейдет в режим ограничения тока. Амплитуда зарядного импульса регулируется для поддержания максимального пикового зарядного тока 11 А (в среднем 8 А). (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (2031)

Зарядное устройство постоянного напряжения с ограничением тока

Опубликовано: 20.03.2013, 1:32:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: постоянное напряжение, ограниченный ток, зарядное устройство


Это 12-вольтовая схема зарядного устройства для свинцово-кислотных аккумуляторов на базе микросхемы регулятора LM723C.Схема зарядного устройства свинцово-кислотных аккумуляторов может обеспечивать выходное напряжение 12 В при максимальном токе 0,42 А. Эта схема зарядного устройства предназначена для свинцово-кислотных аккумуляторов 12 В. (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1084)

Зарядное устройство NICD с контролем температуры

Опубликовано: 03.03.2013, 23:02:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Температурный контроль, зарядное устройство NICD


Эта схема предназначена для зарядного устройства постоянного тока с регулируемой температурой.Он работает с NICD, NIMH и другими перезаряжаемыми элементами. Схема работает по тому принципу, что большинство аккумуляторных батарей показывают повышение температуры, когда элементы становятся полностью заряженными. Перезарядка - одна из основных причин короткого срока службы элементов, горячие элементы вскрывают свои внутренние уплотнения и выпускают электролит. По мере высыхания клеток они теряют емкость. Эта схема может быстро заряжать аккумуляторную батарею без каких-либо негативных последствий. В этой схеме используется источник питания 22 В постоянного тока, моя схема версии 2 может работать от источника постоянного тока 12 В, такого как солнечная или автомобильная система питания.(Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1396)

Схема зарядного устройства 12 В

Опубликовано: 24.09.2012 4:13:00 Автор: muriel | Ключевое слово: 12V, Зарядное устройство



Эту схему зарядного устройства можно использовать для зарядки одной или нескольких аккумуляторов с общим номинальным напряжением 12 В, что означает десять никель-кадмиевых аккумуляторов или шесть свинцово-кислотных аккумуляторов 2 В. Схема довольно мала и может быть встроена в корпус сетевого адаптера.Неправильное использование невозможно: подключение аккумуляторов с обратной полярностью, короткое замыкание выходных клемм или потеря мощности не влияют на зарядное устройство или аккумулятор.Мы можем использовать трансформатор с 18 В на вторичной обмотке, а затем использовать диодный мост для исправления Напряжение 18V ac мы получаем 22V dc на C1. Полностью разряженные батареи заряжаются вначале током 6 мА через R2-D2 и R4-R6-D1. Одна летучая мышь. достигли 0,3 - 0,5 В, напряжение база-эмиттер T1 достаточно высокое, чтобы транзистор стал проводящим.Зеленый светодиод D4 используется в качестве индикатора зарядки и открывает T1. Через R5-R6 протекает ток 60 мА, это означает, что зарядка никель-кадмиевого аккумулятора емкостью 500 мАч займет 12 часов. Если аккумулятор подключен с обратной полярностью или происходит короткое замыкание, силовой транзистор T1 остается заблокированным и ток зарядки не может превышать 6–12 мА. Потребляемый ток при максимальной нагрузке составляет около 80 мА. Схема зарядного устройства аккумулятора Схема печатной платы зарядного устройства Список компонентов R1 = R2 = 10KR3 = 1KR4 = 5.6KR5 = R6 = 12 Ом C1 = 1nFC2 = 220 мкФ / 35 В D1 = 1N4001D2 = D3 = 1N4148D4 = зеленый светодиод Т1 = BD140T2 = BC546? 12 ответов на «Схема зарядного устройства 12 В» (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (2460)

Цепи зарядного устройства для солнечных батарей

Опубликовано: 24.09.2012, 4:05:00 Автор: muriel | Ключевое слово: Солнечная батарея, зарядное устройство


Это самое простое и доступное зарядное устройство для солнечных батарей, которое может сделать любитель.У него есть несколько недостатков по сравнению с другими аналогичными элементами управления, но он предлагает множество преимуществ. Он предназначен для зарядки свинцово-кислотных аккумуляторов, но также может использоваться для зарядки любых аккумуляторов при постоянном напряжении. Выходное напряжение регулируется.Преимущества и недостатки этого солнечного зарядного устройства. + Простой, компактный и недорогой + Использует общедоступные компоненты + Регулируемое напряжение + НУЛЕВОЙ разряд аккумулятора, когда не светит солнце - Высокое падение напряжения - может быть предельным для приложения 6 В - Ток ограничен до 1.5А - Нет светодиодных индикаторов - никаких наворотов. Технические характеристики зарядного устройства на солнечной батарее Мощность солнечной панели: 20 Вт (12 В) или 10 Вт (6 В) Диапазон выходного напряжения: от 5 до 14 В (регулируется) (можно дополнительно уменьшить, закоротив R2) Максимальная рассеиваемая мощность: 10 Вт (включая рассеиваемую мощность D1) Типичное падение напряжения: от 2 до 2,75 В (в зависимости от тока нагрузки) Максимальный ток: 1,5 А (внутреннее ограничение составляет около 2,2 А) Регулировка напряжения: ± 100 мВ (за счет регулирования последовательного выпрямителя) Разряд батареи: 0 мА (этот регулятор не разряжает батарею, когда солнце не светит) Схема зарядного устройства солнечной батареи Приложение 6 В Выходное напряжение: 7 В Входное напряжение: Батарея разряжена (6В): 8.75 В мин. При 1,5 А (это немного выше для панелей, рассчитанных на работу с напряжением 6 В) Батарея заряжена (7 В): минимум 9 В при 10 мА (например) Приложение 12 В Выходное напряжение: 14 В Входное напряжение: Батарея разряжена (12 В): 14,75 В мин. При 1,5 А (доступно от солнечной панели, рассчитанной на работу на 12 В) Батарея заряжена: (14 В): 16 В мин. Минимальное напряжение напора Это также называется «падение напряжения». Входное напряжение должно превышать выходное примерно в 2 раза.75 В при 1,5 А. К счастью, когда батарея разряжена, выходное напряжение ниже, поэтому напряжение на солнечной панели также будет ниже. При полной зарядке напряжение батареи будет высоким, но ток очень низким - в этот момент падение напряжения снижается примерно до 2 В, и в игру также вступает напряжение холостого хода солнечной панели. Выпрямитель Шоттки был выбран, чтобы снизить это требование к напряжению головки - падение напряжения Шоттки составляет около 0,5 В при 1,5 А, или примерно вдвое меньше, чем у типичного кремниевого выпрямителя.Более продвинутые элементы управления требуют гораздо меньшего напряжения на головке и лучше работают в предельных условиях. Максимальное рассеивание мощности Мощность ограничена тепловым сопротивлением LM317T и радиатора. Чтобы поддерживать температуру перехода ниже 125 ° C Max, мощность должна быть ограничена примерно 10 Вт. Если используется меньший или менее эффективный радиатор, необходимо снизить максимальную рассеиваемую мощность. К счастью, LM317 имеет внутреннее ограничение температуры, так что, если он становится слишком горячим, он отключается, защищая себя от повреждений.Максимальная мощность вступает в силу при зарядке аккумулятора 12 В при 1,5 А: например, напряжение батареи = 12В, солнечная панель = 18В. P = (18 В - 12 В) * 1,5 А = 9 Вт. Таким образом, термически он тщательно согласован с текущим номиналом. Если солнечная панель, рассчитанная на 12 В, применяется с батареей 6 В, максимальный ток должен быть уменьшен примерно до 0,7 А: например, напряжение батареи = 6В, напряжение солнечной панели = 18В. P = (18 В - 6 В) * 0,7 А = 9,6 Вт. В этом случае (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (3041)

Цепь индикатора состояния батареи

Опубликовано: 21.09.2012 3:25:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Состояние батареи, индикатор


Если светодиодный индикатор присутствует в гаджетах с батарейным питанием, таких как аварийные лампы, он будет потреблять энергию, даже если гаджет не используется.Это снизит напряжение батареи, так как светодиод потребляет около 2 вольт. Поэтому необходимо постоянно заряжать аккумулятор, чтобы поддерживать уровень напряжения аккумулятора. Эта схема устраняет это, и светодиоды включаются только в двух условиях. Это только в условиях перезарядки и переразряда. Схема представляет собой переключатель, управляемый напряжением, использующий стабилитроны. Светодиодная индикация двух состояний обеспечивается с помощью двухцветного светодиода. Стабилитрон ZD1 и PNP-транзистор T1 образуют переключатель индикатора избыточного разряда.Когда напряжение батареи выше точки пробоя ZD1 (около 5 вольт), она проводит и удерживает T1 вне проводимости. Таким образом, красная половина двухцветного светодиода остается выключенной. Когда напряжение батареи падает ниже 5 вольт, стабилитрон выключается, позволяя T1 проводить, и загорается красный светодиод. Это указывает на то, что аккумулятор переходит в состояние чрезмерной разрядки. Стабилитрон ZD2 и транзистор NPN T2 образуют переключатель индикатора избыточного заряда. Когда напряжение батареи ниже 6,8 В (максимальный уровень напряжения), ZD перестает проводить, а T2 остается выключенным.Так что зеленая половина светодиода тоже осталась выключенной. Когда напряжение батареи увеличивается выше 7 вольт из-за перезарядки, ZD2 проводит, а затем T2 и включается зеленый светодиод. Это состояние перезарядки. Короче говоря, если напряжение аккумулятора составляет от 5 до 7 вольт, оба светодиода остаются выключенными. Это снижает вероятность потребления энергии. Цепь индикатора состояния батареи Параметр Для калибровки необходим переменный источник питания. Подайте 5 вольт и регулируйте VR1, пока не загорится красный светодиод.На этом этапе зеленый светодиод не горит. Увеличьте напряжение до 7 вольт и регулируйте VR2, пока не загорится зеленый светодиод. На этом этапе красный светодиод должен оставаться выключенным. Уменьшите напряжение до 6 вольт. Оба светодиода должны быть выключены. 21 ответы на «Цепь индикатора состояния батареи» источник: electroschematics.com (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1837)

Индикатор чрезмерной разрядки аккумулятора

Опубликовано: 21.09.2012 3:25:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: аккумулятор, переразряд, индикатор


Большинство индикаторов напряжения батареи всегда остаются включенными, даже если нагрузка отключена.Светодиодный индикатор и цепь потребляют ток, который снижает заряд аккумулятора, и зарядное устройство должно быть постоянно включено, чтобы поддерживать заряд аккумулятора. Вот идеальное решение для предотвращения этого. Индикатор включается только при работающей нагрузке. Когда напряжение аккумулятора падает ниже 4,7 вольт, он загорается красным светом. Чтобы можно было отключить нагрузку, чтобы предотвратить глубокую разрядку аккумулятора. В схеме используется операционный усилитель CA3140 в качестве компаратора напряжения и тиристор 2P4M в качестве переключателя.Инвертирующий вход IC1 получает половину напряжения питания (3 В) от делителя потенциала R2-R3, а его неинвертирующий вход получает более высокое напряжение через R1. Конденсатор C1 поддерживает стабильный уровень напряжения на неинвертирующем входе IC1. Питание на IC обеспечивается через тиристор 2P4M при включении нагрузки. Выходное напряжение IC1 используется для управления светодиодом индикатора глубокого разряда. Пока выходное напряжение IC1 превышает 5 вольт, стабилитрон проводит и удерживает транзистор PNP выключенным. Так что светодиод остается выключенным.Когда напряжение батареи падает ниже 5 вольт, выходное напряжение IC1 также снижается до 5 вольт или меньше. В результате стабилитрон теряет проводимость, включается T1 и загорается светодиод, указывающий на низкий уровень заряда батареи. Цепь индикатора перегрузки аккумулятора Параметр Обычно IC1 выключен, поскольку SCR не проводит. Затвор SCR (точка A) должен быть подключен после переключателя нагрузки, чтобы SCR срабатывал только при включении нагрузки. Перед подключением схемы к АКБ отрегулируйте точку пробоя стабилитрона с помощью регулируемого блока питания.Подайте 5 вольт и медленно регулируйте VR, пока не загорится светодиод. Это точка отказа Зенера. Будет около 5 вольт. Если стабилитрон все еще проводит, уменьшите его значение до 4,1 вольт. CA3140 - это маломощный операционный усилитель с би-МОП-схемой, на выходе которого будет почти полное напряжение питания. Как только SCR срабатывает, он фиксируется и остается проводящим, даже если напряжение затвора снимается. SCR можно отключить, отключив питание через S1. 3 ответа на «Индикатор чрезмерного разряда батареи» источник: электросхематика.com (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1581)

Схема хитрого зарядного устройства

Опубликовано: 20.09.2012 20:53:00 Автор: Ecco | Ключевое слово: Tricky Charger


Вот грубое, но эффективное и хитрое зарядное устройство для свинцово-кислотных аккумуляторов. В качестве регулятора тока и индикатора состояния заряда в нем используется автомобильная лампочка на 12 вольт. Яркость лампочки показывает, сколько заряда поступает в аккумулятор. Когда аккумулятор полностью зарядится, лампа погаснет.Если лампа горит на полной яркости более 30 минут, это означает, что батарея разряжена и не принимает заряд. Ток зарядки получается от вторичного понижающего трансформатора на 15–0–15 В на 2 Ампера. Диоды D1 и D2 - это выпрямители, способные выдерживать ток 3 ампера. Чтобы обеспечить зарядку «грязным постоянным током», используется фильтрующий конденсатор C1 малой емкости. Таким образом, напряжение постоянного тока будет иметь некоторую рябь, которая необходима для лучшей зарядки свинцово-кислотного аккумулятора. Схема сложного зарядного устройства Хитрость лампы интересна.В цепи используется лампа автомобильного заднего фонаря на 12 вольт. Он включен последовательно с положительной выходной шиной, так что ток течет через лампочку к положительной клемме батареи. От положительной клеммы ток проходит через химический состав батареи к отрицательной клемме, а затем возвращается в трансформатор. Таким образом, ток, протекающий через лампочку, зависит от того, сколько заряда использует аккумулятор. Когда зарядное устройство подключено к аккумулятору, лампа включается только в том случае, если аккумулятор требует зарядного тока.Выключенное состояние лампы указывает на то, что батарея разряжена. Если аккумулятор держит заряд, лампочка загорится. Если аккумулятор частично разряжен и держит заряд 50%, лампочка будет ярко светиться при включении зарядного устройства. Затем яркость постепенно уменьшается, и, наконец, нить накаливания выглядит как красная горячая линия. Это означает, что аккумулятор полностью заряжен. Лампа также ограничивает ток, как резистор. 7 ответов на «сложную схему зарядного устройства» Источник: электросхематика.com (Просмотр)

Посмотреть полную принципиальную схему | Комментарии | Чтение (1545)

Как сделать схему зарядного устройства батареи с помощью кремниевого выпрямителя (SCR)

Батарея заряжается небольшим количеством переменного или постоянного напряжения. Поэтому, если вы хотите зарядить аккумулятор от источника переменного тока, выполните следующие действия: сначала нам нужно ограничить большое напряжение переменного тока, необходимо отфильтровать напряжение переменного тока, чтобы удалить шум, отрегулировать и получить постоянное напряжение, а затем подать полученное напряжение на аккумулятор для зарядки.По завершении зарядки цепь должна автоматически выключиться.

Блок-схема зарядного устройства с использованием SCR:

Источник переменного тока подается на понижающий трансформатор, который преобразует большой источник переменного тока в ограниченный источник переменного тока, фильтрует напряжение переменного тока и удаляет шум, а затем подает это напряжение на SCR, где он выпрямит переменный ток и подаст полученное напряжение на аккумулятор для зарядки.

Принципиальная схема зарядного устройства с тиристором

Принципиальная схема контура зарядного устройства с тиристором приведена ниже.

Пояснение к электрической схеме быть до 20 В прибл.понижающее напряжение подается на SCR для выпрямления, а SCR выпрямляет основное напряжение переменного тока. Это выпрямленное напряжение используется для зарядки аккумулятора.

  • Когда аккумулятор подключается к цепи зарядки, аккумулятор не разряжается полностью, и он разряжается, что дает прямое напряжение смещения транзистору через диод D2 и резистор R7, которые включаются. Когда транзистор включен, тиристор отключится.
  • Когда напряжение батареи падает, прямое смещение уменьшается, и транзистор выключается.Когда транзистор выключается автоматически, диод D1 и резистор R3 получают ток на затвор SCR, это запускает SCR и проводит ток. SCR будет выпрямлять входное переменное напряжение и подавать его на батарею через резистор R6.
  • Это будет заряжать батарею, когда падение напряжения в батарее уменьшается, ток прямого смещения также увеличивается на транзисторе, когда батарея полностью заряжена, транзистор Q1 снова включается и выключает SCR.
  • Также прочтите сообщение: Цепь зарядного устройства свинцово-кислотной батареи

    Схема зарядного устройства батареи с использованием SCR и LM 311

    Вот еще одно зарядное устройство, управляемое схемой, с использованием SCR и LM311. Сигнал переменного тока выпрямляется с помощью тиристора, а компаратор используется для определения напряжения заряда батареи относительно опорного напряжения, чтобы управлять переключением тиристора.

    Принцип, лежащий в основе этой схемы

    Принцип, лежащий в основе схемы, заключается в управлении переключением SCR на основе зарядки и разрядки батареи.Здесь SCR действует как выпрямитель, а также как переключатель, позволяющий подавать выпрямленное напряжение постоянного тока для зарядки аккумулятора. В случае, если аккумулятор полностью заряжен, эта ситуация обнаруживается с помощью схемы компаратора, и тиристор отключается.

    Когда заряд аккумулятора падает ниже порогового уровня, на выходе компаратора включается SCR, и аккумулятор снова заряжается. Здесь компаратор сравнивает напряжение на батарее с опорным напряжением.

    Принципиальная схема зарядного устройства батареи с использованием SCR и LM311

    Принципиальная схема зарядного устройства напряжения батареи с использованием LM311 и SCR - ElectronicsHub.Org
    Проектирование схемы зарядного устройства с использованием SCR и LM311:

    Проектирование всей цепи зависит от типа батареи, которая используется для подзарядки. Предположим, мы используем 6-элементную никель-кадмиевую батарею на 9 В с номиналом 20 А · ч в ампер-часах и напряжением одной ячейки 1,5 В. Это установит необходимое оптимальное напряжение батареи около 9 В.

    Для напряжения 9 В на делителе потенциала напряжение на потенциометре и резисторе должно быть выше 5,2 В (уровень опорного напряжения).Для этой цели мы выбираем схему делителя потенциала, состоящую из резистора 22 кОм, резистора 40 кОм и потенциометра 20 кОм.

    Выходной ток LM311 составляет около 50 мА, и поскольку здесь мы используем транзистор BC547 с низким базовым током, нам потребуется резистор около 150 Ом. Используемый трансформатор - трансформатор 230 / 12В. Первичная обмотка трансформатора подключена к источнику переменного тока 230 В, а вторичная обмотка подключена к выпрямителю.

    Также прочтите сообщение - Цепь автоматического зарядного устройства батареи

    Как работать со схемой зарядного устройства батареи?

    Первоначально, когда на схему подается питание и уровень заряда батареи ниже порогового напряжения, схема выполняет задачу зарядки батареи.SCR запускается напряжением на выводе затвора через резистор R1 и диод D1. Затем он начинает выпрямлять напряжение переменного тока, но только на половину цикла. Когда постоянный ток начинает течь к батарее через резистор R2, батарея заряжается. Напряжение на делителе потенциала, состоящем из потенциометра RV1 и резистора R4, зависит от напряжения на батарее. Это напряжение подается на инвертирующий терминал OPAMP LM311.

    Неинвертирующий терминал получает опорное напряжение 5.2В с использованием стабилитрона. Для нормальной операции зарядки это опорное напряжение больше, чем напряжение на делителе потенциала, а выходной сигнал компаратора меньше порогового напряжения, необходимого для запуска NPN-транзистора в режим проводимости. Таким образом, транзистор и диод D3 остаются выключенными, а затвор SCR получает напряжение срабатывания через R1 и D1.

    Теперь, когда аккумулятор начинает заряжаться и в определенный момент, когда он полностью заряжен, напряжение на делителе потенциала достигает значения выше опорного напряжения.Это означает, что напряжение на инвертирующем выводе меньше, чем напряжение на неинвертирующем выводе, а выходной сигнал компаратора больше, чем пороговое напряжение эмиттера базы для транзистора.

    Это заставляет транзистор проводить, и он включается. В то же время, когда диод D3 смещен в прямом направлении, он начинает проводить, и это блокирует запуск напряжения затвора SCR, поскольку теперь он подключен к низкому потенциалу или земле. Таким образом, SCR отключается, и операция зарядки останавливается или приостанавливается.Опять же, когда заряд аккумулятора падает ниже порогового уровня, операция зарядки возобновляется, как описано выше. Резистор R7 и диод D4 должны обеспечивать небольшую непрерывную зарядку в случае, если тиристор находится в выключенном состоянии.

    Примечание. Также прочтите сообщение - Схема зарядного устройства для мобильных телефонов

    Применение схемы зарядного устройства с использованием SCR и LM311:
    1. Может использоваться для зарядки аккумуляторов, используемых для игрушек.
    2. Это переносная схема, которую можно носить с собой куда угодно.
    3. Может использоваться как автоматическое зарядное устройство, особенно во время вождения.
    Ограничения цепи зарядного устройства батареи:
    1. Преобразование переменного тока в постоянное здесь использует только выпрямитель и может содержать пульсации переменного тока, поскольку нет фильтра.
    2. Однополупериодный выпрямитель делает зарядку и разрядку довольно медленными.
    3. Эту схему нельзя использовать для батарей с более высоким номиналом в ампер-часах.
    4. Зарядка аккумулятора может занять больше времени.

    (PDF) Сверхкомпактная и эффективная схема зарядного устройства литий-ионных аккумуляторов для биомедицинских приложений

    Рис. 4. (a) Схема компаратора тока окончания заряда. (b) Детектор порога заряда Trickle

    и опорный сигнал 3 В

    Окончание заряда обнаруживается путем сравнения выходного сигнала

    OTA с эталонным током; этот опорный ток равен

    , пропорционален опорному току, используемому для смещения OTA в порядке

    , чтобы минимизировать ошибку.На рис. 4 (а) показана схема компаратора тока

    [8]. Выходной сигнал конца заряда становится

    низким, когда выход OTA выше, чем IREF, в противном случае

    равен VDD. Когда выходной сигнал конца заряда высокий,

    последняя ступень токовых зеркал в блоке усиления тока

    отключена, уменьшая ток заряда до нуля.

    Чтобы определить, когда батарея достигает порогового значения 3 В

    для области непрерывного заряда, мы разработали простую схему маломощного детектора

    , показанную на рис.4 (б). Эта схема

    используется для обнаружения критически низкого напряжения батареи, чтобы предотвратить

    любое повреждение батареи из-за глубокой разрядки; при достижении критического порога

    схема детектора отключает питание нагрузки

    . По мере уменьшения напряжения батареи напряжение в узле

    Vx между транзисторами M2 и M3 уменьшается. Отношение

    между напряжением в этом узле и аккумулятором является линейным, поэтому

    ток, протекающий через транзистор M5, уменьшается квадратично,

    , когда M2 и M3 находятся в насыщении, и

    экспоненциально, когда они входят в подпороговое значение.Выходной ток

    M5 проходит через другой компаратор тока

    , аналогичный показанному на рис. 4 (a), чтобы определить, когда напряжение батареи

    упадет ниже 3 В. Транзисторы с M1 по M4

    были разработаны. с большой шириной и длиной до

    , чтобы минимизировать отклонения в процессе. Эта стратегия также минимизирует потребление энергии

    , так что пороговый детектор может работать от напряжения батареи

    напрямую для постоянной защиты

    от глубокой разрядки.Разработанный пороговый детектор

    потребляет всего 3 мкВт при напряжении батареи

    , примерно равном 3,7 В.

    IV. РЕЗУЛЬТАТЫ

    Микросхема управления батареями была изготовлена ​​с использованием технологии CMOS AMI

    0,5 мкм с использованием площади кристалла 0,15 мм2.

    На рис. 5 представлена ​​микрофотография кристалла тестовой микросхемы.

    На рис. 6 (a) показаны результаты измерений ИС управления аккумулятором

    , заряжающей аккумулятор емкостью 25 мАч во время непрерывной зарядки

    и часть области постоянного тока.Батарея

    заряжалась током 1,5 мА и 2,2 мА во время непрерывного заряда

    и постоянного тока соответственно. Хотя струйка -

    Рис. 5. Микрофотография кристалла схемы зарядного устройства батареи

    Зарядка

    в этом случае не является строго необходимой, так как постоянный ток заряда

    уже составляет менее 0,1 ° C для батареи

    емкостью 25 мАч, мы включили ее здесь, чтобы продемонстрировать функциональность схемы

    . Кроме того, хотя схема проверки концепции была

    , ограниченная максимальным зарядным током около 2 мА, конструкцию

    можно легко изменить, если требуется более высокий зарядный ток

    , регулируя усиление тока на последней ступени тока

    зеркала.

    На рис. 6 (b) показаны оставшиеся области профиля зарядки

    : постоянный ток, постоянное напряжение и конец заряда.

    Область постоянного напряжения начинается, когда батарея достигает

    приблизительно 4,1 В. Переход между постоянным током

    и постоянным напряжением является непрерывным, поскольку контур управления

    основан на простой функции tanh. Согласно рис. 6 (b) зарядный ток

    уменьшается по мере того, как напряжение батареи падает с

    4.От 1 В до 4,2 В, достижение конца заряда при токе

    составляет примерно 0,26 мА. По окончании заряда АКБ

    напряжение составляет 4,21 В, что обеспечивает точность 99,8%. В этом тесте

    с аккумулятором на 25 мАч общее время зарядки составило около 800

    минут. Такое длительное время зарядки связано исключительно с максимальным зарядным током

    , равным 0,1C, который был определен в

    как потребляемая мощность в 10 мВт. Если текущие зеркала

    отрегулированы для обеспечения 1С при постоянном токе, время зарядки

    в несколько часов может быть достигнуто с этой ячейкой

    емкостью 25 мАч.

    Мы получили энергоэффективность примерно 75%

    в режиме постоянного тока. Фактором, ограничивающим эффективность

    , является тот факт, что испытательная схема была рассчитана на питание 5 В.

    Можно легко спроектировать для более низкого напряжения питания, увеличивая

    общую энергоэффективность системы. Просто уменьшив напряжение питания

    с 5 В до 4,5 В, КПД

    этой схемы можно повысить примерно до 83%.В нашей микросхеме

    нам не удалось снизить напряжение питания до 4,5 В

    из-за токовых зеркал Вильсона в OTA.

    Тем не менее, если эти зеркала заменить современными зеркалами

    , которые требуют меньшего запаса по напряжению, напряжение питания можно легко снизить до 4,5 В.

    В таблице I сравнивается эта конструкция с предыдущими схемами зарядного устройства Li-ion

    в литература. Несмотря на то, что представленная здесь конструкция имеет

    , которые еще не оптимизированы для напряжения питания, она, тем не менее, обеспечивает конкурентоспособную энергоэффективность

    , занимая площадь как минимум на

    меньше, чем другие конструкции.

    Индуктивное интегрированное управление питанием по напряжению / току с плавным переходом между режимами и рециркуляцией энергии

    Твердотельные схемы IEEE J. Авторская рукопись; доступно в PMC 2020 1 марта.

    Опубликован в окончательной отредактированной форме как:

    PMCID: PMC6818746

    NIHMSID: NIHMS1522566

    , член студента, IEEE и, член IEEE *

    Hesam Saderigh. Кафедра Университета штата Пенсильвания, Юниверсити Парк, штат Пенсильвания 16802, США

    Мехди Киани

    Факультет электротехники в Университете штата Пенсильвания, Юниверсити Парк, Пенсильвания 16802, США

    Хесам Садеги Гугери, факультет электротехники Университета штата Пенсильвания , Юниверсити Парк, Пенсильвания 16802, США;

    См. Другие статьи в PMC, в которых цитируется опубликованная статья.

    Abstract

    Для надежной индуктивной подачи энергии представлена ​​интегрированная система управления питанием (IPM) с уникальными возможностями непрерывного режима напряжения / тока (SVCM) и рециркуляции энергии. Используя паразитные объемные диоды с более низким падением напряжения, этот IPM безопасно и надежно переключается между режимом напряжения (VM) и режимом тока (CM), расширяя диапазон входного напряжения (удаляя мертвую зону) и значительно повышая эффективность преобразования мощности. (PCE) в работе CM.IPM сначала обеспечивает требуемую мощность нагрузки (P L ) за счет одноступенчатого выпрямления / регулирования, а затем сохраняет избыточную энергию в накопительном конденсаторе, чтобы продлить время работы приемника (Rx) за счет рециркуляции энергии, когда входная мощность недостаточна. . Представлена ​​теория рециркуляции энергии. Проверенная концепция была изготовлена ​​по технологии CMOS 0,35 мкм. При измерениях микросхема безопасно достигла регулируемого напряжения 3 В для широкого диапазона входных напряжений (без мертвой зоны) путем переключения Rx LC-tank на частоте 142 кГц.При нулевой входной мощности микросхема увеличила время работы Rx на 250% благодаря рециркуляции энергии.

    Ключевые слова: Индуктивная связь, управление питанием, рециркуляция энергии, преобразователь постоянного тока, режим напряжения / тока, выпрямитель

    I. ВВЕДЕНИЕ

    ИНДУКТИВНАЯ муфта широко используется для беспроводной передачи энергии (WPT) в таких приложениях, как имплантируемые медицинские устройства (IMD) [1] - [3]. показывает обычную индуктивную связь БПЭ с катушкой передатчика (Tx) ( L 1 ), управляемой усилителем мощности (PA), и катушкой приемника (Rx) ( L 2 ), за которой следует мощность управление (выпрямитель + регулятор) для преобразования полученного переменного напряжения ( В R ) в постоянное напряжение постоянного тока ( В L ) на нагрузке ( R L ) .Ключевым требованием индуктивного БПЭ является эффективная и надежная подача требуемой мощности на нагрузку PL = VL2 / RL с учетом наихудших вариаций расстояния подачи питания ( d ), выравнивания и ориентации катушек и R L .

    Принципиальные схемы (а) обычного индуктивного звена с выпрямителем и регулятором, и (б) предлагаемой схемы индуктивного управления питанием с рециркуляцией энергии.

    Традиционные интегрированные структуры управления питанием (IPM) используют двухступенчатое преобразование переменного тока в постоянное (), что может значительно снизить эффективность преобразования мощности (PCE) в Rx, особенно когда принимаемая мощность ( P Rx ) намного выше требуемого P L [4] - [6].В этой статье PCE определяется как P L / P Rx . Чтобы улучшить PCE и удалить один конденсатор вне кристалла, выпрямление и регулирование можно выполнить за один этап [7] - [9]. Но когда P Rx намного выше требуемого P L в таких условиях, как уменьшенный d , идеальное выравнивание или увеличенное R L , дополнительно P Rx будет потрачено впустую в Rx ( P Отходы дюймов) из-за регулирования напряжения или защиты от перенапряжения (OVP).Таким образом, существует потребность в структурах IPM, которые могут восстанавливать такую ​​рассеиваемую мощность ().

    Индуктивные IPM могут работать в режиме напряжения (VM) [10], в режиме тока (CM) [11] - [13] или в режиме реконфигурируемого напряжения / тока (VM-CM) [14], [15]. В то время как структуры виртуальных машин, использующие активные переключатели, достигают высокого PCE, их эффективность преобразования напряжения, определяемая как VCE = V L / V R , пик ( V R амплитуда), мала.Они могут улучшить VCE, используя внешние компоненты, такие как катушка индуктивности в повышающем преобразователе, увеличивая размер, сложность и стоимость приемника [16]. Хотя структуры CM могут увеличивать VCE, особенно, когда V R , пик < VL , они страдают от низкого PCE, когда V R , пик > V L .

    Для оптимальной работы как с малыми, так и с большими V R , мы недавно предложили структуру VM-CM, которая дискретно переключается между VM и CM на основе V R , пик .Но VM-CM страдает множеством недостатков: 1) во время работы CM может возникнуть большой V R , пик (особенно, когда V R большой), что может повредить IPM (небезопасная работа), тем самым ограничивая диапазон V R , 2) дискретное переключение между VM и CM требует дополнительных схем для V R измерения и управления, и 3) из-за силовых транзисторов падение напряжения, В R , пик порог дискретного переключения зависит от P Rx и P L , которые меняются во время работы, что еще больше усложняет конструкцию.

    суммирует область безопасной работы структур VM, CM и VM-CM. Это показывает, что современные структуры IPM не могут выдерживать широкий диапазон V R , тем самым создавая мертвую зону. Чтобы расширить безопасный диапазон В R и удалить мертвую зону, мы недавно предложили структуру бесшовного напряжения / тока (SVCM) [17]. Эта структура плавно переключается между VM и CM в течение каждого цикла переключения и использует паразитный диод большого объема силового транзистора для ограничения В R , пик в пределах области безопасности (удаление мертвой зоны).

    Область безопасной работы по сравнению с установившимся режимом В R для различных структур IPM. Предлагаемая конструкция SVCM исключает мертвую зону (расширенный диапазон V R ).

    По сравнению с [17], в которой мы только представили концепцию SVCM с некоторыми результатами измерений, в этой статье мы предлагаем следующие элементы: 1) подробное описание работы SVCM и его схем управления, подтвержденное большим количеством результатов измерений и т. Д. что важно 2) уникальная технология рециркуляции энергии () в сочетании с SVCM новым способом, в котором излишки полученной энергии сохраняются и рециркулируются по мере необходимости, таким образом улучшая время работы Rx и сводя к минимуму P w aste in .Хотя рециркуляция энергии использовалась при сборе энергии в прошлом [18], насколько нам известно, это первая работа, демонстрирующая рециркуляцию энергии для индуктивной подачи энергии.

    В этой работе мы объединили методы рециркуляции энергии и SVCM в экспериментальном прототипе микросхемы под названием IPM-микросхема с бесшовным режимом напряжения / тока с рециркуляцией энергии (ERSVCM). SVCM, концепция рециркуляции энергии и схемное моделирование будут подробно обсуждены в Разделе II. Архитектура микросхемы ERSVCM, включая подробные принципиальные схемы и операции, представлена ​​в Разделе III, за которым следуют подробные результаты измерений и заключительные замечания в Разделах IV и V, соответственно.

    II. ПРЕДЛАГАЕМЫЕ МЕТОДЫ ПЕРЕРАБОТКИ ЭНЕРГИИ И БЕСШОВНОГО РЕЖИМА НАПРЯЖЕНИЯ / ТОКА (SVCM)

    A. SVCM Concept

    показывает упрощенную принципиальную схему предлагаемого метода SVCM для зарядки C L

    5

    5

    L из 3 В при работе как в VM, так и в CM через управление P 2 и N 1 / P 1 переключателей с SW 2 и SW 1 , соответственно.Подобно нашей структуре VM-CM в [15], в SVCM только два внешних конденсатора, то есть C 2 для резонанса и C L , необходимы для выпрямления, регулирования и OVP, устранение одного конденсатора вне кристалла.

    (a) Упрощенная принципиальная схема предлагаемой структуры SVCM и (b) основные концептуальные формы сигналов i L 2 , V R , V L и SW 1,2 для работы SVCM с одновременным саморегулированием и OVP.

    показывает концептуальные формы сигналов L 2 ток ( i L 2 ), V R , V L 1 SW и , 2 для работы SVCM с саморегулированием и OVP на несущей частоте f p = 1/ T p . В течение каждого повторяющегося периода времени T sw 1 режим работы плавно переходит от VM для [ T sw 1 / T p -1] циклов питания на CM для одного T p .В VM включены N 1 / P 1 ( SW 1 : высокий), а P 2 действует как активный переключатель (полуволновой активный выпрямитель) для заряд C L если V R > V L . Для V R V L , L 2 C 2 -бак просто сохраняет полученную энергию, поскольку P 2 выключен.В CM P 2 выключен ( SW 2 : высокий), V B 2 подключен к V L для использования P 2 паразитный источник - основной диод ( D 2 ), и в момент перехода через нуль V R с максимальной энергией, сохраненной в L 2 ( i L 2 пик), N 1 / P 1 отключены для создания резкого V R , пик до ∼ [ V L L L + 0.7] V для зарядки C L через D 2 , который является единственным путем для i L 2 . Следовательно, высокий VCE, превышающий единицу, может быть достигнут для V R < V L [12]. Такой цикл T sw 1 с операциями VM и CM повторяется снова и снова.

    В отличие от активного выпрямления в VM, пассивное исправление ( D 2 ) используется в CM, потому что продолжительность включения P 2 в CM должна быть относительно намного меньше (особенно для низкого P Rx ), что потребует широкополосного компаратора с минимальным смещением, увеличивая энергопотребление.

    Поскольку D 2 используется только в течение коротких периодов времени во время фазы зарядки CM, а P 2 большой объем подключается к самым высоким напряжениям для остальной части операции, использование диода большого объема имеет минимальное отрицательное влияние на P 2 производительность. Однако следует быть осторожным с любыми токами, протекающими от корпуса P 2 к основной подложке. В схеме мы отделили силовые транзисторы от чувствительных цепей.

    Аналогично [15], обратный ток от C L к L 2 C 2 -бак используется для саморегулирования V L и ОВП. Когда V L больше, чем желаемый уровень питания (3 В в этой работе), продолжительность включения P 2 увеличивается путем правильной настройки SW 2 формы сигнала .Следовательно, P 2 остается включенным в течение более длительного времени, чтобы позволить обратному току течь от C L к L 2 C 2 - бак, регулирующий V L при 3 В. Кроме того, подключение C L к L 2 C 2 -бак через P 2 Detunes Rx, который используется для OVP, когда V R значительно выше, чем V L .

    сравнивает смоделированные V R , пик обычного CM [15] и предлагаемый SVCM ( V L = 3 V) в различных устойчивых состояниях V R (без переключения). Поскольку В R было увеличено до ≥ 2 В, в обычном CM с проходным транзистором, подключенным диодом, больше энергии было сохранено в L 2 C 2 -бак в каждом цикле , и, следовательно, возникла более крупная и небезопасная V R , пик > 5 В, создавая мертвую зону для V R > 2 В.Напротив, SVCM выдавал такое же количество энергии с гораздо меньшим и более безопасным V R , пик <4 В (удаление мертвой зоны), потому что V R , пик был ограничен [ В L + 0,7] В благодаря паразитному диоду D 2 с меньшим падением напряжения и меньшим временем включения.

    (a) Моделирование V R , пик vs.стационарный V R для обычного CM в [15] и предлагаемого SVCM. (б) Смоделированные PCE по сравнению с R L для VM-CM в [15] и предложенным SVCM ( V L = 3 В).

    сравнивает смоделированные PCE нашего VM-CM в [15] и SVCM при разных R L ( V L = 3 В). Для R L ≥ 5 кОм, при котором обе конструкции работали только в CM из-за низкого напряжения V R , пик , SVCM достиг гораздо более высокого PCE благодаря D 2 меньшее падение напряжения.При R L = 50 кК, SVCM достигло PCE 55% по сравнению с 35% VM-CM (улучшение ~ 1,6 раза). Для R L <5 кОм VM-CM достиг немного более высокого PCE, потому что он работал только в VM, в то время как SVCM работал в основном в VM и один цикл в CM в каждом T sw 1 . Тем не менее, ясно показывает преимущество SVCM в улучшении PCE, когда V R является низким (CM).

    Б.Концепция и моделирование рециркуляции энергии

    демонстрирует высокоуровневую концепцию рециркуляции энергии при индуктивной доставке энергии с целью создания резервуара энергии для хранения излишков полученной энергии и ее повторного использования при необходимости ( P Rx < P L ). In, C L сначала заряжается до желаемого V L с помощью операции SVCM. Затем излишек P Rx , если таковой имеется, сохраняется в накопительном конденсаторе ( C s ) как P сохраняет с течением времени с помощью операции SVCM.Когда P Rx < P L из-за каких-либо неопределенностей WPT, P store перерабатывается обратно в C L 910 переработать дюймов) для поддержания работоспособности. Поскольку напряжение C s ( V Cs ) может быть ниже V L в некоторых условиях, резервуар Rx LC повторно используется для передачи энергии от C s до C L независимо от их уровней напряжения, что устраняет необходимость во внешнем индукторе, как в повышающем преобразователе, и сводит к минимуму P Отходы дюйм.

    показывает упрощенную принципиальную схему технологии рециркуляции энергии, в которой избыточная полученная энергия сначала сохраняется на C s через P 4 и N 1 / P 1 переключатели с помощью операции SVCM, описанной в разделе II.A, а затем передается на C L (если P Rx < P L ) через управление P 4 и N 1 / P 1 переключатели с программным обеспечением 4 и SW 1 соответственно. P 2 всегда выключен ( SW 2 : высокий) и V B 2 подключен к V L .

    (a) Упрощенная принципиальная схема предлагаемой технологии рециркуляции энергии и (b) ключевые формы сигналов, включая i L 2 , V R , V L и SW 1,2,4 , в операции по переработке энергии.

    показывает ключевые формы сигналов рециркуляции энергии, которые можно разделить на три области. В области I, определенной как T 1 длительность в, N 1 / P 1 отключены и P 4 включены ( SW 1,4 : низкий) для передачи энергии от C s к серии L 2 C 2 -бак. Если V Cs > [ V L + 0.7] V, D 2 включен, и часть энергии также передается на C L . В области II, определяемой как продолжительность T 2 , P 4 отключено, а N 1 / P 1 настроено ( SW 1,4 : высокий), чтобы L 2 резонировал с C 2 и изменил полярность L 2 ток ( i L 2 ) на плюс для зарядки C L на следующем этапе.Кроме того, накопленная энергия в C 2 (во время T 1 ) также передается на L 2 . В области III, определяемой как T 3 , продолжительность на пике i L 2 , где вся энергия хранится в L 2 ( C 2 составляет разряжены), N 1 / P 1 выключены ( SW 1 : низкий) для подачи всей L 2 энергии на нагрузку RLCL через D 2 с внезапным V R переход к [ V L + 0.7] V. Общий период переключения ( T sw 2 ) при рециркуляции энергии составляет T 1 + T 2 + T 3 , которое повторяется. Регулируя T 3 и, следовательно, T sw 2 , V L можно регулировать на желаемом уровне 3 В. Например, если V L немного выше 3 В, T 3 удлинен до V L <3 В.

    C. Моделирование рециркуляции энергии

    показывает упрощенную схемную модель метода рециркуляции энергии во всех трех регионах с допущениями V Cs < V L ( D 2 : ВЫКЛ в области-I), игнорирование влияния Tx на Rx (часто бывает для слабосвязанных катушек, большие d ) и CL‖RL≈CL (большие RL и CL ) ради простоты. Коммутационные транзисторы ( P 1,2,4, N 1 ), L 2 и D 2 in моделируются с их эквивалентными сопротивлениями потерь R P 1,2,4, R N 1 , R L 2 и R D 2 соответственно.Поскольку модель эквивалентной схемы во всех регионах включает в себя катушку индуктивности и конденсатор (второго порядка), переходный процесс i L 2 во всех регионах можно найти из,

    L2diL2tdt + 1CT∫iL2tdt + RTiL2t = 0,

    (1)

    где R T и C T - эквивалентные последовательное сопротивление и емкость с L 2 соответственно. Решение для i L 2 можно записать как,

    iL2t = ехр − αt − tdA1cosωdt − td + A2sinωdt − td,

    (2)

    где t d = t 0 , t 1 и t 2 в регионах I-III () соответственно.Можно найти α и ω d в (2) из,

    α = RT2L2, ωd = ω02 − α2, ω02 = 1L2CT,

    (3)

    A 1 и A 2 в (2) также можно найти из начальных условий,

    A1 = iL2td, A2 = diL2td / dt − αA1 / ωd.

    (4)

    Следует отметить, что начальные условия в начале каждой области должны быть найдены из i L 2 в конце предыдущей области.В области I, i L 2 ( t 0 ) = 0, di L 2 ( t 0 ) = - V V ( т 0 ) / L 2 , R T = R L 2 + R 4804 9804 P T = C 2 C s / ( C 2 + C s ), где V 804 t 0 ) составляет В Cs начальное напряжение в области-I.Поскольку V Cs ( t 0 ) увеличивается, A2 и, следовательно, i L 2 также увеличивается, что приводит к большему переносу заряда с C s на C L . Подставляя (3) и (4) в (2), можно найти i L 2 ( t ) в области I и i L 2 ( t 1 ) в качестве начального условия для региона II, в котором RT = RL2 + RP1RN1, C T = C 2 и - diL2t1 = VC2t1 + iL2t1RL2 + RP1RN1 / L2 с

    VC2t1 = 1C2∫t0t1iL2tdt,

    (5)

    используя i L 2 ( t ) в районе I.В области III для т 2 < т < т 3 , R T = R L 2 + R

    7

    7 , C T = C L и di L 2 ( t 2 ) = - [ V L 910 т 2 ) + V D 2 + i L 2 ( т 2 ) ( R L 2 + R D 2 )] / L 2
    в котором L
    ( t 2 ) и V D 2 - начальное напряжение нагрузки и D 2 падение напряжения соответственно.Следовательно, можно рассчитать величину увеличения V L , т.е. Δ V L , inc , после каждого цикла передачи энергии ( T sw 2 ). в качестве,

    ΔVL, inc = ∫t2t3iL2tdt / CL,

    (6)

    с использованием i L 2 ( t ) в регионе-III. Для t 3 < t < t 4 дюймов, D 2 сил i L 2 останется нулевым до следующего цикла переключения ( T sw 2 ) начинается.

    Упрощенная модель схемы предлагаемой технологии рециркуляции энергии в (а) области-I, б) области-II и в) области-III.

    Поскольку перенос заряда в нагрузку происходит только при т. 2 < т. < т. 3 , C L должен обеспечивать необходимую мощность для R L для остальных T sw 2 и V L уменьшается на Δ V L , dec , которое можно найти из

    ΔVL, dec = VL (t0) (1 − exp (−ToffRLCL)),

    (7)

    где T f = T sw 2 - ( t 3 - t 2 ).Следует отметить, что для V Cs > V L , D 2 включен в регионе-I, C L параллельно с C 2 C s / ( C 2 + C s ), и ту же процедуру можно выполнить для определения параметров схемы с новыми начальными условиями в каждом регионе.

    Стоит отметить, что для рециркуляции энергии (PRx≈0; без WPT) более крупный C s всегда выгоден в двух случаях: 1) он позволяет избежать L 2 C 2 -расстройка бака в области-I (), где C s добавляется последовательно с L 2 C 2 -бак на короткий период времени (<250 нс), минимизируя его влияние на PCE, и 2) он обеспечивает больший резервуар для хранения энергии, дополнительно улучшая время работы Rx, когда P Rx , обеспечиваемое индуктивной связью, недостаточно.

    Чтобы проверить точность модели рециркуляции энергии, схема рециркуляции энергии была смоделирована в симуляторе цепи Cadence Spectre (Cadence Technology, Сан-Хосе, Калифорния), и результаты были сопоставлены с результатами модели. перечисляет параметры схемы в наших симуляциях. Рабочая частота принималась равной fp = 1 / L2C21 / 2 = 1 МГц, начальная В Cs = 2 В, В L = 3 В и В D 2 = 0 для простоты.

    ТАБЛИЦА I

    ПАРАМЕТРЫ ЦЕПИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В МОДЕЛИРОВАНИИ И МОДЕЛИРОВАНИИ ПЕРЕРАБОТКИ ЭНЕРГИИ

    Параметр Значение Параметр Значение
    5
    C L (нФ) 100
    R L 2 (Ом) 0,5 C 9801075 (nF) 9801075 (nF) 9080 100
    C 2 (нФ) 6 f P (МГц) 1
    R 975 9807 P4 (Ом) 0.5 R D 2 0,5

    показывает результаты моделирования и расчета для i L 2 , V R074 , Cs , V L и SW 1,4 сигналы для трех циклов переноса заряда (3 T sw 2 = 3 µ s). В Cs постепенно разряжался с 2 В до 1.93 В для зарядки C L от 3 В до 3,04 В. В каждом T sw 2 энергия сначала передавалась на L 2 по возрастанию i L 2 до ∼40 мА, а затем SW 1 стал низким и V R перешел на 3 В, чтобы обеспечить путь для i L 2 для зарядки C L .Хотя V Cs < V L , энергия была передана от C s на C L благодаря предлагаемой технологии рециркуляции энергии в качестве источника тока использует бак L 2 C 2 . также показывает, что результаты моделирования и расчета очень хорошо совпадают.

    Смоделированные и рассчитанные ключевые формы сигналов предлагаемой технологии рециркуляции энергии с идеально согласованными результатами.

    T 1 и T sw 2 - два ключевых параметра для регулирования V L на желаемом уровне путем управления скоростью передаваемой энергии. показывает нормализованный перенос заряда в зависимости от T 1 и T sw 2 . Чтобы максимизировать количество переданного заряда, T 1 и T sw 2 должны быть максимизированы и минимизированы, соответственно, поскольку максимальное значение T 1 позволяет передавать больше энергии от C s до L 2 при минимизации T sw 2 увеличивает скорость передачи заряда.Для f p = 1/ T p = 1 МГц, максимум T sw 2 и минимум T 1 примерно T 9 = 1 µ с и T p /4 = 250 нс соответственно.

    Смоделированная нормализованная передача заряда в сравнении с T 1 и T sw 2 для предлагаемой технологии рециркуляции энергии.

    III. АРХИТЕКТУРА ЧИПА ERSVCM

    показывает блок-схему предлагаемого чипа ERSVCM, работающего на частоте f p = 1 МГц для генерации постоянной V L 3 В. Блок выбора конфигурации определяет, будет ли микросхема должна работать в конфигурациях SVCM или рециркуляции энергии на основе амплитуд V L , V Cs и V R в соответствии с алгоритмом работы, показанным в.Функционирование микросхемы ERSVCM можно разделить на три области: рециркуляция энергии (Re 3 ), зарядка C L до 3 В через SVCM (Re 1 ), зарядка C s до 4 В через SVCM (Re 2 ). Между Re 1 и Re 2 приоритет имеет Re 1 , что означает, что чип сначала работает в Re 1 для зарядки C L до 3 В, а затем переключается на Re 2 для зарядки C с до 4 В.Если C s все еще заряжается, а V L опускается ниже 3 В, микросхема автоматически переключается обратно на Re 1 для зарядки C L обратно на 3 В , а затем снова переключается на Re 2 для зарядки C s . Когда C s заряжается до 4 В, микросхема остается в состоянии Re 1 и использует обратный ток для регулирования В L при 3 В до тех пор, пока P Rx достаточно.Если P Rx недостаточно, микросхема переключается на Re 3 , чтобы использовать рециркуляцию энергии.

    Упрощенная блок-схема предлагаемой микросхемы бесшовного напряжения / тока с рециркуляцией энергии (ERSVCM) с плавным переходом между VM и CM, рециркуляцией энергии, саморегулированием и возможностями OVP в расширенном диапазоне входного напряжения.

    Алгоритм работы микросхемы для оптимального переключения между различными рабочими областями для поддержания В L при 3 В независимо от вариаций P Rx .

    In Re 1 , SW 3,4 высокие ( P 3,4 : ВЫКЛ) и V B 1 , V B 3 и В B 4 подключены к наивысшему напряжению от нуля до В n (напряжение источника P1 дюймов), В R или V Cs и V n или V Cs соответственно.Блок переключателя-контроллера генерирует соответствующие сигналы SW 1,2 на основе метода SVCM (раздел II.A). В Re 2 , P 2 и D 2 выключены ( SW 2 : высокий, V B 2 : максимальное напряжение между V R и V Cs ), а блок контроллера-переключателя генерирует соответствующие сигналы SW 1,3 для работы SVCM, в которых P 3 действует как активный управляемый переключатель SW 3 (активный однополупериодный выпрямитель) для зарядки C с через операцию VM, пока V R > V Cs .Для работы CM, паразитный диод P 3 ( D 3 ) обеспечивает путь тока (аналогично работе Re 1 ).

    Когда P Rx является сверхнизким в течение> 200 µ с (прерывистые условия WPT), обнаруживается путем измерения амплитуды V R в блоке выбора конфигурации, Re 3 позволяет передавать накопленную энергию в C s на C L (Раздел II.Б). В этой микросхеме минимальные значения T 1 и T sw 2 установлены на 90 нс и 950 нс соответственно, а в Re 3 блок контроллера-переключателя регулирует T sw 2 для регулирования V L при 3 В. T 1 также можно регулировать извне. Объемные напряжения ( V B 1- B 4 ) в каждой рабочей области и V BGR = 1.5 В генерируются блоками смещения корпуса и BGR соответственно.

    Для работы SVCM как в Re 1 , так и в Re 2 , T s w1 был установлен на 7 µ s для достижения частоты переключения, f sw 1 = 1/ T sw 1 , 142 кГц. Основываясь на нашем моделировании CM в [15], для уровней мощности от десятков микроватт до мВт ( R L = 0.5–100 кОм) оптимально f sw 1 в режиме CM для заданных параметров индуктивного звена в диапазоне 200–500 кГц ( f sw 1 увеличивается с уменьшением R L ). Для малых R L (высокий P L ), P Rx и, следовательно, V R должно быть достаточно высоким для правильной работы , SVCM в основном работает в виртуальной машине (6 µ с в каждом T sw 1 ), а не в CM (1 µ с в каждом T sw 1 ).Однако для больших R L (низкий P L ), P Rx и, следовательно, V R , и поэтому SVC могут быть маленькими, и поэтому потенциально работает только в CM в каждом T sw 1 . Таким образом, для CM является ключевым фактором, который должен быть эффективным в целом. кГц в моделировании.

    показывает блок-схемы и основные рабочие формы сигналов блока контроллера-переключателя. Контроллеры Re 1 -Re 3 в получают сигнал выбора конфигурации (Re 3 ) для соответствующей генерации промежуточных сигналов управления, которые подаются в ПО 1 - SW 4 контроллеры в правильно генерировать сигналы SW 1-4 на основе SVCM и концепций рециркуляции энергии. Если Re 3 низкий (без рециркуляции энергии), включается контроллер Re 1,2 .Генератор временной развертки (TBG1) при каждом сбросе выдает высокий уровень после 4 µ с, чтобы включить компаратор ZD_Comp1. Между тем, компараторы CP 1 и CP 2 сравнивают 0,5 × V L и 0,375 × V Cs с V BGR = 1,5 V, чтобы определить, V L и V Cs достигли целевых значений 3 В и 4 В соответственно.Если выход CP 1 высокий в Re 1 ( V L <3 В) или выход CP 2 высокий в Re 2 ( V Cs <4 V) или во время запуска ( St : high), ZD_Comp1 активируется TBG1 для определения момента перехода через ноль времени V R для последующего создания резкого SW 1 _ Re 1,2 импульсов ( SW 1 импульсов в областях Re 1,2 ) с использованием блока синхронизации.Блок синхронизации, включающий два каскадных D-триггера и логический элемент И, считает три импульса (три передних фронта выхода ZD_Comp1) для генерации переднего фронта, который затем преобразуется в короткий импульс (активный минимум) с шириной 500 нс блоком Pulse Gen-1. Кроме того, после трех последовательных спадающих фронтов выхода ZD_Comp1, DFF1 выдает высокий уровень, чтобы изменить режим работы с VM на CM, управляя выходом Mux1 (сигнал Mode ), что приводит к VM ( Mode : low) в течение 6 мкс и CM ( Mode : high) на 1 µ с.После каждого T s w1 = 7 µ s, выход Pulse Gen-1 сбрасывает все триггеры и TBG1 для повторения того же процесса.

    Принципиальные схемы и основные рабочие формы сигналов блока переключателя-контроллера: (a) Re 1 и Re 2 продолжение, (b) Re 3 продолжение, и (c) SW 1- 4 продолжение ..

    Если Re 3 высокий (рециркуляция энергии), Re 3 контроллер включен. Опять же, генератор временной развертки (TBG2) создает нарастающий фронт после T d 2 = T 2 + T 3, мин = 860 нс после сброса.Если CP 1 высокий ( V L <3 В), Pulse Gen-2 генерирует резкий SW 4 _ Re 3 импульс (активный низкий) с T 1 ширина. На переднем фронте SW 4 _ Re 3 , SW 1 _Re 3 становится высоким, и ZD_Comp2 активируется DFF2 для определения перехода через ноль времени V R .Задний фронт SW 1 _Re 3 создается на следующем положительном фронте V R для передачи накопленной энергии как i L 2 до C L и сбросить DFF2 для следующего повторения T sw 2 цикла. В Re 3 , для V L > 3 В ( CP 1 : низкий), Pulse Gen-2 выдает ноль и перенос заряда не происходит, автоматически регулируется T 3 регулируемая ширина В L при 3 В.

    In, SW 1 и SW 4 генерируются либо SW 1 _ Re 1,2 или SW 1 _ Re 3 и SW 4 _ Re 3 или V L , соответственно, в зависимости от режима работы (Re 3 ). Для SW 2 , во время Re 3 или запуска ( St : высокий) или Re 1 с работой CM ( Mode : высокий), во всех из которых P 2 должно быть выключено для использования D 2 , Dc 1 становится высоким для подключения SW 2 к V L .В Re 1 во время VM ( Mode : low), Asc 1 становится высоким для подключения SW 2 к выходу Active_Switch_Comp1, сравнивая V L с L с L R для генерации надлежащего SW 2 импульсов с контролируемым обратным током (с использованием выхода CP 1 ) для одновременного выпрямления, саморегулирования, OVP. В Re 2 , SW 2 подключен к V h 1 , что является максимальным напряжением между V L и V R , как показано в, чтобы выключить P 2 .Аналогично SW 2 , SW 3 создается для зарядки C s , как показано в.

    Принципиальная схема блока смещения корпуса, который генерирует правильные объемные напряжения ( V B 1 - V B 4 ) для переключения транзисторов, P 1 - P 4 соответственно.

    показывает блок смещения тела, который генерирует V B 1- B 4 в соответствии с режимом работы, как обсуждалось ранее.Схема Max_Dect, состоящая из двух последовательно соединенных транзисторов PMOS, определяет максимальное напряжение между двумя входами. В передаточных вентилях ( TG 1,2 ), пропускающих большие токи, используются большие транзисторы размером 8 мм / 0,6 µ мкм.

    IV. РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ

    показывает микрофотографию микросхемы ERSVCM, изготовленную в стандартном CMOS-процессе 0,35- мкм 2P4M с активной площадью 2,4 мм 2 . Пара плоских катушек Tx и Rx ( L 1 и L 2 ) со спецификациями, перечисленными в, были изготовлены на печатных платах (PCB).Генератор сигналов использовался в качестве источника входного сигнала для управления резервуаром L 1 C 1 -бак на частоте 1 МГц. К микросхеме были подключены L 2 C 2 -бак и C L = 4,7 µ F.

    Предлагаемая микрофотография микросхемы ERSVCM IPM, работающая на частоте 1 МГц и занимающая активную площадь 2,4 мм 2 .

    показывает измеренные переходные формы сигналов V R и V L для работы SVCM в Re 1 vs.изменение входной мощности (∼ В Tx дюймов) при R L = 100 кОм. Когда V Tx был увеличен с 2,4 V p − p до 4,7 V p − p , микросхема успешно предоставила V L = 3 V с сейфом V R , пик 4,1 В. Как показано на вставке для V Tx = 2.4 V p − p , так как в установившемся режиме V R , пик был всего лишь 2,2 В (<3 В для работы VM), микросхема работала только в CM с f sw 1 = 142 кГц для зарядки C L с VCE 1,4 В / В. Для более высоких В Tx = 4,7 В p − p , что приводит к более высокой принимаемой мощности, чип в основном работал в виртуальной машине с высоким PCE из-за большого V R , пик > 3 В и работает только в течение одного цикла в CM в каждом T sw 1 в зависимости от работы SVCM.Чип также часто использовал обратный ток для разряда C L , когда V L > 3 В и ограничивал максимальное В R , пик до 4,1 В ( OVP) путем отстройки бака L 2 C 2 с C L . Следует отметить, что OVP возник, потому что C s уже был заряжен до 4 В.

    Измеренные переходные формы сигналов В R и В L в зависимости от входной мощности (∼ В Tx ) изменений при R 100 кОм и C L = 4,7 µ F для работы SVCM в Re 1 .

    показывает измеренные переходные формы волны V R , V L и V Cs для работы SVCM в Re 1074 с L = C s = 4.7 µ F и начальный V Cs = 0. В этом временном окне 500 µ с микросхема заряжалась C с до 3,8 В. В начале с маленьким V Cs , микросхема непрерывно использовала как VM (для 5 циклов), так и CM (для одного цикла) в каждом T sw 1 для зарядки C s . на вставке показаны результаты зарядки В Cs до 1.65 В с ограничением В R , пик 2,4 В и D 2 падение напряжения ∼0,75 В. Для В Cs = 3,8 В, как показано на вставке микросхема использовала только CM для зарядки C s , потому что установившееся состояние V R было меньше 3,8 В. В этом случае во время работы CM V R , пик было 4.6 В, что все еще было в безопасной области <5 В.

    Измеренные формы переходных процессов для V R , V L и V Cs для работы SVCM в Re Cs L = C s = 4,7 µ F.

    показывает измеренное значение V L , V Cs , и V R и V 910 конфигурация с рециркуляцией энергии (Re 3 ) без входной мощности ( V Tx = 0) при C L = C s = 4.7 µ F и R L = 100 кОм. Эти формы сигналов очень хорошо совпадают с концептуальными формами сигналов в. Во время T 1 = 100 нс, P 4 был включен для передачи энергии от C с на L 2 C 2

    4-бак ( V R перескочил на 3,8 В в начале с V Cs = 4 В).Во время T 2 , P 4 и N 1 / P 1 были выключены и включены, соответственно, и полярность i L 2 изменилась. Затем в начале T 3 , N 1 / P 1 были отключены, что привело к внезапному скачку напряжения V R до ∼3,7 В (т. Е. В L + 0.7 В), чтобы включить D 2 и завершить перенос заряда на C L . Следовательно, В L оставалось постоянным при 3 В. In, минимум T sw 2 = 950 нс использовалось микросхемой для передачи энергии на C L очень часто .

    Измеренные переходные формы волны V R , V L и V Cs в конфигурации с рециркуляцией энергии (R 9804 9080) с Tx = 0 при C L = C s = 4.7 µ F и R L = 100 кОм.

    показывает измеренное значение V R , V Cs и V L дюймов Re 3 для C

    7 5 L с = 4,7 µ F и V Tx = 0 (без входной мощности), когда R L = 5 кОм был внезапно подключен к C L в начале следа.Чип мог успешно передавать энергию от C s к C L ( V Cs уменьшено с 4 В до 2,2 В) для поддержания P L = 1,8 мВт в течение ∼2,75 мс с падением напряжения всего 0,1 В на В L . Без рециркуляции энергии В L упало на 0,1 В через 0,78 мс. Таким образом, предложенная технология рециркуляции энергии увеличила время работы приемника на 250%.Максимальная энергоэффективность при повторном использовании энергии была измерена 41% для V Cs = 4 V.

    Измерено V R , V Cs и 9801074 V L в конфигурации с рециркуляцией энергии (Re 3 ), когда R L = 5 кОм был добавлен к C L , демонстрируя, что чип может поддерживать мощность нагрузки в течение 2 .75 мс с малым напряжением В L падение 0,1 В при В Tx = 0.

    показывает полную производительность микросхемы в условиях прерывистого WPT с резким напряжением V Tx изменения между 0 и 5,3 В p − p и внезапное добавление R L = 3 кОм ( C L = C s = 4,7 µ F).В начале с большим непрерывным В Tx = 5,3 В p − p и R L = 100 кОм, работая в SVCM с саморегулированием и OVP, микросхема успешно регулировала V L при 3 В, а затем передал дополнительную энергию на C s , зарядив его на V Cs = 4 В. Через ~ 2 мс от начала трассы, V Tx был переключен между 0 и 5.3 V p − p в течение ∼0,5 мс, что оказало незначительное влияние на V L , и чип продолжал работать в Re 1 . Затем V Tx было намеренно уменьшено до 0 и было добавлено R L = 3 кОм на ∼0,65 мс для имитации наихудшего сценария. Поскольку P Rx был равен нулю и требовалась дополнительная мощность нагрузки, микросхема работала в Re 3 , чтобы поддерживать V L постоянным при 3 В за счет рециркуляции энергии от C с до C L ( V Cs понижено до 3 В).Затем, когда V Tx был увеличен до 5,3 V p − p снова, чип начал работать в SVCM (Re 1 и Re 2 ) для подзарядки C s до 4 В и регулировать В L при 3 В с помощью OVP.

    Измеренные формы сигналов V R , VL и VC для переходов микросхемы между SVCM (Re 1 и Re 2 ) и операций рециркуляции энергии (Re 3 ) для прерывистое состояние WPT с резкими изменениями V Tx и добавлением R L .

    показывает измеренное значение PCE и V R , пик микросхемы ERSVCM во время работы SVCM по сравнению с R L при V L и C L = 4,7 µ F. Максимальное PCE 75% было достигнуто для R L = 0,5 кОм. PCE был выше при меньшем R L , потому что требуемый V R , пик был выше, и, следовательно, чип работал в VM как эффективный активный выпрямитель для большего количества циклов.При более высоком R L с требуемым меньшим V R , пик чип использовал менее эффективный CM, что чаще приводило к снижению PCE. Тем не менее, высокий PCE> 64% был достигнут для широкого диапазона R L ≤ 10 кОм. In, V R , пик поддерживался в безопасной области <5 В для всех значений R L .

    (a) Измеренные PCE и V R , пик по сравнению с R L во время работы SVCM при V L = 3 V, и (b ) измерены PCE и V L по сравнению с P Rx для разных R L ( C L µ = µ = 4,7 .

    показывает измеренные PCE и V L для разных P Rx (1.7–12,5 мВт) при R L = 1, 2 и 10 кОм при работе микросхемы в SVCM (без рециркуляции энергии). Поскольку для правильной работы микросхеме требуется не менее В L = 2,6 В, когда P Rx было недостаточно, и V L и PCE упали до нуля, что было ожидал. С другой стороны, когда значение P Rx было слишком высоким, V L оставалось постоянным на уровне 3 В благодаря регулированию напряжения через обратный ток, но PCE снижалось из-за регулирования напряжения.ясно показывает, что существует оптимальный P Rx для каждого R L для достижения наивысшего PCE. Для P Rx = 10,5 мВт и R L = 1 кОм, максимальный PCE 78,8% был достигнут при В L = 2,8 В.

    сравнивает производительность предлагаемого чипа ERSVCM с современными IPM. Насколько нам известно, в индуктивной доставке энергии микросхема ERSVCM является первой, которая использует операцию SVCM вместе с рециркуляцией энергии для расширения диапазона входного напряжения и времени работы Rx для эффективного, надежного и безопасного БПЭ.В нашем экспериментальном прототипе микросхемы время работы Rx было увеличено на 250% при R L = 5 кОм за счет хранения и повторного использования излишков полученной энергии. Микросхема достигла максимального измеренного PCE 75% для работы SVCM при R L = 0,5 кОм. Чип также выполнял одновременное саморегулирование и OVP, используя обратный ток при зарядке как C L , так и C s .Измеренная линия и регулировка нагрузки (определяемая как Δ V L / V L ) составляли 1,8% (установившееся V R : 1,5 В, 3 В) при R L = 100 кОм и 0,8% ( R L : 0,5 кОм, 100 кОм) для В L = 3 В соответственно. Этому чипу требуется всего три внешних конденсатора для выполнения множества функций, включая резонанс Rx, выпрямление, регулирование, OVP и рециркуляцию энергии.По сравнению с нашим VM-CM в [15], микросхема ERSVCM занимает большую активную площадь (2,4 мм 2 ) и требует еще одного внешнего конденсатора, в основном из-за добавления функции рециркуляции энергии. Учитывая только SVCM, требуется аналогичное количество внешних конденсаторов (только два), а активная площадь составляет всего 1 мм 2 .

    ТАБЛИЦА II

    СРАВНЕНИЕ ЧИПА ERSVCM СРЕДИ УРОВНЯ ТЕХНИКИ УПРАВЛЕНИЯ ИНДУКТИВНОЙ МОЩНОСТЬЮ

    1 1,8 9006 Защита от перенапряжения (OVP) *
    Публикация TPE-2014
    [10]
    ISSCC-9168 ISSCC-2084 [10] 2015
    [5]
    ISSCC-2016
    [13]
    JSSC-2017
    [15]
    Эта работа
    Технология CMOS (мкм) 0.18 0,18 0,35 0,18 0,35 0,35
    Рабочая частота (МГц) 13,56 13,56 2 0,05 0,05
    Архитектура Rx VM VM CM CM VM-CM SVCM
    Рециклинг энергии Нет0 Нет 900 Нет Да
    PCE (%) @ P L (мВт) 67.9 @ 19 67,8 @ 10 87 @ 220 61,2 @ 0,0028 VM: 77 @ 10 75 @ 18
    Саморегулирование Нет Нет Нет - * Да Да
    Регулировка линии (%) - - - - VM: 0,8 CM: 2,5
    Регулировка нагрузки (%) - - - - VM: 0.75 CM: 2,2 0,8
    Мертвая зона в диапазоне входных напряжений Да Нет ** Да Да Да Нет
    Нет Нет Да Нет VM: Да CM: Нет Да
    Rx Увеличение времени работы (%) - - - - - 250
    Количество встроенных конденсаторов + 4 4 910 910 2 3
    Диапазон выходной мощности (мВт) 6.4–32 2–50 50–1450 0,0006–0,0028 ++ 0,1–20 0,09–18
    Активная область (мм 2 2 ) ∼0,055 ∼1,25 ∼4,8 0,54 0,52 2,4

    предложенный В этой работе мы использовали 5-V процесс, чтобы продемонстрировать выполнимость техника утилизации энергии.Но для достижения наилучшего из предложенного метода можно: 1) использовать конденсатор большего размера (или даже перезаряжаемую батарею) для C s в качестве большого резервуара энергии и 2) реализовать рециркуляцию энергии при более высоком напряжении. процесс зарядки больших C s до очень высоких напряжений, что практически обеспечивается работой SVCM. Это может привести к постепенному хранению всех излишков P Rx в большом резервуаре и использовать их при необходимости даже с маленьким C L .В обычных IPM C L также может быть большим конденсатором. Однако, независимо от того, насколько велик C L , его следует заряжать только от указанного регулируемого источника питания, который обычно является низким, и для поддержания хорошего регулирования нагрузки / линии его напряжение может падать только на десятки мВт. . Следовательно, он по-прежнему ограничивает непрерывную работу Rx. Более того, использование большого C L может привести к медленному запуску.При этом также следует учитывать компромисс между улучшенной производительностью и сложностью микросхемы.

    V. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

    Мы представили теорию, реализацию ASIC и результаты измерений новой стратегии индуктивной доставки энергии, в которой избыточная полученная энергия сохраняется на накопительном конденсаторе (или батарее) в качестве резервуара энергии. перерабатывается обратно в нагрузку, когда полученная мощность недостаточна. Использование операций VM и CM с плавными переходами расширило безопасный диапазон входного напряжения, исключив мертвую зону в текущих IPM.Предлагаемый чип ERSVCM может продлить время работы системы на 250% для R L = 5 кОм благодаря технологии рециркуляции энергии. При измерениях, несмотря на серьезные колебания передаваемой мощности в имитируемом сценарии прерывистого БПЭ, микросхема успешно достигла регулируемого напряжения 3 В за счет работы в CM с высоким VCE и использования рециркуляции энергии. С помощью только одного внешнего конденсатора выпрямление, регулирование и OVP были достигнуты с обратным током.Чип достиг высокого PCE 75% при выходной мощности 18 мВт с измеренными параметрами линии и нагрузки 1,8% и 0,8% при одноступенчатом саморегулировании соответственно.

    Благодарности

    Рукопись получена 12 апреля 2018 г., исправлена ​​29 сентября 2018 г. и принята 22 ноября 2018 г. Эта работа частично поддержана Национальными институтами здравоохранения в рамках гранта NIBIB-1U18EB021789–01.

    Биография

    Хесам Садеги Гугери (S’16) получил степень бакалавра наук. степень в области электротехники в Исфаханском технологическом университете, Исфахан, Иран, в 2012 году, и M.Sc. степень в области микроэлектроники, полученная в Технологическом университете Шарифа, Тегеран, Иран, в 2014 году. Тема диссертации: «Моделирование и улучшение фазовых шумов в кольцевых генераторах». Затем в 2015 году он присоединился к Лаборатории интегральных схем и систем (ICSL) Государственного университета Пенсильвании, Юниверсити-Парк, штат Пенсильвания, США, где в настоящее время работает над докторской степенью. степень в области электротехники. Его исследовательские интересы включают проектирование миллиметровых и радиочастотных схем, а также биомедицинских схем малой мощности.

    Мехди Киани (S’09-M’14) получил B.S. степень от Ширазского университета, Шираз, Иран, и M.S. Получил степень в Технологическом университете Шарифа, Тегеран, Иран, в 2005 и 2008 годах, соответственно. Он получил свой M.S. и к.т.н. Степень в области электротехники и вычислительной техники Технологического института Джорджии в 2012 и 2013 годах соответственно. В настоящее время он является доцентом кафедры электротехники в Государственном университете Пенсильвании. Его научные интересы - проектирование интегральных схем и систем для биологических приложений.Он был лауреатом премии Georgia Tech Sigma Xi за лучшую докторскую диссертацию и премии Georgia Tech Chih Foundation Research за отличные исследования в области инженерии и медицинских наук. Он является младшим редактором журнала IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems и работал в подкомитетах IEEE Sensors и IEEE Custom Integrated Circuits Conference.

    Информация для авторов

    Хесам Садеги Гугери, факультет электротехники Университета штата Пенсильвания, Юниверсити Парк, Пенсильвания 16802, США.

    Мехди Киани, факультет электротехники Университета штата Пенсильвания, Юниверсити Парк, Пенсильвания 16802, США.

    СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

    [1] Чжоу Д. и Гринбаум Э. Имплантируемые нервные протезы 1, Нью-Йорк, Нью-Йорк: Springer, 2009 г. [Google Scholar] [2] Садеги Гугери Х. и Киани М., «Оптимальная частота для питания миллиметровых биомедицинских имплантатов. внутри клетки с индуктивным питанием », в Proc. 38-й Int. IEEE EMBS Conf, стр. 4804–4807, август 2016. [PubMed] [3] Ибрагим А. и Киани М., «Показатель качества для проектирования и оптимизации индуктивных линий передачи энергии для биомедицинских имплантатов миллиметрового размера», IEEE Trans.Биомед. Cir. Syst, т. 10, No. 6, pp. 1100–1111, декабрь 2016. [PubMed] [Google Scholar] [4] Ли Х. и Гованлоо М., «Адаптивный реконфигурируемый удвоитель / выпрямитель активного напряжения для индуктивной передачи энергии в расширенном диапазоне», IEEE Int. Твердотельный Cir. Conf. С. 286–288, февраль. 2012. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [5] Киани М., Ли Б., Ен П. и Гованлоо М., «Метод Q-модуляции для эффективной индуктивной передачи энергии», IEEE J. Solid State Cir, vol. 50, стр. 2839–2848, декабрь 2015. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

    [6] Пан Дж., Абиди А., Розгич Д., Чандракумар Х. и Маркович Д., «Индуктивно-связанная беспроводная система передачи энергии, не подверженная влиянию расстояния и вариации нагрузки », IEEE Int.Твердотельный Cir. Conf. С. 382–383, февраль. 2017.

    [7] Ли КФЭ, «Преобразователь переменного тока в постоянный с временным управлением для биомедицинских имплантатов», IEEE Int. Твердотельный Cir. Conf. С. 128–129, февраль. 2010.

    [8] Ким К., Ха С., Парк Дж., Акинин А., Мерсье П. П. и Каувенбергс Г., «Полностью интегрированный резонансный регулирующий выпрямитель 144 МГц с гибридной импульсной модуляцией для имплантатов миллиметрового размера», IEEE J. Solid Государственный Цирк, т. 52, нет. 11. С. 3043–3055, ноябрь. 2017. [Google Scholar]

    [9] Ли Э, «Пассивный выпрямитель / стабилизатор с удвоением напряжения для биомедицинских имплантатов», IEEE Custom Integrated Cir.Против. (CICC), стр. 1–4, сентябрь 2015.

    [10] Hwang Y, Lei C, Yang Y, Chen J и Yu C, «Низковольтный выпрямитель RF-DC с низким уровнем управляющих потерь и частотой 13,56 МГц, использующий технологию уменьшения обратных потерь», IEEE Trans. . Power Electron, т. 29, нет. 12. С. 6544–6554, декабрь. 2014. [Google Scholar]

    [11] Ли З, Сонг К., Цзян Дж. И Чжу К., «Схема управления постоянной зарядкой и отслеживанием максимальной эффективности для беспроводной зарядки суперконденсаторов», IEEE Trans. Power Electron, 2018.

    [12] Sadeghi Gougheri H и Kiani M, «Резонансная передача мощности на основе тока с многоцикловым переключением для индуктивной передачи энергии в расширенном диапазоне» IEEE Trans.Cir. Syst. I, т. 63, стр. 1543–1552, сентябрь 2016. [Google Scholar]

    [13] Чой М., Чан Т., Чон Дж, Чон С., Блаау Д. и Сильвестр Д., «Беспроводной приемник энергии в текущем режиме с оптимальным отслеживанием резонансного цикла для имплантируемых систем», IEEE Int. Твердотельный Cir. Конф. (ISSCC) Dig. Tech. Документы, стр. 372–373, февраль. 2016.

    [14] Садеги Гугери Х. и Киани М. «Адаптивное реконфигурируемое управление мощностью в режиме напряжение / ток с саморегулированием для индуктивной передачи энергии в расширенном диапазоне», IEEE Int.Твердотельный Cir. Конф. (ISSCC) Dig. Tech. Документы, стр. 374–375, февраль 2017.

    [15] Sadeghi Gougheri H и Kiani M, «Саморегулируемое реконфигурируемое управление питанием в режиме напряжения / тока с саморегулированием для индуктивной передачи энергии в расширенном диапазоне», IEEE J. Solid State Cir, vol. 52, стр. 3056–3070, ноябрь 2017. [Google Scholar]

    [16] Шин С., Чой М., Кох С., Ян И, Юнг С., Сон И, Пак С., Джу И, Джо И, Ху И, Чой С., Ким С., Чо Г, " Беспроводной приемник энергии с временным чередованием и резонансным режимом напряжения 13,56 МГц с изолированным резонатором и квазирезонансным повышающим преобразователем для имплантируемых систем », - IEEE Int.Твердотельный Cir. Конф. (ISSCC) Dig. Tech, стр. 154–155, февраль 2018.

    [17] Садеги Гугери Х. и Киани М., «Саморегулирующееся интегрированное управление питанием в режиме напряжения / тока с плавным переходом между режимами и расширенным диапазоном входного напряжения», IEEE Custom Integrated Cir. Конф, апрель 2018.

    [18] Ван Кью и Мок П., «Безиндукторная термоэлектрическая система сбора энергии с двойным входом и тройным выходом без индуктора с током покоя 14 нА, основанная на реконфигурируемой матрице ТЭГ», IEEE Custom Integrated Cir.Конф, апрель 2018.

    [19] Ли Х, Квон К., Ли В., Хауэлл Б., Гриль В. и Гованлоо М., «Энергосберегающая система стимуляции с переключаемыми конденсаторами для электрической / оптической стимуляции глубокого мозга», IEEE J. Solid State Cir , т. 50, нет. 1. С. 360–374, январь. 2015. [Google Scholar]

    2P4M datasheet -

    LJ1964-M1FEWRW : Цвет излучения: красный, Материал: Gaalas, Длина волны (нм): 660.

    MAN3010A : Слаботочный красный дисплей с двойным гетеропереходом 7,6 мм (0,3 дюйма) Algaas Red.

    SN65LVDS31 : Драйверы высокоскоростной дифференциальной линии. Соответствует или превышает требования стандарта ANSI TIA / EIA-644 для низковольтной дифференциальной сигнализации с типичным выходным напряжением 350 мВ и типичным временем нарастания и спада выходного напряжения при 100-нагрузке ps (400 Мбит / с) Типичное время задержки распространения 1,7 нс срабатывание от одного Рассеиваемая мощность источника питания 3,3 В Типичное значение 25 мВт на драйвер при частоте 200 МГц и высоком импедансе.

    LNX2G562MSEG : Алюминиевые электролитические конденсаторы.Тип винтовой клеммы, высокая пульсация, более длительный срок службы. серия Подходит для использования в промышленных источниках питания для инверторных схем и т. д. Высокий пульсирующий ток, сверхвысокое напряжение. Высокая надежность, длительный срок службы в течение 20 000 часов при номинальном токе пульсаций при + 85 ° C. Увеличенный размер 250л. Электролит огнестойкий по типу в наличии. Втулка.

    070L102 : ТРИММЕР, ПОТЕНЦИОМЕТР 1KOHM 20TURN THD. s: Сопротивление гусеницы: 1 кОм; Кол-во поворотов: 20; Допуск сопротивления: 10%; Температурный коэффициент: 100 ppm / C; Номинальная мощность: 1 Вт; Крепление потенциометра: сквозное отверстие; MSL: -.

    NMR102C : DC / DC преобразователи и регуляторы 1 Вт, один выход, от 5 до 15 В. s: Производитель: Murata Power Solutions; Категория продукта: Преобразователи и регуляторы постоянного тока в постоянный; RoHS: подробности; Продукт: Изолированный; Выходная мощность: 1 Вт; Диапазон входного напряжения: от 4,5 В до 5,5 В; Входное напряжение (номинальное): 5 В; Количество выходов: 1; Выходное напряжение (канал 1): 15 В; Выходной ток.

    2-330060-1 : Монтаж на панели, переборка - коаксиальная передняя гайка, ВЧ разъемы, межблочный разъем, розетки; CONN JACK BNC RG-174 CRIMP GOLD.s: Кабельная группа: РГ-174, 188; Цвет: - ; Тип разъема: BNC; Тип разъема: Джек, розетки; Прекращение контакта: обжимное, одиночное; Тип крепления: байонетный замок; Частота - Макс: 2,5 ГГц; Импеданс: 50 Ом; Монтаж.

    5-406999-2 : Модульные - разъемы, межблочный круглый кабель, многожильные провода; CONN MOD РАЗЪЕМ 8-8 КРУГЛЫЙ НИТЬ. s: Тип кабеля: Круглый кабель, Многожильный провод; Количество позиций / контактов: 8p8c (RJ45, Ethernet), с ключом; Рейтинги: Cat3; Экранирование: экранированное; Прекращение: IDC; Цвет: полупрозрачный - прозрачный; Длина: 0.915 дюймов (23,24 мм); Тип разъема: Вилка; Упаковка:

    FHP-16-02-T-S : Прямоугольное крепление на оловянной поверхности - разъемы, розетки, гнездовые разъемы, соединительные розетки; CONN RCPT .156 "16POS TIN SMD. S: Цвет: черный; Тип разъема: Розетка; Обработка контактов: Олово;: -; Тип монтажа: Монтаж на поверхность; Количество загруженных позиций: Все; Количество рядов: 1; Шаг: 0,156 "(3,96 мм); Расстояние между рядами: -; Упаковка: Туба.

    4-5353190-0 : Gold Surface Mount Board to Board - массивы, краевого типа, промежуточные разъемы, межкомпонентные розетки, контакты с центральной полосой; CONN RCPT 140POS DL VERT 0.6ММ. s: Тип разъема: Розетка, Центральные полосковые контакты; Количество позиций: 140; Количество рядов: 2; Контактная отделка: золото; Тип установки: поверхностное крепление; Шаг: 0,023 дюйма (0,60 мм);: Направляющая для платы,

    BRPG1201W-TR : светодиоды -; LED КРАСНЫЙ / ЗЕЛЕНЫЙ ДВУХЦВЕТНЫЙ SMD. s: Цвет: зеленый, красный; Тип / размер линз: прямоугольник с плоским верхом, 2,5 мм x 2 мм; Рейтинг Милликанделы: 4,8 мкд зеленый, 12,8 мкд красный; Напряжение - прямое (Vf) Тип: 2,1 В зеленый, 1,7 В красный; Длина волны - доминирующая: 567 нм, 647 нм; Длина волны - пиковая: 560 нм, 660 нм; Ток - тест: 20 мА; Углы обзора: 156, 149, зеленый, 160, 150.

    1-282858-3 : Клеммная колодка со сквозным отверстием - провод для подключения к разъемам, сквозное отверстие для соединения; ТЕРМИНАЛЬНЫЙ БЛОК RCPT 13POS SIDE 10MM. s: Цвет: зеленый; Сила тока: 24А; : Блокировка (сбоку); Ориентация стыковки: горизонтальная с доской; Тип установки: Сквозное отверстие; Шаг: 0,394 дюйма (10,00 мм); напряжение: 600 В; калибр провода: 12-30 AWG; количество уровней: 1; позиций на уровень:

    AP431-13 : ТРЕХСТОРОННЕЕ ОПОРНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ С 1 ВЫХОДОМ, 2,495 В, PDSO8. s: Тип упаковки: Другое, SOP, 8 PIN; VREF: 2.От 47 до 2,52 вольт; TC: 76,34 частей на миллион / C; Рабочая температура: от -20 до 85 C (от -4 до 185 F).

    225PMB850KAP0 : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННАЯ ПЛЕНКА, ПОЛИПРОПИЛЕН, 850 В, 2,2 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ. s: Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: полипропиленовые; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 2,2 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); WVDC: 850 вольт; Тип установки: КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ; Рабочая температура: от -40 до 85 C (-40,

    8S89872ANLGI8 : ДРАЙВЕР ЧАСОВ С НИЗКИМ СКОРОМ.s: Тип устройства: драйвер часов. Это высокоскоростной буфер / делитель дифференциала в LVDS с внутренней оконечной нагрузкой. IDT8S89872I имеет выбираемые выходные делители. Тактовый вход имеет внутренние согласующие резисторы, позволяющие ему взаимодействовать с несколькими типами дифференциальных сигналов, минимизируя количество требуемых внешних компонентов.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *