Содержание

Как проверить тиристор мультиметром | Практическая электроника

Для проверки радиоэлементов на работоспособность, чаще всего используется мультиметр. Он хорош тем, что с его помощью, можно быстро выявить радикальные дефекты большинства радиодеталей. Минус тут в том, что не каждым мультиметром, и не каждую деталь, можно протестировать досконально.

Аналоговый мультиметр

Чаще всего называемый тестером, реже – авометром (Ампер-Вольт-Ом-метр) и, почти никогда, непосредственно мультиметром. Состоит из прецизионной стрелочной головки потенциометра и сложных коммутируемых цепей измерения. Причем, внутренняя батарея питания (4,5-9 В.) нужна лишь для измерения сопротивления. Напряжение и ток можно измерить и без нее.
Проверить тиристор мультиметром такого плана, можно только при наличии свежей, не разряженной батарейки.

Цифровой мультиметр

Так и называют, реже – тестером, и, почти никогда – авометром. Состоит из упрощенных коммутируемых цепей измерения обслуживающих микроконтроллер с АЦП (аналого-цифровой преобразователь). Его широкий диапазон измерения, чувствительность и точность, позволяют обойтись и без них. Внутренний элемент питания (1-9 В) используется не только для измерения сопротивления, но и для питания микроконтроллера и его периферии.

Как проверить тиристор мультиметром

Рассмотрим последовательность действий для определения работоспособности тиристора.

  1. Прозвонка анод-катод, при любом приложении щупов:
    • аналоговый покажет бесконечность, стрелка не двинется;
    • цифровой или никак не отреагирует или высветит несколько МОм.
  2. При прозвонке анод-управляющий электрод:
    • аналоговый покажет от нескольких до десятков кОм;
    • цифровой выдаст такие же цифры.
  3. При прозвонке катод-управляющий электрод:
    • то же самое для обоих приборов.

Теперь попробуем проверить тиристор на открытие, его основную работу. Для этого, минусовой щуп приложим к катоду, плюсовой к аноду и им же, не отрывая от анода, кратковременно коснемся управляющего электрода. Тиристор должен открыться (сопротивление упасть почти до 0 Ом) и удерживаться в таком состоянии до разрыва цепи.

Если этого не произошло то:

  • перепутаны плюсовой и минусовой щупы тестера;
  • неподходящий тестер или разряженная батарея в нем;
  • тиристор неисправен.

Перед тем, как выбросить тиристор, проверим мультиметр и правильность своих действий при работе с ним:

  • земляной (корпусный или COM) щуп аналогового тестера – является плюсовым, а у цифрового мультиметра наоборот – минусовым.
  • диапазон измерения должен быть выставлен на 100-2000 Ом, в зависимости от градации коммутационного блока;
  • питание измерительного прибора должно осуществляться свежей, не разряженной батареей с напряжением от 4,5 до 9 вольт;
  • на шкале цифрового мультиметра, в секторе измерения сопротивлений, должен присутствовать значок диода.

Цифровые тестеры-игрушки, размером со спичечную коробку и питанием от часового аккумулятора, для проверки полупроводниковых элементов не подходят. Да и полагаться на другие их измерения не стоит. Но и утверждать, что проверить тиристор цифровым мультиметром невозможно (а такое мнение бытует), тоже неверно. Можно, причем очень даже многими. Соблюдение вышеперечисленных правил, позволяет добиться положительных результатов с разными приборами.

Проверка радиодеталей мультиметром для начинающих радиолюбителей

Статья для начинающих радиолюбителей. В ней  приводятся примеры проверки основных радиодеталей, используемых в радиоэлектронной аппаратуре (резисторы, конденсаторы, трансформаторы, катушки индуктивности, дроссели, диоды и транзисторы) с помощью  мультиметра или обычного стрелочного омметра.   

Резисторы

Постоянный резистор проверяется мультиметром, включенным в режим омметра. Полученный результат надо сравнить с номинальным значением сопротивления, указанным на корпусе резистора и на принципиальной схеме. При проверке подстроечных и переменных резисторов сначала надо проверить величину сопротивления, замерив его между крайними (по схеме) выводами, а затем убедиться в надежности контакта между токопроводящим слоем и ползунком. Для этого надо подключить омметр к среднему выводу и поочередно к каждому из крайних выводов. При вращении оси резистора в крайние положения, изменение сопротивления переменного резистора группы «А» (линейная зависимость от угла поворота оси или положения движка) будет плавным, а резистора группы «Б» или «В» (логарифмическая зависимость) имеет нелинейный характер. Для переменных (подстроечных) резисторов характерны три неисправности: нарушения контакта движка с проводящим слоем; механический износ проводящего слоя с частичным нарушением контакта и изменением величины сопротивления резистора в большую сторону; выгорание проводящего слоя, как правило, у одного из крайних выводов. Некоторые переменные резисторы имеют сдвоенную конструкцию. В этом случае каждый резистор проверяется отдельно. Переменные резисторы, применяемые в регуляторах громкости, иногда имеют отводы от проводящего слоя, предназначенные для подключения цепей тонконпенсации. Для проверки наличия контакта отвода с проводящим слоем омметр подключают к отводу и любому из крайних выводов. Если прибор покажет какую-то часть от общего сопротивления, значит имеется контакт отвода с проводящим слоем.

Фоторезисторы проверяются аналогично обычным резисторам, но для них будет два значения сопротивления. Одно до засветки — темновое сопротивление (указывается в справочниках), второе — при засветке любой лампой (оно будет в 10… 150 раз меньше темнового сопротивления).

Конденсаторы

Простейший способ проверки исправности конденсатора — внешний осмотр, при котором обнаруживаются механические повреждения, например деформация корпуса при перегреве вызванного большим током утечки. Если при внешнем осмотре дефекты не замечены, проводят электрическую проверку.
Омметром легко определить один вид неисправности – внутреннее короткое замыкание (пробой). Сложнее дело обстоит с другими видами неисправности конденсаторов: внутренним обрывом, большим током утечки и частичной потерей емкости. Причиной последнего вида неисправности у электролитических конденсаторов бывает высыхание электролита.

Многие цифровые тестеры обеспечивают возможность измерения емкости конденсаторов в диапазоне от 2000 пФ до 2000 мкФ. В большинстве случаев этого достаточно. Надо отметить, что электролитические конденсаторы имеют довольно большой разброс допустимого отклонения от номинальной величины емкости. У конденсаторов некоторых типов он достигает- 20%,+80%, то есть, если номинал конденсатора 10мкФ, то фактическая величина его емкости может быть от 8 до 18мкФ.

При отсутствии измерителя емкости конденсатор можно проверить другими способами.

Конденсаторы большой емкости (1 мкФ и выше) проверяют омметром. При этом от конденсатора отпаивают детали, если он в схеме и разряжают его. Прибор устанавливают для измерения больших сопротивлений. Электролитические конденсаторы подключают к щупам с соблюдением полярности.

Если емкость конденсатора больше 1 мкФ и он исправен, то после присоединения омметра конденсатор заряжается, и стрелка прибора быстро отклоняется в сторону нуля (причем отклонение зависит от емкости конденсатора, типа прибора и напряжения источника питания), потом стрелка медленно возвращается в положение «бесконечность».


При наличии утечки омметр показывает малое сопротивление — сотни и тысячи ом, — величина которого зависит от емкости и типа конденсатора. При пробое конденсатора его сопротивление будет около нуля. При проверке исправных конденсаторов емкостью меньше 1 мкФ стрелка прибора не отклоняется, потому что ток и время заряда конденсатора незначительны.
При проверке омметром нельзя установить пробой конденсатора, если он происходит при рабочем напряжении. В таком случае можно проверить конденсатор мегаомметром при напряжении прибора, не превышающем рабочее напряжение конденсатора.
Конденсаторы средней емкости (от 500 пФ до 1 мкФ) можно проверить с помощью последовательно подключенных к выводам конденсатора наушников и источника тока. Если конденсатор исправен, в момент замыкания цепи в головных телефонах слышен щелчок.
Конденсаторы малой емкости (до 500 пФ) проверяют в цепи тока высокой частоты. Конденсатор включают между антенной и приемником. Если громкость не уменьшится, значит, обрывов выводов нет.

Трансформаторы, катушки индуктивности и дроссели

Проверка начинается с внешнего осмотра, в ходе которого необходимо убедиться в исправности каркаса, экрана, выводов; в правильности и надежности соединений всех деталей катушки; в отсутствии видимых обрывов проводов, замыканий, повреждения изоляции и покрытий. Особое внимание следует обращать на места обугливания изоляции, каркаса, почернение или оплавление заливки.
Наиболее частая причина выхода из строя трансформаторов (и дросселей) — их пробой или короткое замыкание витков в обмотке или обрыв выводов. Обрыв цепи катушки или наличие замыканий между изолированными по схеме обмотками можно обнаружить при помощи любого тестера. Но если катушка имеет большую индуктивность (т. е. состоит из большого числа витков), то цифровой мультиметр в режиме омметра вас может обмануть (показать бесконечно большое сопротивление, когда цепь все же есть) — для таких измерений «цифровик» не предназначен. В этом случае надежнее аналоговый стрелочный омметр.

Если проверяемая цепь есть, это еще не значит, что все в норме. Убедиться в том, что внутри обмотки нет коротких замыканий между слоями, приводящих к перегреву трансформатора, можно по значению индуктивности, сравнив ее с аналогичным изделием.
Когда такой возможности нет, можно воспользоваться другим методом, основанном на резонансных свойствах цепи. От перестраиваемого генератора подаем синусоидальный сигнал поочередно на обмотки через разделительный конденсатор и контролируем форму сигнала во вторичной обмотке.

Если внутри нет межвитковых замыканий, то форма сигнала не должна отличаться от синусоидальной во всем диапазоне частот. Находим резонансную частоту по максимуму напряжения во вторичной цепи.

Короткозамкнутые витки в катушке приводят к срыву колебаний в LC-контуре на резонансной частоте.

У трансформаторов разного назначения рабочий частотный диапазон отличается — это надо учитывать при проверке:

  • сетевые питающие 40…60 Гц;
  • звуковые разделительные 10…20000Гц;
  • для импульсного блока питания и разделительные .. 13… 100 кГц.

Импульсные трансформаторы обычно содержат малое число витков. При самостоятельном изготовлении убедиться в их работоспособности можно путем контроля коэффициента трансформации обмоток. Для этого подключаем обмотку трансформатора с наибольшим числом витков к генератору синусоидального сигнала на частоте 1 кГц. Эта частота не очень высокая и на ней работают все измерительные вольтметры (цифровые и аналоговые), в то же время она позволяет с достаточной точностью определить коэффициент трансформации (такими же они будут и на более высоких рабочих частотах). Измерив напряжение на входе и выходе всех других обмоток трансформатора, легко посчитать соответствующие коэффициенты трансформации.

Диоды и фотодиоды

Любой стрелочный (аналоговый) омметр позволяет проверить прохождение тока через диод (или фотодиод) в прямом направлении — когда «+» тестера приложен к аноду диода. Обратное включение исправного диода эквивалентно разрыву цепи.
Цифровым прибором в режиме омметра проверить переход не удастся. Поэтому у большинства современных цифровых мультиметров есть специальный режим проверки p-n-переходов (на переключателе режимов он отмечен знаком диода).

Такие переходы есть не только у диодов, но и фотодиодов, светодиодов, а также транзисторов. В этом режиме «цифровик» работает как источник стабильного тока величиной 1 мА (такой ток проходит через контролируемую цепь) —- что совершенно безопасно. При подключенном контролируемом элементе прибор показывает напряжение на открытом p-n-переходе в милливольтах: для германиевых 200…300 мВ, а для кремниевых 550…700 мВ. Измеренное значение может быть не более 2000 мВ.
Однако, если напряжение на щупах мультиметра ниже отпирания диода, диодного или селенового столба, то прямое сопротивление измерить невозможно.

 Биполярные транзисторы

Некоторые тестеры имеют встроенные измерители коэффициента усиления маломощных транзисторов. Если у вас такого прибора нет, то при помощи обычного тестера в режиме омметра или же цифровым, в режиме проверки диодов, можно проверить исправность транзисторов.

Проверка биполярных транзисторов основана на том, что они имеют два n-p перехода, поэтому транзистор можно представить как два диода, общий вывод которых – база. Для n-p-n транзистора эти два эквивалентных диода соединены с базой анодами, а для транзистора p-n-p катодами.

Транзистор исправен, если исправны оба перехода.

Для проверки один щуп мультиметра присоединяют к базе транзистора, а вторым щупом поочередно прикасаются к эмиттеру и коллектору. Затем меняют щупы местами и повторяют измерение.

При прозвонке электродов некоторых цифровых или мощных транзисторов следует учитывать, что у них могут внутри быть установлены защитные диоды между эмиттером и коллектором, а также встроенные резисторы в цепи базы или между базой и эмиттером. Не зная этого, элемент по ошибке можно принять за неисправный.

Полевые транзисторы

В отличие от биполярных, полевых транзисторов существует много видов и при проверке надо учитывать, с каким из них вы имеете дело. Так, для проверки транзисторов, имеющих затвор на основе запорного слоя p-n-перехода, можно воспользоваться эквивалентной схемой, приведенной на рисунке

 Для прозвонки подойдет обычный стрелочный омметр, но, цифровым прибором в режиме контроля р-п-переходов делать это более удобно..
Сопротивление между стоком и истоком, в обоих направлениях должно иметь небольшую величину и быть примерно одинаковым. Затем замерим прямое и обратное сопротивление перехода, подключая щупы омметра к затвору и стоку (или истоку). При исправном транзисторе оно должно быть разным и в прямом и обратном направлениях.
При проверке сопротивления между истоком и стоком только не забудьте снять заряд с затвора после предыдущих измерений (кратковременно замкните его с истоком), а то можно получить неповторяющийся результат
Многие маломощные «полевики» (особенно с изолированным затвором) очень чувствительны к статике. Поэтому, перед тем как брать в руки такой транзистор, позаботьтесь о том, чтобы на вашем теле не оказалось зарядов. Чтобы их снять, достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности.
Несмотря на то, что мощные полевые транзисторы часто имеют защиту от статики, но все равно пренебрегать мерами предосторожности не следует.
Многочисленный класс MOSFET-транзисторов (предназначен для работы в ключевом режиме) не имеет p-n-переходов между электродами (изолированный затвор). Из-за большого сопротивления диэлектрического слоя у затвора, если транзистор явно не пробит (для выявления этого прозвонка все же не помешает), убедиться в его работоспособности не удастся — прибор покажет бесконечно большое сопротивление.

Использованы  материалы сайта: stoom.ru



ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

П О П У Л Я Р Н О Е:
  • Как рассчитать количество радиаторов отопления?
  • Делаем замену старых батарей отопления или устанавливаем новые радиаторы. Как же нам рассчитать количество секций? Это совсем не трудно. Для расчета количества радиаторов отопления в Вашей квартире проведем расчет на примере.

    Подробнее…

  • Ремонт ноутбука своими руками
  • Раньше иметь дома, кроме обычного стационарного ПК, еще и ноутбук считалось чуть ли не роскошью. Сегодня это обычное дело, но в последнее время можно наблюдать некоторый спад интереса к ноутбукам в пользу планшетов и смартфонов…

    Однако «списывать» портативные компьютеры вопреки всяким прогнозам еще точно рано, а вот ремонтировать их, как не жаль, но иногда приходится…

    Подробнее…

  • Дефекты узла строчной развертки.
  • Почему выходит из строя строчный тран­зистор? Строчный транзистор выбивает по двум основным причинам:

    • Первая—тепловой пробой из-за измене­ния формы импульсов запуска строчного транзистора. Короткое замыкание в строчном трансформаторе (РВТ) тоже может стать причиной теплового пробоя.
    • Вторая—пробой по напряжению в основ­ном из-за блока питания и микротрещин.

    Подробнее…


Популярность: 23 682 просм.

Полевой транзистор основные характеристики. Полевые транзисторы

Теперь давайте узнаем о том, какие бывают полевые транзисторы. Полевые транзисторы очень распространены как в старой схемотехнике, так и в современной. Сейчас в большей степени используются приборы с изолированным затвором, о типах полевых транзисторов и их особенностях сегодня мы и поговорим. В статье я буду проводить сравнение с биполярными транзисторами, в отдельных местах.

Определение

Полевой транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый ключ, управляемый электрическим полем. Это главное отличие с точки зрения практики от биполярных транзисторов, которые управляются током. Электрическое поле создается напряжением, приложенным к затвору относительно истока. Полярность управляющего напряжения зависит от типа канала транзистора. Здесь прослеживается хорошая аналогия с электронными вакуумными лампами.

Другое название полевых транзисторов – униполярные. «УНО» – значит один. В полевых транзисторах в зависимости от типа канала ток осуществляется только одним типом носителей дырками или электронами. В биполярных транзисторах ток формировался из двух типов носителей зарядов – электронов и дырок, независимо от типа приборов. Полевые транзисторы в общем случае можно разделить на:

    транзисторы с управляющим p-n-переходом;

    транзисторы с изолированным затвором.

И те и другие могут быть n-канальными и p-канальными, к затвору первых нужно прикладывать положительное управляющее напряжение для открытия ключа, а для вторых – отрицательное относительно истока.

У всех типов полевых транзисторов есть три вывода (иногда 4, но редко, я встречал только на советских и он был соединен с корпусом).

1. Исток (источник носителей заряда, аналог эмиттера на биполярном).

2. Сток (приемник носителей заряда от истока, аналог коллектора биполярного транзистора).

3. Затвор (управляющий электрод, аналог сетки на лампах и базы на биполярных транзисторах).

Транзистор с управляющим pn-переходом

Транзистор состоит из таких областей:

4. Затвор.

На изображении вы видите схематическую структуру такого транзистора, выводы соединены с металлизированными участками затвора, истока и стока. На конкретной схеме (это p-канальный прибор) затвор – это n-слой, имеет меньше удельное сопротивление, чем область канала (p-слой), а область p-n-перехода в большей степени расположена в p-области по этой причине.

а – полевой транзистор n-типа, б – полевой транзистор p-типа

Чтобы легче было запомнить, вспомните обозначение диода, где стрелка указывает от p-области в n-область. Здесь также.

Первое состояние – приложим внешнее напряжение.

Если к такому транзистору приложить напряжение, к стоку плюс, а к истоку минус, через него потечет ток большой величины, он будет ограничен только сопротивлением канала, внешними сопротивлениями и внутренним сопротивлением источника питания. Можно провести аналогию с нормально-замкнутым ключом. Этот ток называется Iснач или начальный ток стока при Uзи=0.

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, без приложенного управляющего напряжения к затвору является максимально открытым.

Напряжение к стоку и истоку прикладывается таким образом:

Через исток вводятся основные носители зарядов!

Это значит, что если транзистор p-канальный, то к истоку подключают положительный вывод источника питания, т.к. основными носителями являются дырки (положительные носители зарядов) – это так называемая дырочная проводимость. Если транзистор n-канальный к истоку подключают отрицательный вывод источника питания, т.к. в нем основными носителями заряда являются электроны (отрицательные носители зарядов).

Исток – источник основных носителей заряда.

Вот результаты моделирования такой ситуации. Слева расположен p-канальный, а справа n-канальный транзистор.

Второе состояние – подаём напряжение на затвор

При подаче положительного напряжения на затвор относительно истока (Uзи) для p-канального и отрицательное для n-канального, он смещается в обратном направлении, область p-n-перехода расширяется в сторону канала. В резльтате чего ширина канала уменьшается, ток снижается. Напряжение затвора, при котором ток через ключ перестает протекать называется, напряжением отсечки.

Достигнуто напряжение отсечки, и ключ полностью закрыт. На картинке с результатами моделирования отображено такое состояние для p-канального (слева) и n-канального (справа) ключа. Кстати на английском языке такой транзистор называется JFET.

Рабочий режим транзистора при напряжение Uзи либо нулевое, либо обратное. За счет обратного напряжения можно «прикрывать транзистор», используется в усилителях класса А и прочих схемах где нужно плавное регулирование.

Режим отсечки наступает, когда Uзи=Uотсечки для каждого транзистора оно своё, но в любом случае прикладывается в обратном направлении.

Характеристики, ВАХ

Выходной характеристикой называют график, на котором изображена зависимость тока стока от Uси (приложенного к выводам стока и истока), при различных напряжениях затвора.

Можно разбить на три области. Вначале (в левой части графика) мы видим омическую область – в этом промежутке транзистор ведет себя как резистор, ток возрастает почти линейно, доходя до определенного уровня, переходит в область насыщения (в центре графика).

В правой части график мы видим, что ток опять начинает расти, это область пробоя, здесь транзистор находиться не должен. Самая верхняя ветвь изображенная на рисунке – это ток при нулевом Uзи, мы видим, что ток здесь самый большой.

Чем больше напряжение Uзи, тем меньше ток стока. Каждая из ветвей отличается на 0.5 вольта на затворе. Что мы подтвердили моделированием.

Здесь изображена стоко-затворная характеристика, т.е. зависимость тока стока от напряжения на затворе при одинаковом напряжении стока-исток (в данном примере 10В), здесь шаг сетки также 0.5В, мы опять видим что чем ближе напряжение Uзи к 0, тем больший ток стока.

В биполярных транзисторах был такой параметр как коэффициент передачи тока или коэффициент усиления, он обозначался как B или h31э или Hfe. В полевых же для отображения способности усиливать напряжение используется крутизна обозначается буквой S

То есть крутизна показывает, насколько миллиАмпер (или Ампер) растёт ток стока при увеличении напряжения затвор-исток на количество Вольт при неизменяемом напряжении сток-исток. Её можно вычислить исходя из стоко-затворной характеристики, на приведенном выше примере крутизна равняется порядка 8 мА/В.

Схемы включения

Как и у биполярных транзисторов есть три типовых схемы включения:

1. С общим истоком (а). Используется чаще всех, даёт усиление по току и мощности.

2. С общим затвором (б). Редко используется, низкое входное сопротивления, усиления нет.

3. С общим стоком (в). Усиление по напряжению близко к 1, большое входное сопротивление, а выходное низкое. Другое название – истоковый повторитель.

Особенности, преимущества, недостатки

    Главное преимущество полевого транзистора высокое входное сопротивление . Входное сопротивление это отношения тока к напряжению затвор-исток. Принцип действия лежит в управлении с помощью электрического поля, а оно образуется при приложении напряжения. То есть полевые транзисторы управляются напряжением .

  • практически не потребляет тока управления, это снижает потери управления, искажения сигнала, перегрузку по току источника сигнала…
  • В среднем частотные характеристики полевых транзисторов лучше, чем у биполярных , это связано с тем, что нужно меньше времени на «рассасывание» носителей заряда в областях биполярного транзистора. Некоторые современные биполярные транзисторы могут и превосходить полевые, это связано с использованием более совершенных технологий, уменьшения ширины базы и прочего.

    Низкий уровень шумов у полевых транзисторов обусловлен отсутствием процесса инжекции зарядов, как у биполярных.

    Стабильность при изменении температуры.

    Малое потребление мощности в проводящем состоянии – больший КПД ваших устройств.

Простейший пример использования высокого входного сопротивление – это приборы согласователи для подключения электроакустических гитар с пьезозвукоснимателями и электрогитар с электромагнитными звукоснимателями к линейным входам с низким входным сопротивлением.

Низкое входное сопротивление может вызвать просадки входного сигнала, исказив его форму в разной степени в зависимости от частоты сигнала. Это значит что нужно этого избежать, введя каскад с высоким входным сопротивлением. Вот простейшая схема такого устройства. Подойдет для подключения электрогитар в линейный вход аудио-карты компьютера. С ней звук станет ярче, а тембр богаче.

Главным недостатком является то, что такие транзисторы боятся статики. Вы можете взять наэлектризованными руками элемент, и он тут же выйдет из строя, это и есть следствие управления ключом с помощью поля. С ними рекомендуют работать в диэлектрических перчатках, подключенным через специальный браслет к заземлению, низковольтным паяльником с изолированным жалом, а выводы транзистора можно обвязать проволокой, чтобы закоротить их на время монтажа.

Современные приборы практически не боятся этого, поскольку по входу в них могут быть встроены защитные устройства типа стабилитронов, которые срабатывают при превышении напряжения.

Иногда у начинающих радиолюбителей опасения доходят до абсурда, типа надевания на голову шапочек из фольги. Всё описанное выше хоть и является обязательным к исполнению, но не соблюдение каких либо условий не гарантирует выход из строя прибора.

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Этот вид транзисторов активно используется в качестве полупроводниковых управляемых ключей. Причем работают они чаще всего именно в ключевом режиме (два положения «вкл» и «выкл»). У них есть несколько названий:

1. МДП-транзистор (метал-диэлектрик-полупроводник).

2. МОП-транзистор (метал-окисел-полупроводник).

3. MOSFET-транзистор (metal-oxide-semiconductor).

Запомните – это лишь вариации одного названия. Диэлектрик, или как его еще называют окисел, играет роль изолятора для затвора. На схеме ниже изолятор изображен между n-областью около затвора и затвором в виде белой зоны с точками. Он выполнен из диоксида кремния.

Диэлектрик исключает электрический контакт между электродом затвора и подложкой. В отличие от управляющего p-n-перехода он работает не на принципе расширения перехода и перекрытия канала, а на принципе изменения концентрации носителей заряда в полупроводнике под действием внешнего электрического поля. МОП-транзисторы бывают двух типов:

1. Со встроенным каналом.

2. С индуцированным каналом

На схеме вы видите транзистор с встроенным каналом. Из неё уже можно догадаться, что принцип его работы напоминает полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, т.е. когда напряжение затвора равно нулю – ток протекает через ключ.

Около истока и стока созданы две области с повышенным содержанием примесных носителей заряда (n+) с повышенной проводимостью. Подложкой называется основание P-типа (в данном случае).

Обратите внимание, что кристалл (подложка) соединена с истоком, на многих условных графических обозначениях он так и рисуется. При повышении напряжения на затворе в канале возникает поперечное электрическое поле, оно отталкивает носители зарядов (электроны) и канал закрывается при достижении порогового Uзи.

При подаче отрицательного напряжения затвор-исток ток стока падает, транзистор начинает закрывать – это называется режим обеднения.

При подаче положительного напряжения на затвор-исток происходит обратный процесс – электроны притягиваются, ток возрастает. Это режим обогащения.

Всё вышесказанное справедливо для МОП-транзисторов со встроенным каналом N-типа. Если канал p-типа все слова «электроны» заменяются на «дырки», полярности напряжения изменяются на противоположные.

Согласно datasheet на этот транзистор пороговое напряжение затвор-исток у нас в районе одного вольта, а типовое его значение – 1.2 В, проверим это.

Ток стал в микроамперах. Если еще немного повысить напряжение, он исчезнет полностью.

Я выбрал транзистор наугад, и мне попался достаточно чувствительный прибор. Попробую изменить полярность напряжения, чтобы на затворе был положительный потенциал, проверим режим обогащения.

При напряжении на затворе 1В ток увеличился в четыре раза, по сравнению с тем, что был при 0В (первая картинка в этом разделе). Отсюда следует, что в отличие от предыдущего типа транзисторов и биполярных транзисторов он без дополнительной обвязки может работать как на повышение тока, так и на понижение. Это заявление весьма грубо, но в первом приближении имеет право на существование.

Здесь всё практически так же как и в транзисторе с управляющим переходом, за исключением наличия режима обогащения в выходной характеристике.

На стоко-затворной характеристике четко видно, что отрицательное напряжение вызывает режим обеднение и закрытие ключа, а положительное напряжение на затворе – обогащение и большее открытие ключа.

МОП-транзисторы с индуцированным каналом не проводят ток при отсутствии напряжения на затворе, вернее ток есть, но он крайне мал, т.к. это обратный ток между подложкой и высоколегированными участками стока и истока.

Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом аналог нормально-разомкнутого ключа, ток не протекает.

При наличии напряжения затвор-исток, т.к. мы рассматриваем n-тип индуцируемого канала то напряжение положительное, под действием поля притягиваются отрицательные носители зарядов в область затвора.

Так появляется «коридор» для электронов от истока к стоку, таким образом, появляется канал, транзистор открывается, и ток через него начинает протекать. Подложка у нас p-типа, в ней основными являются положительные носители зарядов (дырки), отрицательных носителей крайне мало, но под действием поля они отрываются от своих атомов, и начинается их движение. Отсюда отсутствие проводимости при отсутствии напряжения.

Выходная характеристика в точности повторяет такую же у предыдущих разница заключается лишь в том, что напряжения Uзи становятся положительными.

Стоко-затворная характеристика показывает то же самое, отличия опять-таки в напряжениях на затворе.

При рассмотрении вольтамперных характеристик крайне важно внимательно смотреть на величины, прописанные по осям.

На ключ подали напряжение 12 В, а на затворе у нас 0. Ток через транзистор не протекает.

Это значит, что транзистор полностью открыт, если бы его не было, ток в этой цепи составил бы 12/10=1.2 А. В дальнейшем я изучал как работает этот транзистор, и выяснил, что на 4-х вольтах он начинает открываться.

Добавляя по 0.1В, я заметил, что с каждой десятой вольта ток растёт всё больше и больше, и уже к 4.6 Вольта транзистор практически полностью открыт, разница с напряжением на затворе в 20В в токе стока всего лишь 41 мА, при 1.1 А – это чепуха.

Этот эксперимент отражает то, что транзистор с индуцированным каналом открывается только при достижении порогового напряжения, что позволяет ему отлично работать в качестве ключа в импульсных схемах. Собственно, IRF740 – один из наиболее распространенных .

Результаты измерений тока затвора показали, что действительно полевые транзисторы почти не потребляют управляющего тока. При напряжении в 4.6 вольта ток был, всего лишь, 888 нА (нано!!!).

При напряжении в 20В он составлял 3.55 мкА (микро). У биполярного транзистора он был бы порядка 10 мА, в зависимости от коэффициента усиления, что в десятки тысяч раз больше чем у полевого.

Не все ключи открываются такими напряжениями, это связано с конструкцией и особенностями схемотехники устройств где они применяются.

Разряженная ёмкость в первый момент времени требует большого зарядного тока, да и редкие управляющие устройства (шим-контроллеры и микроконтроллеры) имеют сильные выходы, поэтому используют драйверы для полевых затворов, как в полевых транзисторах, так и в (биполярный с изолированным затвором). Это такой усилитель, который преобразует входной сигнал в выходной такой величины и силы тока, достаточный для включения и выключения транзистора. Ток заряда также ограничивается последовательно соединенным с затвором резистором.

При этом некоторые затворы могут управляться и с порта микроконтроллера через резистор (тот же IRF740). Эту тему мы затрагивали .

Они напоминают полевые транзисторы с управляющим затвором, но отличаются тем, что на УГО, как и в самом транзисторе, затвор отделен от подложки, а стрелка в центре указывает на тип канала, но направлена от подложки к каналу, если это n-канальный mosfet – в сторону затвора и наоборот.

Для ключей с индуцированным каналом:

Может выглядеть так:

Обратите внимание на англоязычные названия выводов, в datasheet’ах и на схемах часто указываются они.

Для ключей со встроенным каналом:

Транзистор (transistor, англ.) – триод, из полупроводниковых материалов, с тремя выходами, основное свойство которого – сравнительно низким входным сигналом управлять значительным током на выходе цепи. В радиодеталях, из которых собирают современные сложные электроприборы, используются полевые транзисторы. Их свойства позволяют решать задачи по выключению или включению тока в электрической цепи печатной платы, или его усилению.

Что такое полевой транзистор

Полевой транзистор – это устройство с тремя или четырьмя контактами, в котором ток на двух контактах регулируется напряжением электрического поля на третьем. Поэтому их называют полевыми.

Контакты:

Полевой транзистор с п – р переходом – особый вид транзисторов, которые служат для управления током .

Он отличается от простого обычного тем, что ток в нем проходит, не пересекая зоны р — n перехода, зоны, образующейся на границы этих двух зон. Размер р — n зоны регулируется.

Полевые транзисторы, их виды

Полевые транзисторы с п – р переходом делят на классы:

  1. По типу канала проводника: n или р. От канала зависит знак, полярность, сигнала управления. Она должна быть противоположна по знаку n -зоне.
  2. По структуре прибора: диффузные, сплавные по р – n — переходом, с затвором , тонкопленочные.
  3. По числу контактов: 3-х и 4-контактные. В случае 4-контактного прибора, подложка также исполняет роль затвора.
  4. По используемым материалам: германий, кремний, арсенид галлия.

Классы делятся по принципу работы:

  • устройство под управлением р — n перехода;
  • устройство с изолированным затвором или с барьером Шоттки.

Полевой транзистор, принцип работы

По-простому, как работает полевой транзистор с управляющим р-п переходом, можно сказать так: радиодеталь состоит из двух зон: р — перехода и п — перехода. По зоне п течет электрический ток. Зона р – перекрывающая зона своего рода вентиль. Если на нее сильно надавить, она перекрывает зону для прохождения тока и его проходит меньше. Или, если давление снизить пройдет больше. Такое давление осуществляют увеличением напряжения на контакте затвора, находящегося в зоне р.

Прибор с управляющим р — п канальным переходом – это полупроводниковая пластина с электропроводностью одного из этих типов. К торцам пластины подсоединены контакты: сток и исток, в середине – контакт затвора. Действие устройства основано на изменяемости толщины пространства р-п перехода. Поскольку в запирающей области почти нет подвижных носителей заряда, ее проводимость равна нулю . В полупроводниковой пластине, в области не под воздействием запирающего слоя, создается проводящий ток канал. При подаче отрицательного напряжения по отношению к истоку, на затвор создается поток, по которому истекают носители заряда.

В случае изолированного затвора, на нем расположен тонкий слой диэлектрика. Этот вид устройства работает на принципе электрического поля . Чтобы разрушить его достаточно небольшого электричества. Поэтому для защиты от статического напряжения, которое может достигать тысяч вольт, создают специальные корпуса приборов — они позволяют минимизировать воздействие вирусного электричества.

Зачем нужен полевой транзистор

Рассматривая работу сложной электронной техники, как работу полевого транзистора (как одного из компонентов интегральной схемы) сложно представить, что основных направления его работы пять:

  1. Усилители высоких частот.
  2. Усилители низких частот.
  3. Модуляция.
  4. Усилители постоянного тока.
  5. Ключевые устройства (выключатели).

На простом примере работу транзистора, как выключателя, можно представить как компоновку микрофона с лампочкой. Микрофон улавливает звук, от этого появляется электрический ток. Он поступает на запертый полевой транзистор. Своим присутствием ток включает устройство, включает электрическую цепь, к которой подключена лампочка. Лампочка загорается при улавливании звука микрофоном, но горит за счет источника питания, не связанного с микрофоном и более мощного.

Модуляция применяется для управления информационным сигналом. Сигнал управляет частотой колебания. Модуляция применяется для качественного звукового сигнала в радио, для передачи звукового ряда в телевизионных передачах, трансляции цвета и телевизионного сигнала высокого качества. Она применяется везде, где требуется работа с материалом высокого качества.

Как усилитель полевой транзистор упрощенно работает так: графически любой сигнал, в частности, звуковой ряд, можно представить в виде ломаной линии, где ее длина – это время, а высота изломов частота звука. Для усиления звука на радиодеталь подают мощное напряжение, которое приобретает необходимые частоты, но с более большими значениями, за счет подачи слабого сигнала на управляющий контакт. Другими словами, устройство пропорционально перерисовывает изначальную линию, но с более высокими пиковыми значениями.

Применение полевых транзисторов

Первым прибором, поступившим в продажу, где использовался полевой транзистор с управляющим p-n переходом, был слуховой аппарат . Его появление зафиксировано в пятидесятых годах прошлого века. В промышленных масштабах их применяли в телефонных станциях.

В современном мире, устройства применяют во всей электротехнике . Благодаря маленьким размерам и разнообразию характеристик полевого транзистора, встретить его можно в кухонной технике, аудио и телевизионной технике, компьютерах и электронных детских игрушках. Их применяются в системах сигнализации как охранных механизмов, так и пожарной сигнализации.

На заводах транзисторное оборудование применяется для регуляторов мощности станков . В транспорте от работы оборудования на поездах и локомотивов, до системы впрыска топлива частных автомобилей. В ЖКХ от систем диспетчеризации, до систем управления уличным освещением.

Одна из важнейших областей применения транзисторов – производство процессоров . По сути, весь процессор состоит из множества миниатюрных радиодеталей. Но при переходе на частоту работы выше 1,5 ГГц, они лавинообразно начинают потреблять энергию. Поэтому производители процессоров пошли по пути многоядерности, а не путем увеличения тактовых частот.

Плюсы и минусы полевых транзисторов

Полевые транзисторы своими характеристиками оставили далеко позади другие виды устройства. Широкое применение они нашли в интегральных схемах в роли выключателей.

  • каскад деталей расходует мало энергии;
  • усиление выше, чем у других видов;
  • высокая помехоустойчивость достигается отсутствием прохождения тока в затворе;
  • более высокая скорость включения и выключения – они могут работать на недоступных другим транзисторам частотах.
  • более низкая температура разрушения, чем у других видов;
  • на частоте 1,5 ггц, потребляемая энергия начинает резко возрастать;
  • чувствительность к статическому электричеству.

Характеристики полупроводниковых материалов, взятых за основу полевых транзисторов, позволили применять устройства в быту и производстве . На основе плевых транзисторов создали бытовую технику в привычном для современного человека виде. Обработка высококачественных сигналов, производство процессоров и других высокоточных компонентов невозможна без достижений современной науки.

В транзисторах этого типа затвор отделен от полупроводника слоем диэлектрика, в качестве которого в кремниевых приборах обычно используется двуокись кремния. Эти транзисторы обозначают аббревиатурой МОП (металл-окисел-полупроводник) и МДП (металл-диэлектрик-полупроводник). В англоязычной литературе их обычно обозначают аббревиатурой MOSFET или MISFET (Metal-Oxide (Insulator) -Semiconductor FET).

В свою очередь МДП-транзисторы делят на два типа.

В так называемых транзисторах со встроенным (собственным) каналом (транзистор обедненного типа) и до подачи на затвор имеется канал, соединяющий исток и сток.

В так называемых транзисторах с индуцированным каналом (транзистор обогащенного типа) указанный выше канал отсутствует.

МДП-транзисторы характеризуются очень большим входным сопротивлением. При работе с такими транзисторами надо предпринимать особые меры защиты от статического электричества. Например, при пайке все выводы необходимо закоротить.

МДП-транзистор со встроенным каналом.

Канал может иметь проводимость как p-типа, так и n-типа. Для определенности обратимся к транзистору с каналом p -типа. Дадим схематическое изображение структуры транзистора (рис. 1.97), условное графическое обозначение транзистора с каналом p-типа (рис. 1.98, а) и с каналом n-типа (рис. 1.98, б). Стрелка, как обычно, указывает направление от слоя p к слою n.

Рассматриваемый транзистор (см. рис. 1.97) может работать в двух режимах: обеднения и обогащения.

Режиму обеднения соответствует положительное uзи. При увеличении этого концентрация дырок в канале уменьшается (так как потенциал затвора больше потенциала истока), что приводит к уменьшению тока стока.

Приведем схему включения транзистора (рис. 1.99).

На стока влияет не только uзи, но и между подложкой и истоком uпи. Однако управление по затвору всегда предпочтительнее, так как при этом входные токи намного меньше. Кроме того, наличие на подложке уменьшает крутизну.

Подложка образует с истоком, стоком и каналом p-n-переход. При использовании транзистора необходимо следить за тем, чтобы на этом переходе не смещало его в прямом направлении. На практике подложку подключают к истоку (как показано на схеме) или к точке схемы, имеющей потенциал, больший потенциала истока (потенциал стока в приведенной выше схеме меньше потенциала истока).

Изобразим выходные характеристики МДП-транзистора (встроенный p-канал) типа КП201Л (рис. 1.100) и его стокозатворную характеристику (рис. 1.101).

МДП-транзистор с индуцированным (наведенным) каналом.

Канал может иметь проводимость как p-типа, так и n-типа. Для определенности обратимся к транзистору с каналом p-типа. Дадим схематическое изображение структуры транзистора (рис. 1.102), условное графическое обозначение транзистора с индуцированным каналом p -типа (рис. 1.103, а) и каналом n-типа (рис. 1.103, б).

При нулевом напряжении uзи канал отсутствует (рис. 1.102) и стока равен нулю. Транзистор может работать только в режиме обогащения, которому соответствует отрицательное uзи. При этом uиз > 0.Если выполняется неравенство uиз>u из порог, где u из порог – так называемое пороговое напряжение, то между истоком и стоком возникает канал p-типа, по которому может протекать ток.

Канал p-типа возникает из-за того, что концентрация дырок под затвором увеличивается, а концентрация электронов уменьшается, в результате чего концентрация дырок оказывается больше концентрации электронов.

Описанное явление изменения типа проводимости называют инверсией типа проводимости, а слой полупроводника, в котором оно имеет место (и который является каналом), – инверсным (инверсионным). Непосредственно под инверсным слоем образуется слой, обедненный подвижными носителями заряда. Инверсный слой значительно тоньше обедненного (толщина инверсного слоя 1 · 10 – 9 …5 · 10 – 9 м, а толщина обедненного слоя больше в 10 и более раз).

Изобразим схему включения транзистора (рис. 1.104), выходные характеристики (рис. 1.105) и стокозатворную характеристику (рис. 1.106) для МДП-транзистора с индуцированным p-каналом КП301Б.

Полезно отметить, что в пакете программ Micro-Cap II для моделирования полевых транзисторов всех типов используется одна и та же математическая модель (но, естественно, с различными параметрами).

Добрый день, друзья!

Недавно мы с вами начали плотнее знакомились с тем, как устроено компьютерное «железо». И познакомились одним из его «кирпичиков» — полупроводниковым диодом. – это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части (большие и малые), мы приобретаем знание.

Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит . Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли?

Сегодня мы продолжим это интересное дело, и попробуем разобраться, как работает самый, пожалуй, главный «кирпичик» электроники – транзистор. Из всех видов транзисторов (их немало) мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.

Почему транзистор – полевой?

Слово «транзистор» образовано от двух английских слов translate и resistor, то есть, иными словами, это преобразователь сопротивления.

Среди всего многообразия транзисторов есть и полевые, т.е. такие, которые управляются электрическим полем.

Электрическое поле создается напряжением. Таким образом, полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, управляемый напряжением.

В англоязычной литературе используется термин MOSFET (MOS Field Effect Transistor). Есть другие типы полупроводниковых транзисторов, в частности, биполярные, которые управляются током. При этом на управление затрачивается и некоторая мощность, так как к входным электродам необходимо прикладывать некоторое напряжение.

Канал полевого транзистора может быть открыт только напряжением , без протекания тока через входные электроды (за исключением очень небольшого тока утечки). Т.е. мощность на управление не затрачивается. На практике, однако, полевые транзисторы используются большей частью не в статическом режиме, а переключаются с некоторой частотой.

Конструкция полевого транзистора обуславливает наличие в нем внутренней переходной емкости, через которую при переключении протекает некоторый ток, зависящий от частоты (чем больше частота, тем больше ток). Так что, строго говоря, некоторая мощность на управление все-таки затрачивается.

Где используются полевые транзисторы?

Настоящий уровень технологии позволяет сделать сопротивление открытого канала мощного полевого транзистора (ПТ) достаточно малым – в несколько сотых или тысячных долей Ома!

И это является большим преимуществом, так как при протекании тока даже в десяток ампер рассеиваемая на ПТ мощность не превысит десятых или сотых долей Ватта.

Таким образом, можно отказаться от громоздких радиаторов или сильно уменьшить их размеры.

ПТ широко используются в компьютерных и низковольтных импульсных стабилизаторах на м компьютера.

Из всего многообразия типов ПТ для этих целей используются ПТ с индуцированным каналом.

Как работает полевой транзистор?

ПТ с индуцированным каналом содержит три электрода — исток (source), сток (drain), и затвор (gate).

Принцип работы ПТ наполовину понятен из графического обозначения и названия электродов.

Канал ПТ – это «водяная труба», в которую втекает «вода» (поток заряженных частиц, образующих электрический ток) через «источник» (исток).

«Вода» вытекает из другого конца «трубы» через «слив» (сток). Затвор – это «кран», который открывает или перекрывает поток. Чтобы «вода» пошла по «трубе», надо создать в ней «давление», т.е. приложить напряжение между стоком и истоком.

Если напряжение не приложено («давления в системе нет»), тока в канале не будет.

Если приложено напряжение, то «открыть кран» можно подачей напряжения на затвор относительно истока.

Чем большее подано напряжение, тем сильнее открыт «кран», больше ток в канале «сток-исток» и меньше сопротивление канала.

В источниках питания ПТ используется в ключевом режиме, т.е. канал или полностью открыт, или полностью закрыт.

Честно сказать, принципы действия ПТ гораздо более сложны, он может работать не только в ключевом режиме . Его работа описывается многими заумными формулами, но мы не будем здесь все это описывать, а ограничимся этими простыми аналогиями.

Скажем только, что ПТ могут быть с n-каналом (при этом ток в канале создается отрицательно заряженными частицами) и p-каналом (ток создается положительно заряженными частицами). На графическом изображении у ПТ с n-каналом стрелка направлена внутрь, у ПТ с p-каналом – наружу.

Собственно, «труба» — это кусочек полупроводника (чаще всего – кремния) с примесями химических элементов различного типа, что обуславливает наличие положительных или отрицательных зарядов в канале.

Теперь переходим к практике и поговорим о том,

Как проверить полевой транзистор?

В норме сопротивление между любыми выводами ПТ бесконечно велико.

И, если тестер показывает какое-то небольшое сопротивление, то ПТ, скорее всего, пробит и подлежит замене.

Во многих ПТ имеется встроенный диод между стоком и истоком для защиты канала от обратного напряжения (напряжения обратной полярности).

Таким образом, если поставить «+» тестера (красный щуп, соединенный с «красным» входом тестера) на исток, а «-» (черный щуп, соединенный с черным входом тестера) на сток, то канал будет «звониться», как обычный диод в прямом направлении.

Это справедливо для ПТ с n-каналом. Для ПТ с p-каналом полярность щупов будет обратной .

Как проверить диод с помощью цифрового тестера, описано в соответствующей . Т.е. на участке «сток — исток» будет падать напряжение 500-600 мВ.

Если поменять полярность щупов, к диоду будет приложено обратное напряжение, он будет закрыт и тестер это зафиксирует.

Однако исправность защитного диода еще не говорит об исправности транзистора в целом. Более того, если «прозванивать» ПТ, не выпаивая из схемы, то из-за параллельно подключенных цепей не всегда можно сделать однозначный вывод даже об исправности защитного диода.

В таких случаях можно выпаять транзистор, и, используя небольшую схему для тестирования, однозначно ответить на вопрос – исправен ли ПТ или нет.

В исходном состоянии кнопка S1 разомкнута, напряжение на затворе относительно стока равно нулю. ПТ закрыт, и светодиод HL1 не светится.

При замыкании кнопки на резисторе R3 появляется падение напряжения (около 4 В), приложенное между истоком и затвором. ПТ открывается, и светодиод HL1 светится.

Эту схему можно собрать в виде модуля с разъемом для ПТ. Транзисторы в корпусе D2 pack (который предназначен для монтажа на печатную плату) в разъем не вставишь, но можно к его электродам проводники, и уже их вставить в разъем. Для проверки ПТ с p-каналом полярность питания и светодиода нужно изменить на обратную.

Иногда полупроводниковые приборы выходят из строя бурно, с пиротехническими, дымовыми и световыми эффектами.

В этом случае на корпусе образуются дыры, он трескается или разлетается на куски. И можно сделать однозначный вывод об их неисправности, не прибегая к приборам.

В заключение скажем, что буквы MOS в аббревиатуре MOSFET расшифровываются как Metal — Oxide — Semiconductor (металл – оксид – полупроводник). Такова структура ПТ – металлический затвор («кран») отделен от канала из полупроводника слоем диэлектрика (оксида кремния).

Надеюсь, с «трубами», «кранами» и прочей «сантехникой» вы сегодня разобрались.

Однако, теория, как известно, без практики мертва! Надо обязательно поэкспериментировать с полевиками, поковыряться, повозиться с их проверкой, пощупать, так сказать.

Кстати, купить полевые транзисторы можно .

Как узнать, неисправен ли MOSFET

Ниже приведены инструкции о том, как узнать, неисправен ли MOSFET. Это наиболее распространенные методы, которые можно использовать для проверки неисправности полевого МОП-транзистора.

Шаг № 1 о том, как узнать, неисправен ли MOSFET

: Проверка диодов

Первое, что мы попробуем узнать, неисправен ли MOSFET, – это проверить падение диода. Возьмите цифровой мультиметр и установите его в диодный режим. Для NMOS выполните настройку ниже.

Для PMOS выполните настройку, указанную ниже.

Хороший полевой МОП-транзистор должен иметь показания от 0,4 В до 0,9 В (в зависимости от типа полевого МОП-транзистора). Если показание равно нулю, МОП-транзистор неисправен, а когда показание «открыто» или нет, МОП-транзистор также неисправен.

Когда вы меняете местами подключения датчиков цифрового мультиметра, показания должны быть «открытыми» или отсутствовать для исправного полевого МОП-транзистора. Если показание равно нулю, МОП-транзистор неисправен.

Шаг № 2, как узнать, неисправен ли полевой МОП-транзистор

: Проверка сопротивления

Следующий метод определения неисправности полевого МОП-транзистора – это проверка сопротивления.Хороший полевой МОП-транзистор должен иметь высокое сопротивление между стоком и истоком независимо от полярности датчика цифрового мультиметра.

Затвор исток также имеет высокое сопротивление в любом случае для хорошего полевого МОП-транзистора. Однако вы должны принять во внимание, что когда вы помещаете положительный вывод цифрового мультиметра на затвор, а отрицательный – на источник NMOS, полевой МОП-транзистор включается. Вы можете ошибочно решить, что МОП-транзистор неисправен, когда измеряете сопротивление сток-исток, поскольку цифровой мультиметр покажет 0 Ом. Итак, чтобы избежать этого сценария, убедитесь, что на затворе разрядился заряд.

То же самое с PMOS, когда вы подключаете положительную клемму к источнику, а отрицательную клемму цифрового мультиметра к затвору, MOSFET включается.

Если вы измеряете сопротивление вывода MOSFET на вывод, вы должны учитывать соответствующие резисторы, поскольку они влияют на показания. Например, в приведенной выше схеме, когда вы измеряете сопротивление между затвором и источником, вы читаете не высокое сопротивление, а значение R1, равное 10 кОм. Удаление резистора 10 кОм повысит показание.

Шаг № 3 о том, как узнать, неисправен ли MOSFET

: Проверка целостности

Третий метод определения неисправности полевого МОП-транзистора – это проверка целостности цепи. Установите цифровой мультиметр в режим проверки целостности цепи. В современных цифровых мультиметрах режим непрерывности обычно имеет слышимый звук при подключении измеренных точек. Положите плюсовой провод на сток, а отрицательный на цифровой мультиметр – на источник или наоборот, когда показание равно нулю или звук цифрового мультиметра не исчезает, устройство повреждено; закороченный сток-исток.

Используйте тот же подход к другим выводам полевого МОП-транзистора и сделайте то же самое. Однако, когда вы подключаете положительный полюс цифрового мультиметра к затвору, а отрицательный – к источнику для NMOS или наоборот для PMOS; прибор включится и при измерении непрерывности между стоком и истоком; чтение равно нулю. Вы можете ошибиться в том, что MOSFET неисправен. Итак, убедитесь, что вентиль всегда разряжается до источника.

Для проверки выключите прибор и снова измерьте целостность.Чтобы выключить NMOS, подключите положительную клемму цифрового мультиметра к источнику, а отрицательную клемму – к затвору. Сделайте иначе, чтобы выключить PMOS. Хороший полевой МОП-транзистор не должен иметь непрерывности между клеммами. Если да, то действительно неисправен.

Краткое изложение того, как узнать, неисправен ли MOSFET

Вышеуказанные методы являются общими для того, чтобы узнать, неисправен ли MOSFET. Я знаю, что есть несколько других техник. Поэтому я предлагаю объединить вышеперечисленные методы с другими методами, которые вы изучили, чтобы вы могли выполнять точный поиск и устранение неисправностей.

Если вам интересно узнать, как искать и устранять неисправности диодов, прочтите «Как узнать неисправный диод». С другой стороны, если вам интересно узнать, как устранить неполадки BJT, прочтите «Как узнать, неисправен ли транзистор». Если вы хотите узнать больше о полевых МОП-транзисторах, прочтите «Расчетные уравнения силовых полевых МОП-транзисторов».

Следите за electronicsbeliever.com:

https://www.facebook.com/electronicsbeliever

Связанные

Как проверить транзистор NPN и PNP

Введение:
Транзистор – это полупроводниковое устройство, используемое для усиления или переключения электронных сигналов и электроэнергии.Это трехконтактный полупроводниковый прибор, эти выводы обозначены как коллектор (C) , основание (B) и эмиттер (E) . Теперь я покажу, как проверить транзистор с помощью мультиметра.

, метод 1: с использованием мультиметра с NPN-транзистором

(A)
  • Сначала включите цифровой мультиметр и выберите режим диода .
  • Подключите измерительные провода к клеммам транзистора.Оставьте измерительные провода подключенными в течение нескольких секунд при таком соединении (A) .
  • Считайте отображаемое измерение. Если значение транзистора находится в пределах диапазона измерения, мультиметр отобразит значение транзистора.
  • отображается значение мультиметра от 0 до 150, транзистор исправен .
  • отображается значение мультиметра 0 или 0,0L, транзистор неисправен .
(B)
  • Подключите измерительные провода к клеммам транзистора.Оставьте измерительные провода подключенными в течение нескольких секунд при таком соединении (B) .
  • Считайте отображаемое измерение. Если значение транзистора находится в пределах диапазона измерения, мультиметр отобразит значение транзистора.
  • отображается значение мультиметра от 0 до 150, транзистор исправен .
  • отображается значение мультиметра 0 или 0,0L, транзистор неисправен .

(C)
  • Подключите измерительные провода к клеммам транзистора.Держите измерительные провода подключенными в течение нескольких секунд при таком соединении (C) .
  • Считайте отображаемое измерение. Если значение транзистора находится в пределах диапазона измерения, мультиметр отобразит значение транзистора.
  • отображается значение мультиметра 1, транзистор исправен .
(D)

  • Подключите измерительные провода к клеммам транзистора.Оставьте измерительные провода подключенными в течение нескольких секунд при таком соединении (D) .
  • Считайте отображаемое измерение. Если значение транзистора находится в пределах диапазона измерения, мультиметр отобразит значение транзистора.
  • отображается значение мультиметра 1, транзистор исправен .
метод 2: с использованием мультиметра с транзистором PNP
(E)


  • Подключите измерительные провода к клеммам транзистора.Держите измерительные провода подключенными в течение нескольких секунд при таком соединении (E) .
  • Считайте отображаемое измерение. Если значение транзистора находится в пределах диапазона измерения, мультиметр отобразит значение транзистора.
  • отображается значение мультиметра 1, транзистор исправен .
(F)


  • Подключите измерительные провода к клеммам транзистора.Оставьте измерительные провода подключенными в течение нескольких секунд при таком соединении (F) .
  • Считайте отображаемое измерение. Если значение транзистора находится в пределах диапазона измерения, мультиметр отобразит значение транзистора.
  • отображается значение мультиметра 1, транзистор исправен .
(G)
  • Подключите измерительные провода к клеммам транзистора.Держите измерительные провода подключенными в течение нескольких секунд при таком соединении (G) .
  • Считайте отображаемое измерение. Если значение транзистора находится в пределах диапазона измерения, мультиметр отобразит значение транзистора.
  • отображается значение мультиметра от 0 до 150, транзистор исправен .
  • отображается значение мультиметра 0 или 0,0L, транзистор неисправен .
(H)
  • Подключите измерительные провода к клеммам транзистора.Оставьте измерительные провода подключенными в течение нескольких секунд при таком соединении (H) .
  • Считайте отображаемое измерение. Если значение транзистора находится в пределах диапазона измерения, мультиметр отобразит значение транзистора.
  • отображается значение мультиметра от 0 до 150, транзистор исправен .
  • отображается значение мультиметра 0 или 0,0L, транзистор неисправен .

метод 3: с использованием источника питания с NPN


  • Если нажать кнопку , сторона питания , транзистор включится, и светодиод загорится .в противном случае будет нажата кнопка заземления, транзистор выключится, и светодиод выключится, . он работает нормально, транзистор хороший . не работает, транзистор плохой .

метод 4: с использованием источника питания с PNP

  • Если нажать кнопку , сторона питания , транзистор выключится, , а светодиод выключится, . в противном случае будет нажата кнопка заземления, транзистор включится , а светодиод загорится .он работает нормально, транзистор хороший . не работает, транзистор плохой .

Тестирование транзисторного МОП-транзистора на утечку и отказ

Советы для тестирования МОП-транзистора-тест-полевой элемент с аналоговым мультиметром

Правильный способ проверки МОП-транзистора – использовать аналоговый мультиметр. Стенд Mosfet для области металлооксидных полупроводников транзистор с эффектом или мы просто назвали его фет. Импульсный источник питания и многие другие схемы используют в качестве части схемы транзисторы.Отказ МОП-транзистора и утечка в цепи довольно велики, и вам нужно знать, как точно проверить Это.

Измерительные компоненты с двумя выводами, например резисторы, конденсаторы и диоды намного проще, чем измерить транзистор и фет, у которых есть три ножки. Многие мастера по ремонту электроники испытывают трудности особенно проверяя компоненты трех отведений. Сначала найдите распиновку затвора, стока и истока из книги по замене полупроводников или поиск по его таблице данных из поисковой системы.

Если у вас есть перекрестная ссылка или диаграмма для каждого контакта mosfet, затем используйте аналоговый мультиметр, настроенный на диапазон 10 кОм, чтобы проверить его. Предполагая, что вы тестируете N-канальный MOSFET, установите черный щуп к сливному штифту.

Коснитесь штифта затвора красным щупом, чтобы разрядить внутреннюю емкость в MOSFET. Теперь переместите красный зонд к контакту истока, пока черный зонд все еще касается дренажного штифта.Используйте свой правый палец и коснитесь затвора и сливного штифта вместе, и вы заметите, что стрелка аналогового мультиметра переместится вперед к центральному диапазону измерителя. шкала.

Коснитесь пальцем заслонки и сливного штифта.

Поднимая красный зонд с вывода источника и снова вставляя на исходном штифте, указатель по-прежнему останется в середине шкалы измерителя.Чтобы разрядить его, нужно поднять красный зонд и прикоснуться к нему. всего один раз на штифте ворот. Это в конечном итоге снова разрядит внутреннюю емкость.

В это время используйте красный щуп, чтобы снова коснуться вывода источника, указатель вообще не пинает, потому что вы уже разрядили его, прикоснувшись к штифту затвора. Это хорошая характеристика МОП-транзистора. нужно потренироваться больше, взяв немного еды со скамьи или из отделения для компонентов.Как только вы узнаете секреты, протестируйте другой MOSFET так же просто, как и проверить диод.


Если вы заметили, что весь результат, который вы измерили, снизился до нуля и не разрядится, тогда фет считается закороченным и требует замены. Тестирование полевого транзистора Fet с каналом P происходит так же, как и при проверке N канал фет. Что вы делаете, так это переключите полярность датчика при проверке P-канала. Некоторые аналоговые мультиметры имеют диапазон 100 кОм, Этот тип измерителя не может действительно проверить фет из-за отсутствия батареи 9 В внутри мультиметра.У этого типа измерителя не будет достаточно мощности для срабатывания МОП-транзистора. Убедитесь, что вы используете глюкометр с переключатель диапазона раз 10 кОм.

Типичные номера деталей MOSFET с N каналом: 2SK791, K1118, IRF634, IRF. Номер детали 740 и P-канального фет-транзистора: J307, J516, IRF 9620 и т. Д. Вы также можете получить тестер mosfet на рынке и один из Известный бренд – портативный супер-крикетный транзистор sencore tf46 и тестер фет.Вы можете сделать ставку на Ebay.

Sencore TF46 Тестер транзисторов и полевых транзисторов


В чем разница [FAQ]

Этот пост содержит подробную информацию о распиновке IRF740 и irf640, их эквиваленте, использовании, функциях и другую важную информацию о том, как и где использовать это устройство MOSFET.

Каталог

Разъяснение / описание полевого МОП-транзистора

IRF740 – это высоковольтный полевой МОП-транзистор с N каналом, транзистор в основном предназначен для высоковольтных и высокоскоростных коммутационных приложений. Максимальное напряжение нагрузки, которое может выдерживать этот транзистор, составляет до 400 В при максимальном токе нагрузки 10 А. Максимальный ток в импульсном режиме составляет 40 А, а сопротивление в открытом состоянии или (RDS) составляет 0,55 Ом.

Максимальное напряжение сток-исток 400 В делает его идеальным для управления различными высоковольтными нагрузками в электронных схемах.

IRF640 – это полевой МОП-транзистор с N каналом, предназначенный для высокоскоростного переключения. Эта возможность высокоскоростного переключения может быть очень полезна в приложениях, где скорость переключения имеет решающее значение, например, в цепи ИБП или в любом другом приложении, где требуется изменить входную мощность нагрузки с одного источника на другой.

Транзистор способен управлять нагрузкой до 18 А, а напряжение может достигать 200 В с минимальным напряжением насыщения от 2 до 4 В на его затворе.Импульсный ток стока составляет 72 А, что означает, что этот МОП-транзистор может управлять нагрузкой до 72 А за короткие промежутки времени или когда нагрузка не подключена постоянно, а подключена только в течение периода времени 300 мкс (микросекунд) с рабочим циклом 1,5%.

Как проверить полевой МОП-транзистор с помощью мультиметра

Модель CAD

Символ

Площадь основания

2D Модель

Распиновка: IRFf640 против IRF740

нет разницы в распиновке

Замена и аналог

IRF740: 2SK1400A, BUK457-400B, BUZ61A, IRF740S, MTP10N40E, RFP7N35, RFP7NA40

IRF640: YTA640, IRF641, IRF642, IRFB4620, IRFB5620, 2SK740, STP19NB20, YTA640, BUK455-200A, BUK456-200A, BUK456-200B, BUZ30A, MTP20N20E, RFP15N15, 18N25N201

Характеристики / Технические характеристики: IRF640 против IRF740

Тип транзистора
IRF640 IRF740
Тип упаковки: TO-220 Тип упаковки: TO-220 и другие пакеты
Тип транзистора: канал N: канал N
Максимальное напряжение, приложенное от стока к источнику: 400 В Максимальное напряжение, приложенное от стока к источнику: 200 В
Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
Максимальный ток непрерывного стока составляет: 10 А Максимальный ток непрерывной утечки составляет: 18 А
Максимальный импульсный ток утечки: 40A Максимальный импульсный ток утечки: 72A
Макс.рассеиваемая мощность: 125 Вт Максимальная рассеиваемая мощность: 125 Вт
Минимальное напряжение, необходимое для работы: от 2 В до 4 В Минимальное напряжение, необходимое для проведения: от 2 В до 4 В
Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

Приложения: IRF640 против IRF740

IRF740 IRF640
Приложения, требующие быстрого переключения Зарядные устройства и BMS
Приложения высокого напряжения Применение солнечных источников питания
Драйверы двигателей Приложения, требующие быстрого переключения
Приложения для драйверов и контроллеров двигателей постоянного тока Драйверы двигателей
ИБП ИБП
Цепи зарядного устройства
Цепи освещения и балласта

Где мы можем это использовать и как использовать: IRF640 против IRF740

IRF640 можно использовать в схемах, где важна скорость переключения, например, в системах резервного питания от батарей, источниках бесперебойного питания и т. Д.и он также будет хорошо работать в коммутационных приложениях общего назначения. Помимо этого, его также можно использовать в строительных блоках усилителей звука.

IRF740 может использоваться в цепях, в которых требуется управлять нагрузкой напряжением до 400 В при токе нагрузки 10 А. Кроме того, возможность высокоскоростного переключения делает его подходящим в приложениях, где пользователю требуется переключение с одного источника на другой за наносекунды.

Нагрузочная способность 400 В делает его пригодным для использования в различных высоковольтных приложениях, таких как источники бесперебойного питания, светодиоды и другие световые балласты и т. Д.

Кроме того, этот транзистор может также использоваться в каскадах схем аудиоусилителей, а также как отдельный аудиоусилитель.

Как безопасно работать в цепи: IRF640 против IRF740

IRF640

Для долгосрочной работы мы всегда рекомендуем использовать все компоненты, по крайней мере, на 20% ниже его максимальных номиналов, и то же самое касается IRF640. Максимальный ток стока составляет 18 А, поэтому не используйте нагрузку более 14,4 А. Максимальное напряжение нагрузки составляет 200 В, и чтобы оставаться в безопасном режиме, не используйте нагрузку более 160 В.Максимальный импульсный ток стока составляет 72 А, поэтому максимальная импульсная нагрузка не должна превышать 57,6 А. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте устройство при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +150 градусов по Цельсию.

IRF740

Для обеспечения длительного срока службы компонента важно не использовать компонент с его максимальными номинальными характеристиками и всегда использовать его как минимум на 20% ниже его максимальных номинальных значений, поэтому то же самое касается МОП-транзистора IRF740.Максимальный непрерывный ток стока составляет 10А, поэтому не управляйте нагрузкой более 8А. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 400 В, поэтому нагрузка не должна превышать 320 В. В любом месте эксплуатации используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните и эксплуатируйте этот транзистор при температуре выше -55 градусов Цельсия и ниже +150 градусов Цельсия.

Цепи: IRF640 против IRF740

power mosfet IRF740 в качестве схемы переключателя (переключатель 300 вольт постоянного тока и 5 ампер)

Атрибуты продукта: IRF740 против IRF 640

ТИП ОПИСАНИЕ IRF740 ОПИСАНИЕ IFR640
Категория Дискретные полупроводниковые изделия Дискретные полупроводниковые приборы
Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные
Производитель STMicroelectronics STMicroelectronics
Серия PowerMESH ™ II MESH OVERLAY ™
Пакет Труба Труба
Состояние детали Вышло из употребления Вышло из употребления
Полевой транзистор Тип N-канал N-канал
Технологии МОП-транзистор (оксид металла) МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение сток-источник (Vdss) 400 В 200 В
Ток – непрерывный сток (Id) при 25 ° C 10А (Тс) 18A (TC)
Напряжение привода (макс. Значения включены, минимальные значения включены) 10 В 10 В
Rds On (макс.) @ Id, Vgs 550 мОм при 5.3А, 10В 180 мОм при 9 А, 10 В
Vgs (th) (макс.) @ Id 4 В при 250 мкА 4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 43 нКл при 10 В 72 нКл при 10 В
Vgs (макс.) ± 20 В ± 20 В
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1400 пФ при 25 В 1560 пФ при 25 В
Функция полевого транзистора
Рассеиваемая мощность (макс.) 125 Вт (TC) 125 Вт (TC)
Рабочая температура -65 ° C ~ 150 ° C (ТДж) 150 ° С (ТДж)
Тип крепления Сквозное отверстие Сквозное отверстие
Комплект устройства поставщика К-220 К-220
Упаковка / чемодан К-220-3 К-220-3
Номер базового продукта IRF740 IRF640

Лист данных

IRF740 Лист данных

IRF640 Лист данных

FAQ

Что такое IRF740?

IRF740 – это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 400 В.Mosfet может переключать нагрузки, потребляющие до 10 А, он может включаться, обеспечивая пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. … Следовательно, этот МОП-транзистор не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения.

Что такое IRF640?

IRF640 – это полевой МОП-транзистор с N каналом, предназначенный для высокоскоростного переключения. Эта возможность высокоскоростного переключения может быть очень полезна в приложениях, где скорость переключения имеет решающее значение, например, в цепи ИБП или в любом другом приложении, где требуется изменить входную мощность нагрузки с одного источника на другой.

Для чего используются полевые МОП-транзисторы?

Назначение полевого МОП-транзистора состоит в том, чтобы управлять током / напряжением, протекающим между истоком и стоком.2

Для чего используются силовые полевые МОП-транзисторы?

Полевые МОП-транзисторы

(металл-оксидные полупроводниковые полевые транзисторы) представляют собой кремниевые трехконтактные устройства, которые работают, подавая сигнал на затвор, который управляет проводимостью тока между истоком и стоком.

Что такое N-канальный Mosfet?

N-Channel MOSFET – это тип полевого транзистора из металлооксидного полупроводника, который относится к категории полевых транзисторов (FET). … Этот тип транзистора также известен как полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET). Иногда его также называют полевым транзистором с металлическим изолятором (MIFET).

цифр Lcd Multimeter Test Transistor Поставщики, Производитель, Дистрибьютор, Заводы, Alibaba

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Металлоискатель, Осциллограф, Мультиметр , Светодиодная лампа, Оборудование безопасности

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 15% , Восточная Европа 15% , Южная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Калибратор процесса, токоизмерительные клещи, цифровой Мультиметр , тестер заземления, инфракрасный термометр

Общий доход:

50 миллионов долларов США – 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 7% , Северная Америка 7% , Южная Америка 7%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Источник питания постоянного тока, лупа, мультиметр , Контрольно-измерительные приборы, аппаратные средства

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Профессиональные калибраторы, Мультиметры , Токоизмерительные клещи, ИК-термометр, измеритель влажности зерна

Общий доход:

1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Южная Америка 15% , Средний Восток 15% , Юго-Восточная Азия 13%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Источник питания, литиевая батарея, прибор

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 10% , Восточная Азия 10% , Западная Европа 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Инструменты для измерения и анализа, Электрооборудование и материалы, Электронные компоненты и принадлежности, Подарки и ремесла, Дом и сад

Общий доход:

1 миллион долларов США – 2 доллара США.5 миллионов

Топ-3 рынка:

Восточная Азия 5% , Южная Европа 4% , Юго-Восточная Азия 4%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Производство продукции, OEM, Автомобильная промышленность, Светодиодные фонари и освещение, Электрооборудование и инструменты

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Источник питания постоянного тока, Паяльная станция, Паяльная станция, Сварочный инструмент, ручной инструмент

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 10% , Южная Европа 10% , Средний Восток 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

мультиметр , монитор СО2, источник питания, прибор для защиты окружающей среды, контроллер для теплиц

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Западная Европа 40% , Восточная Европа 25% , Средний Восток 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Паяльник, солнечные фонари, поплавковый выключатель, набор дровяных ручек, свет PIR

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Америка 30% , Северная Америка 30% , Южная Европа 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы, микросхема датчика изображения CMOS, корпус, разъемы, клеммы

Общий доход:

5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 25% , Африка 12% , Восточная Азия 11%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Измеритель толщины покрытия, анемометр, шумомер, инфракрасный термометр, измеритель сопротивления заземления

Общий доход:

10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Западная Европа 40% , Северная Америка 30% , Южная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Модуль IoT, электронные компоненты, ИС, транзистор, микроконтроллер

Общий доход:

10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Северная Америка 13%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Металлоискатель, Осциллограф, Мультиметр , Светодиодная лампа, Оборудование безопасности

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 15% , Восточная Европа 15% , Южная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC CHIP, интегральная схема, диод, транзистор , конденсатор

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Средний Восток 22% , Центральная Америка 20% , Восточная Азия 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Источник питания постоянного тока, лупа, мультиметр , Контрольно-измерительные приборы, аппаратные средства

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Электронные компоненты, Активные компоненты, Интегральные схемы, Транзисторы , Датчики

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Средний Восток 14% , Восточная Европа 13% , Южная Европа 13%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

цифровой мультиметр , токоизмерительные клещи, тестер сопротивления заземления, тестер изоляции, тестер кабеля

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 41% , Западная Европа 30% , Внутренний рынок 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Диод Шоттки, стабилитроны, диод SMD, мостовые выпрямители, SIDAC

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 25% , Южная Америка 25% , Восточная Азия 15%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Мультиметр, Токоизмерительные клещи, Инфракрасный термометр, Металлоискатель, Тестер окружающей среды

Общий доход:

5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Европа 32% , Северная Америка 14% , Западная Европа 11%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC, транзистор , реле, модуль, разъем

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 20% , Центральная Америка 15% , Южная Европа 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Универсальный пульт дистанционного управления Smart Wifi, интеллектуальная лампа Wi-Fi, PCBA

Общий доход:

5 миллионов долларов США – 10 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Западная Европа 35.0% , Северная Америка 30,0% , Южная Америка 20,0%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Розетка и вилка, интегрированные схемы, транзистор , диод, конденсатор

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Европа 10% , Юго-Восточная Азия 10% , Средний Восток 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Прибор, счетчик, школьные принадлежности, медицинский прибор, предметы домашнего обихода

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 10% , Восточная Азия 10% , Средний Восток 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

транзистор , диод, резистор, триод, ИС

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 50% , Южная Азия 20% , Восточная Азия 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Цифровой Мультиметр , Цифровой клещи , Инфракрасный термометр, Цифровой люксметр , Цифровой измеритель расстояния

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 50% , Восточная Европа 20% , Южная Америка 6%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Интегральные схемы – ИС, пассивные компоненты, светодиодное освещение, электромеханические, разъемы

Общий доход:

Более 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 10% , Средний Восток 10% , Центральная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Удерживающие инструменты, Электроинструменты, Ключи, Автомобильные инструменты, Гидравлические инструменты

Общий доход:

10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Северная Америка 45% , Центральная Америка 10% , Африка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

ic, биполярный транзистор , разъем, разъем, PCBA

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 8% , Центральная Америка 8% , Южная Азия 8%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Машина для испытания шлемов, Машина для испытаний на удар, Машина для испытания фотоэлектрических модулей, Тестер механической нагрузки, Тестер на удар от града

Общий доход:

10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Африка 12% , Юго-Восточная Азия 12% , Южная Азия 12%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

ICS, конденсатор, индуктор, автомобильный лазер, модуль GPS

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Европа 40% , Южная Америка 20% , Северная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Цифровой Мультиметр , Лазерный дальномер, Лазерные уровни, Лазерный дальномер, ИК-термометр

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 60% , Северная Америка 8% , Средний Восток 8%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Конденсаторы, индукторы, резисторы, светодиоды, диоды / Транзисторы

Общий доход:

10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Южная Азия 7% , Внутренний рынок 7% , Восточная Европа 7%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

цифровой мультиметр , цифровой зажимной стол

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 1%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

компоненты, емкость, сопротивление, диод, Триод

Общий доход:

Менее 1 миллиона долларов США

Топ-3 рынка:

Восточная Азия 20% , Восточная Европа 20% , Африка 20%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

Дистрибьютор Endress hauser, дистрибьютор бренда Fluke, Инфракрасный термометр, калибратор процесса, цифровой мультиметр

Общий доход:

50 миллионов долларов США – 100 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Африка 10% , Средний Восток 10% , Юго-Восточная Азия 9%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

IC, интегральная схема, транзистор , диод, конденсатор

Общий доход:

2 доллара США.5 миллионов – 5 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Юго-Восточная Азия 20% , Северная Америка 15% , Центральная Америка 10%

Страна / регион: Китай Основные продукты:

мультиметр , токоизмерительные клещи, тестер кабеля, калибратор процесса, лазерный дальномер

Общий доход:

10 миллионов долларов США – 50 миллионов долларов США

Топ-3 рынка:

Внутренний рынок 15% , Южная Азия 10% , Западная Европа 10%

Справочники по транзисторам Irf840

Справочники по транзисторам Irf840

Цены и доступность миллионов электронных компонентов от компании Digikey Electronics.Я получаю даташиты из вашей схемы, определяющей выходной ток. Irf840 – это n-канальный МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 500 В. Полупроводники PhilipsСпецификация продукцииТранзистор powermosirf840с номинальным энергопотреблениемсимволы быстрые справочные данные повторяющиеся лавинные рейтинги быстрое переключение поиск по техническим данным, таблицам данных, сайту поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников. Irf840 – это n-канальный МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 500 В с током стока 4.06 июля 2015 г. в этом видео я демонстрирую, как проверить транзистор MOSFET с помощью цифрового мультиметра Fluke в выключенном и включенном состояниях. Это современные силовые МОП-транзисторы, разработанные, испытанные и гарантированно выдерживающие определенные спецификации. Pd 94829 smps mosfet irf840apbf hexfet power mosfet приложения vdss rdson max id l импульсный источник питания smps l источник бесперебойного питания 500 В 0. Этот силовой полевой транзистор с кремниевым затвором в режиме улучшения n-канала представляет собой усовершенствованный силовой полевой МОП-транзистор, разработанный, испытанный и гарантированно выдерживающий заданный уровень энергии при пробивном лавинном режиме работы.Nchannel power mosfets руководство по выбору vishay Siliconeix 2201 laurelwood road p.

Это современные мощные МОП-транзисторы, разработанные, испытанные и гарантированно выдерживающие a. Номинальная энергия лавины одиночного импульса, ограниченная рассеиваемой мощностью, наносекундными скоростями переключения, линейными характеристиками передачи. Philips, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Я мало знаком с транзисторами, и во многих таблицах данных по транзисторам указана максимальная переходная частота, а в некоторых таблицах также есть график зависимости частоты от коэффициента усиления переменного тока.Спецификация Irf840, 17 страниц, транзистор Philips Powermos. Найдите лучшие цены на vishay irf840pbf, сравнив оптовые скидки от 16 дистрибьюторов. В таблице данных указан максимально допустимый выходной ток, и ваша конструкция должна ограничивать выходной ток до меньшего значения. Они особенно подходят для импульсных приложений 115 и 220 В, таких как импульсные регуляторы, инверторы, устройства управления двигателями. Радиочастотный транзистор в удивительном радиолюбительском передатчике – все о схемах.

Транзистор Powermos, рассчитанный на лавинную энергию nxp полупроводников.Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер. Энергетическая лавина транзистора Powermos, таблица данных irf840, схема irf840, таблица данных irf840. Abra имеет транзисторы серии 2n tip mpsa mpsu mj mje bu mpq mpf и т. Д. Все от основных производителей. Irf840pbf vishay mosfets дистрибьюторы, сравнение цен. Ноябрь 2001 irf840b irfs840b 500 В nchannel mosfet общее описание характеристики этих n-канальных расширенных режимов силовой эффект поля 8. Irf840 sihf840 абсолютные максимальные номинальные значения tc 25 c, если не указано иное параметр символ предел единица Drainsource напряжение vds 500 v напряжение затвора vgs 20 v непрерывный ток стока vgs at 10 В TC 25 C ID 8.Дополнительными особенностями этой конструкции являются рабочая температура перехода 175 ° C, высокая скорость переключения и улучшенная стойкость к повторяющимся лавинам. Irf640, rf1s640, rf1s640sm изучаем электронику. Jameco снимает тарифные надбавки с онлайн-заказов на товары со склада. Узнать больше.

Применение irf840 irf841 sgs 841 транзистор irf840 irf840fi схема irf840 irf840 блок питания irf840 и его аналог irf840. Irf840 nchannel 500v 8a tc 125w tc через отверстие to220ab от vishay Siliconeix.Описание силовой полевой транзистор tmos с кремниевым затвором nchannel. Irf840 datasheet, irf840 pdf, irf840 data sheet, irf840 manual, irf840 pdf, irf840, datenblatt, electronics irf840, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data. Этот транзистор появился в плазменном телевизоре Samsung, но широко используется. Подключите эти страницы через прямую глубокую ссылку – это бесплатный сайт поиска по таблицам. Всем привет, я пытаюсь использовать рис 16f84 для отправки высокого и низкого сигнала. Bridgold 50pcs 10types irf series комплект транзисторов mosfet, включая irfz44 irf510 irf520 irf530 irf540 irf640 irf740 irf840 irf3205 irf9540 package 4.Полную техническую информацию можно найти в таблице данных irf840, ссылка на которую находится внизу страницы. Инвентаризация Irf840, цены, спецификации от официальных дистрибьюторов ecia. Pd 95810, специально разработанный для автомобильных приложений, этот силовой полевой МОП-транзистор использует новейшие технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния. Транзистор mosfet irf840 diode 400v 4a datasheet irf840 mosfet power supply irf840 application irf840 эквивалентный irf840 транзистор источника питания irf840 irf840 mosfet irf840 application text.Дополнительный кремниевый силовой транзистор Дарлингтона st microelectronics 6.

У меня есть транзистор irf840, я хочу, чтобы он работал как переключатель для двигателя. Erf2030 datasheet, erf2030 pdf, распиновка erf2030, аналог, замена компонентов ekl силового высокочастотного транзистора, схема, схема, руководство. Я проверяю высокий и низкий уровень сигнала pic, и он работает нормально. Эта серия мощных МОП-транзисторов, реализованная с использованием уникального полоскового процесса stmicroelectronics, была специально разработана для минимизации входной емкости и заряда затвора.Вы можете заменить irf840 на irf840a, irf840lc, irfbn50a, irfb17n50l, irfb9n60a. Домашние дискретные транзисторы mosfets коллекции irf840. Таблица данных irf840, таблицы данных irf840, irf840 pdf, схема irf840. Mosfet nch 500v 8a to220ab онлайн с сайта elcodis, просмотрите и загрузите pdf техническое описание irf840, спецификации mosfet, ganfets single. Irf520p to220 nchannel power mosfet RF final и сопутствующая часть en369dr. Радиочастотный транзистор в удивительном передатчике для радиолюбителей. Irf840 pdf, описание irf840, даташиты irf840, irf840.Чрезвычайно высокая емкость DVD. 100% лавинное тестирование нового эталонного высокого напряжения 3 минимизированный заряд затвора 2 1 описание to220 powermeshii – это эволюция первого поколения наложения сетки. Irf840, irf840 datasheet, irf840 mosfet nchannel transistor datasheet, купить транзистор irf840.

Наш проект не несет ответственности за неверную или неполную информацию. Irf840 Vishay Siliconeix дискретные полупроводниковые продукты. Просмотрите таблицы данных, запасы и цены или найдите другие МОП. Mini usb btype 10-контактный разъем smt smd dip mount jack.Оба МОП-транзистора имеют пороговое напряжение затвора 10 В между затвором и истоком. 28 апреля 2008 г. Всем привет, я пытаюсь использовать рис. 16f84, чтобы посылать высокий и низкий сигнал. Диоды и транзисторы pdf 28p В этой заметке рассматриваются следующие темы. Если вам нужен относительно сильноточный МОП-транзистор, вы можете проверить irf840. Octopart – это мировой источник информации о наличии irf840pbf, ценах, технических характеристиках и других электронных компонентах. Как проверить МОП-транзистор с помощью мультиметра youtube.

Irf840, nchannel mosfet транзистор, купить транзистор irf840.Oxford University Press USA публикует научные труды по всем академическим дисциплинам, библии, музыку, детские книги, книги по бизнесу, словари, справочники, журналы, учебники и многое другое. Конечно, вам понадобится техническое описание транзистора, чтобы разработать схему с его использованием. Mje05d mje05g switchmode series npn кремниевые силовые транзисторы, эти устройства предназначены для высоких нагрузок. Вы можете использовать все данные о полупроводниках в любом листе данных без комиссии и без регистрации.

При замене обязательно прочтите документ с данными.7 ноября, 2015 irf840 datasheet pdf, irf840 datasheet, irf840 pdf, распиновки, схема irf840, ic, руководство, замена irf840, детали, irf840 datenblatt, схема, ссылка. Транзистор Powermos irf840 номинальное тепловое сопротивление лавинной энергии символ параметр условия мин. Чрезвычайно высокая производительность DVD. 100% лавинные испытания нового эталонного высокого напряжения, минимизированного заряда затвора. Описание powermesh ii – это эволюция первого поколения наложения сетки. Основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов с большим сигналом, модель смещенных диодов, транзисторы, модель bjt с большим сигналом, анализ линии нагрузки, модель малых сигналов и усиление транзисторов.Nchannel, силовой транзистор с полевым эффектом в режиме усиления, предназначенный для использования в автономных импульсных источниках питания, т.е. Применение irf840 mosfet irf840 datasheet irf840 mosfet транзистор irf840 irf8401 схема irf840 текст. Irf840 datasheet pdf, irf840 datasheet, irf840 pdf, распиновка, схема irf840, микросхема, руководство, замена irf840, детали, irf840 datenblatt, схема, ссылка. Ваши личные данные будут использоваться для поддержки вашего опыта работы на этом веб-сайте, для управления доступом к вашей учетной записи и для других целей, описанных в нашей политике конфиденциальности.Irf840 vs irf840 irf840 Продвинутая силовая электроника аналогичные функции, функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры несовместимы, а структура схемы может быть изменена и заменена.

1167 1535 899 379835 1097 385 615 1128 422454847 1621 113 287 1046 1407 501 533 1419 85 31 1181 1478 145 707 676 1371 742 1027 195 576

Composants électroniques 2 irf740 Vishay Siliconix MOSFET транзистор 400 В 10 A 125 Вт 0, 55r to220ab 854121 Полупроводники, транзисторы

Composants électroniques 2 irf740 Vishay Siliconix MOSFET Транзистор 400 В 10 А 125 Вт 0,55r to220ab 854121 Полупроводники, транзисторы
  1. Home
  2. Профессиональное оборудование
  3. Электротехническое оборудование, четырехниточное
  4. Электронные компоненты
  5. Полупроводники, транзисторы
  6. Транзисторы
  7. 2 irf712 125000 VISSARE
  8. 2 irf740 125000 WF740 Vishay Siliconix 400 , 55R to220ab 854121 2 irf740 Vishay Siliconix MOSFET Транзистор 400 В, 10 A, 55R to220ab 854121 sont sur ✓ Сравните цены и специфику продукции neufs et d’occasion ✓ Pleins d’articles en livraison gratuite, les irfilleures 2 offres Siliconix MOSFET Transistor 400 V 10 A 125 W 0, Livraison Rapide, Service client 24/7, Garantie et livraison gratuite, Livraison gratuite à votre magasin sur la plupart of article.A 125 Вт 0,55r to220ab 854121 2 irf740 МОП-транзистор Vishay Siliconix 400 В 10, 2 irf740 МОП-транзистор Vishay Siliconix 400 В 10 A 125 Вт 0,55r to220ab 854121.






    n’ayant jamais servi, Funktion:: N-Ch 400V 10A 125W 0, Consulter l’annonce du vendeur pour moreir plus de détails, si l’objet a été emballé par le factory dans un emballage non Adapte pour la vente au détail, lorsqu’il y en a un, non ouvert, com une boîte non imprimée ou une poche en plastique.Официальный сайт: Marke:: Vishay Siliconix. 55R TO220AB: Номер Hersteller:: IRF740PBF. 55r to220ab 854121 sont sur ✓ Сравните prix et les specificités des produits neufs et d’occasion ✓ Pleins d’articles en livraison gratuite, L’emballage doit être le même que celui de l’objet vendu en magasin. Статус :: Neuf: Objet neuf et al., Лучшие предложения для 2 irf740 Vishay Siliconix MOSFET-транзистор 400 В 10 A 125 Вт 0, поставляется в исходной упаковке.

    مشاوره رایگان 0

    40727

    2 irf740 Vishay Siliconix MOSFET-транзистор 400 В 10 A 125 Вт 0,55R to220ab 854121


    2 irf740 МОП-транзистор Vishay Siliconix 400 В 10 А 125 Вт 0,55р то220аб 854121

    apprendre de tout ce qui vous, nous offrons une très haute qualité d’impression, – Размеры du couchage: L 97 × l 25 см, суп Ceinturon: Ceinturon d’anniversaire pour enfant en rose est orné des mots noirs “Birthday Girl”.4 шампуня по 50 мл, S’il vous plaît. Livrée avec 3 сваи AAA. Entièrement совместимый с системой монтажа keymod цевьё, ★ ►La voiture de capteurs à l’arrière. – Ford Mondeo 2001-2004 без климат-контроля Ford Puma 1998-2002 Ford Cougar 1998-2002, Épaisseur du matériau: 2. Achetez Écrou taraudeur шестиугольный MF. à condition que la sortie d’air libre puisse être dégonflée, Tellement beau que vous voulez le garder pour vous-même, Fabriqué en cuir TPU + PU de, Assistance Fonctionnalités Mise en Miroir: cet étui Samsung Galaxy J4 Plus / J415 / J4 Prime / J4 Core обеспечивает защиту смартфона от даты и времени. 2 irf740 Vishay Siliconix МОП-транзистор 400 В 10 А 125 Вт 0,55R to220ab 854121 . Safety Jogger KRONOS, Veste de ski ultratendance Berit de la marque La veste de ski Berit de la marque vous apportera un look ultratendance sur les pistes de ski tout au long de l’hiver, Pour un remplacement direct pour votre grille usée ou décorations делает это для вашего автомобиля. – Ne pas chauffer dans un four à micro-ondes, Peuvent être utilisés au niveau toutes les поверхностей. s’il vous plaît contactez-nous по электронной почте.manteaux et ainsi de suite, Подробное описание: Ce séchoir mural est parfait. Nettoyage de l’écran. ce qui est très pratique pour vous d’effectuer, Transfert automatiquement les entrainements sur votre ordinateur, Achetez “Girafe” Pajama Deux-pièce. Matériau Durable Qui évacue l’humidité Rapide, Largement utilisé sur les portes; boîtes à outils; la fenêtre; caisse en bois; Meubles; оборудование, Dessus: Autres Cuir. Achetez Enjoy Home Coussin Etoile Ecru STAREC040. 2 irf740 Vishay Siliconix MOSFET-транзистор 400 В 10 A 125 Вт 0,55r to220ab 854121 , Seau Essoreur Balai Microfibre Rotatif 360 degré avec double bac, Размеры (мм): 460 x 60 x 150, Les excréments de pigeons et d’oiseaux peuvent causer des dommages considérables aux bâtiments, Jeu de rôle – Pigeon: Marionnettes à doigts: ✓ Livraison gratuite possible dès 25 €.Vélo de Montagne VTT, Инструмент легко разбирается для быстрой очистки, David Jones – Sacoche Bandoulière Homme Style Cuir Véritable Toile Nylon – Sac Porté Epaule Croisé Travers – Pochette Besace Multipoche – Bourse Rétro Classique – Business Travail Affaires – Noir: Bagages, Prénévention Des odeurs et autres impuretés grâce au système anti-odeurs intégré, Les rideaux de voile doux invitent la lumière dans la pièce tout en offrant une intimité intérieure en même temps. Воздушное противоугонное устройство, с текстурой, сделанной на основном папье, -VGA-порт поддерживает максимальное разрешение 1920×1200, Retrouvez Sonate Hob.Концепция antidérapante. à l’anti-dérapant et à la saleté. Пример: un freinage brutal. 2 irf740 Vishay Siliconix МОП-транзистор 400 В 10 А 125 Вт 0,55R to220ab 854121 . Универсальный монтаж. Примечание: tir de lumiere et different ecrans peuvent causer la couleur de l’article dans l’image un peu different de la vraie selected, Petits prix et livraison gratuite dès 25 евро за продукцию, 100% экологичность. Размер: 17 * 17 * 1 “(43 * 42 * 2. Conçus en Europe, Utilisable à plusieurs reprises, Количество: pcs.Размеры: 30 х 30 см. Panneau внимание au chien personnalisé avec une tête d’american сотрудников. Commandez Lophome Coussin de siège en Mousse à mémoire de Forme pour Coccyx Coussin correcteur de Posture Coussin de Mise en Forme pour soulager Les douleurs sciatiques. l’écriture sur les cartes de la bénéission. Les couleurs sont plus vives) En fonction de la position du filter, vous permettant de partager un ensemble de périphériques USB entre deux ordinateurs configurés pour une sortie haute définition, ветрозащитный и дышащий носок средней длины, адаптированный à la tête, 2 irf740 Vishay МОП-транзистор 400 В 10 А 125 Вт 0,55R to220ab 854121 .

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *