DataSheet — Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Описание
U2010B спроектирована как микросхема для фазового управления по биполярной технологии. Она позволяет отслеживать нагрузку по току и имеет функцию плавного пуска, а также выход опорного напряжения. Предпочтительными применениями являются управление двигателем с обратной связью по току и защитой от перегрузки.
Функции:
- Измерение полного волнового тока
- Коррекция изменения питающей сети
- Программируемое ограничение тока нагрузки с выходом сверхвысокой мощности
- Изменяемый плавный пуск
- Синхронизация напряжения и тока
- Автоматическая перезагрузка
- Типовой переключающий импульс 125 мА
- Внутренний контроль напряжения питания
- Потребляемый ток ≤ 3 мА
- Температурная компенсация опорного напряжения
Читать далее «U2010B — Микросхема фазового управления с обратной связью по току и защитой от перегрузки.
Обзор продукта
BTS 5242-2L — это двухканальный силовой переключатель верхнего плеча в корпусе PG-DSO-12-9 (рис.1), оснащенный встроенной защитной функцией.
Силовой транзистор построен на N-канальном силовом (полевом) МОП-транзисторе с вертикальной структурой и подкачкой заряда. Твердотельный прибор разработан по технологии Smart SIPMOS.
Рисунок 1. BTS 5242-2L в корпусе PG-DSO-12-9
Читать далее «BTS 5242-2L Интеллектуальный силовой переключатель верхнего плеча, Двухканальный, 25 мОм» →
Функции
- Выходной ток до 1 А
- Выходные напряжения: 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 24 В
- Тепловая защита от перегрузки
- Защита от короткого замыкания
- Защита выхода транзистора в рабочей области
Описание
Серия трехвыводных положительных стабилизаторов LM78XX доступна в корпусе TO-220 и с несколькими фиксированными выходными напряжениями, делая их полезными в широком спектре применений. Каждый тип использует внутреннее ограничение тока, тепловое отключение и защиту рабочей области. Если предусмотрено достаточное теплоотведение, они могут обеспечивать выходной ток более 1 А. Несмотря на то, что эти устройства предназначены главным образом в качестве фиксированных регуляторов напряжения, также могут использоваться с внешними компонентами для регулирования напряжений и токов.
Рис. 1. Корпус ТО-220
Читать далее «LM78XX / LM78XXA 3-х выводной 1 А положительный стабилизатор напряжения» →
1. Функции
- Широкий диапазон напряжения питания от 4.5 В до 36 В
- Отдельный вход источника питания для логической части
- Внутренняя защита от электростатического разряда
- Входы с высоким уровнем помехоустойчивости
- Возможность выходного тока на канал – 1 A (600 мА для L293D)
- Пиковый выходной ток на канал – 2 А (1.2 A для L293D)
- Выходные ограничительные диоды для подавления индуктивных переходных процессов (L293D)
2. Применение
- Драйверы для шаговых двигателей
- Драйверы для двигателей постоянного тока
- Драйверы для фиксации состояния реле
Логическая схема ИС L293D, L293DD
Читать далее «Четырехканальный H-мостовой драйвер L293x» →
Общее описаниеPT4115 представляет собой индуктивный понижающий преобразователь с непрерывным режимом работы, предназначенный для управления одним или несколькими последовательно подключенными светодиодами, питающимися от источника напряжения выше, чем общее напряжение цепи светодиодов. Микросхема может работать от источника питания с напряжением от 6 до 30 В и обеспечивает внешний регулируемый выходной ток до 1,2 А. В зависимости от напряжения питания и внешних компонентов, PT4115 может обеспечивать выходную мощность более 30 Вт. PT4115 включает в себя выключатель питания и схему контроля выходного тока, которая использует внешний резистор для установки номинального среднего выходного тока, а на отдельный вход DIM можно подавать либо постоянное напряжение, либо широкий диапазон ШИМ.
- Малое количество подключаемых внешних компонентов
- Широкий диапазон напряжения питания: от 6 до 30 В
- Выходной ток до 1.2 А
- Один вывод для включения/выключения и регулировки яркости, использующий постоянное напряжение или ШИМ
- Частота коммутации до 1 МГц
- Номинальная точность поддержания выходного тока 5%
- Встроенная схема отключения для защиты светодиодов
- Высокий К.П.Д. (до 97%)
- Отслеживание тока на стороне высокого напряжения
- Гистерезисное управление: без компенсации
- Регулируемый постоянный ток светодиода
- Корпус ESOP8 для схем с большой выходной мощностью
- Соответствует RoHS
Читать далее «PT4115 — Понижающий преобразователь (драйвер светодиодов)» →
Схема фазового управления с обратной связью
Описание:Интегральная схема U211B2/B3 разработана как схема фазоконтроля по биполярной технологии с внутренним преобразователем частоты (аналог TDA1085). Кроме того, микросхема оснащена встроенным усилителем сигнала управления и может использоваться для регулирования скорости вращения электродвигателя. Он имеет интегрированное ограничение нагрузки, мониторинг цепи тахометра и функции плавного пуска и многое другое для реализации сложных систем управления двигателем.
- Внутренний преобразователь частоты в напряжение
- Интегрированный усилитель с внешним управлением
- Ограничение перегрузки с «откидной» характеристикой
- Оптимизированная функция плавного пуска
- Мониторинг тахометра для замкнутого и разомкнутого контура
- Автоматическая перезагрузка
- Стандартное значение импульса срабатывания: 155 мА
- Синхронизация напряжения и тока
- Внутренний мониторинг напряжения питания
- Источник задания температуры
- Потребление тока ≤ 3,3 мА
Читать далее «U211B2/B3 — Регулятор оборотов коллекторного двигателя» →
Свойства- Мощные симисторы
- Низкое тепловое сопротивление
- Высокая коммутирующая способность
- Сертифицированы по стандарту UL1557
- Корпусы соответствуют директиве RoHS (2002/95/EC)
Применение
Описание
Доступны в мощных корпусах. Симисторы серии BTA / BTB40-41 подходят для коммутации переменного тока общего назначения. Серия BTA снабжена изолированным язычком (номинальное среднеквадратичное напряжение пробоя 2500 В).
Типы корпусов (A1, A2 — аноды, G — управляющий электрод)
Читать далее «Симисторы серии BTA40, BTA41, BTB41» →
Расположение выводов IRF740
Описание
Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.
Читать далее «IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор» →
Свойства- Управляющие каналы предназначены для работы под нагрузкой
— Полностью работоспособны при напряжении до +600 В
— Нечувствителен к отрицательным переходным напряжениям
— Невосприимчив к скорости нарастания напряжения dV/dt
Купить IR2104
Читать далее
FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220], Fairchild
Описание
FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Это устройство хорошо подходит для низковольтных устройств вроде DC-DC преобразователей, высокоэффективного коммутационного оборудования для портативных и устройств с питанием от батареи. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Улучшенная характеристика dv/dt
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости
• Максимальная температура перехода 175°C
Технические параметры
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. |
50 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.022 ом при 25a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 |
Крутизна характеристики, S | 40 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 2.5 |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Datasheet FQP50N06
Datasheet FQP50N06
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
irfz44n транзистор характеристики, аналоги, DataSheet на русском
Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.
Назначение контактов
Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.
Графическое обозначение
Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.
Распиновка
Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.
Основные характеристики
Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):
- Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
- Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
- Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
- Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт
В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).
Максимальные значения
Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.
Тепловые параметры
Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.
Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят номинальные электрические характеристики. У IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.
Маркировка
Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.
В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.
В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.
IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.
Аналоги
Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).
С
хема включенияТеперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO2. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее VGS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток ID.
Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений VGS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.
Варианты
примененияПолевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.
Производители
В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя. Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:
K2837 datasheet на русском – Вместе мастерим
K2837 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: K2837
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 271 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 250 ns
Выходная емкость (Cd): 520 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO-247
K2837 Datasheet (PDF)
1.1. k2837.pdf Size:498K _update_mosfet
K2837 K2837 K2837 K2837 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features ■ 24A,500V,RDS(on)(Max0.19Ω)@VGS=10V ■ Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode power field ef
1.2. k2837b.pdf Size:572K _update_mosfet
K2837B K2837B K2837B K2837B Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 24A,500V,R (Max0.19Ω)@V =10V ■ DS(on) GS ■ Ultra-low Gate charge(Typical 90nC) ■ Fast Switching Capability ■ 100%Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range(150℃) General Description This N-Channel enhancement mode power
1.3. 2sk2837.pdf Size:426K _toshiba
2SK2837 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSV) 2SK2837 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 0.21 ? (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 17 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 µA (max) (V = 500 V) DSS DSS Enhancement-mode : Vth = 2.0
Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .
Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Высказывания: Основные параметры полевого n-канального транзистора K2837BЭта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора K2837B . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Тип канала: n-канал |
Pd max, мВт | Uds max, В | Udg max, В | Ugs max, В | Id max, мА | Tj max, °C | Fr (T on/of) | Ciss tip, пФ | Rds, Ом |
271000 | 500 | — | 30 | 96000 | -55+150 | (Ton:80/Tof:200nS) | 3500 | 0,16 |
Производитель: WinSemi
Сфера применения:
Популярность: 1655
Дополнительные параметры транзистора K2837B: Корпус: TO-247AD; dV/dt: 4,5В/нс; Rth: 0,46°C; Coss: 520пФ; Crss: 55пФ; Qg: 90нКл; Qgs: 23нКл; Qgd: 44нКл; Trise: 250нc; Tfall: 155нc; Trr: 400нc;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора K2837B
Общий вид транзистора K2837B. | Цоколевка транзистора K2837B. |
Обозначение контактов:
Международное: G — затвор, D — сток, S — исток.
Российское: З — затвор, С — сток, И — исток.
Дата создания страницы: 2016-03-24 15:27:52; Пользователь: .
Коллективный разум. Дополнения для транзистора K2837B.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
ALD212908SAL | Advanced Linear Devices Inc. | МОП-транзистор 2N-CH 10,6 В 0,08 А 8SOIC | 23481 | $ 3.98260 / ədəd | Запрос предложений səbətinə əlavə edin? | |
ALD210800PCL | Advanced Linear Devices Inc. | МОП-транзистор 4N-CH 10.6 В 0,08 А 16DIP | 19242 | $ 4.86000 / ədəd | Запрос предложений səbətinə əlavə edin? | |
ALD114804PCL | Advanced Linear Devices Inc. | МОП-транзистор 4N-CH 10,6 В 16DIP | 19066 | $ 4.90 500 / ədəd | Запрос предложений səbətinə əlavə edin? | |
ALD110808ASCL | Advanced Linear Devices Inc. | МОП-транзистор 4N-CH 10,6 В 16SOIC | 14211 | $ 6.58060 / ədəd | Запрос предложений səbətinə əlavə edin? | |
ALD210814PCL | Advanced Linear Devices Inc. | МОП-транзистор 4N-CH 10,6 В 0,08 A 16DIP | 20991 | $ 4.45500 / ədəd | Запрос предложений səbətinə əlavə edin? | |
ALD1108ESCL | Advanced Linear Devices Inc. | МОП-транзистор 4N-CH 10V 16SOIC | 18555 | $ 5.04000 / ədəd | Запрос предложений səbətinə əlavə edin? | |
ALD110814PCL | Advanced Linear Devices Inc. | МОП-транзистор 4N-CH 10,6 В 16DIP | 20473 | $ 4.56760 / ədəd | Запрос предложений səbətinə əlavə edin? | |
ALD114913SAL | Advanced Linear Devices Inc. | МОП-транзистор 2N-CH 10,6 В 8SOIC | 23380 | $ 4.00000 / ədəd | Запрос предложений səbətinə əlavə edin? | |
ALD114804APCL | Advanced Linear Devices Inc. | МОП-транзистор 4N-CH 10,6 В 16DIP | 13264 | $ 7.05000 / ədəd | Запрос предложений səbətinə əlavə edin? | |
ALD110900APAL | Advanced Linear Devices Inc. | МОП-транзистор 2N-CH 10,6 В 8DIP | 15255 | $ 6.13000 / ədəd | Запрос предложений səbətinə əlavə edin? |
50N06 datasheet – 50 А, 60 В N-канальный силовой Mosfet
CD74HC534 : CMOS / BiCMOS-> HC / HCT Family.Высокоскоростной CMOS-логический восьмеричный триггер D-типа, трехпозиционный инвертирующий запуск по положительному фронту.
CME5.2V3A : Сидак / однонаправленный тиристор (серия G1V).
SN54ACT10FK : Тройные ворота с положительным и отрицательным входом с 3 входами. Входы совместимы с TTL-напряжением EPIC TM (CMOS с улучшенными характеристиками) Варианты 1-метрового технологического пакета включают пластиковые корпуса с малым контуром (D), термоусадочный корпус с малым контуром (DB) и тонкий термоусадочный корпус с малым контуром (PW), керамический Держатели чипов (FK) и плоские пакеты (W), а также стандартные пластиковые (N) и керамические (J) DIPS. ACT10 содержит три независимых входа с 3 входами.
HY27US08121M : 256 Мбит (32 x 8 бит / 16 x 16 бит) NAND Flash. HY27SS (08/16) Серия 561M HY27US (08/16) Серия 561M / 16Mx16bit) Название документа флэш-памяти NAND / 16Mx16bit) История изменений флэш-памяти NAND 0,1 0,2 Группа продуктов для продления первоначального проекта Добавить рабочий продукт 1,8 В к листу данных Функция включения резервной вставки для GND – в случае чтения или программирования контакт GND (# 6) должен быть низким или высоким. – Смените тест.
CMXZ9V1TO : Тройные изолированные кремниевые стабилитроны для поверхностного монтажа 2.От 4 Вольт до 47 Вольт, допуск 5%.
SI4701 : Тюнер FM-радиовещания для портативных приложений. Si4700 – первая в отрасли ИС FM-радиотюнера, в которой используется цифровая интеграция и 100% КМОП-технологический процесс, в результате чего получается полностью интегрированное решение, для которого требуется только один обходной конденсатор внешнего источника питания и площадь платы менее мм2. Предлагая непревзойденную интеграцию, Si4700 позволяет добавлять FM-радио в различные портативные устройства.
426492800-3 : Кабели (кабельные сборки) Панельный кабель LVDS NEC LCD.s: Производитель: Digital View; Категория продукта: Кабели (кабельные сборки); RoHS: подробности; Продукт: Кардеджи и объединительные платы; Длина: 460 мм; Тип кабеля: Панельный кабель LVDS.
08051A151FAT4A : Керамический конденсатор 150 пФ 0805 (2012 метрическая система) 100 В; CAP CER 150PF 100V NP0 0805. s: Емкость: 150 пФ; Напряжение – номинальное: 100 В; Допуск: 1%; Упаковка / ящик: 0805 (2012 метрическая система); Температурный коэффициент: C0G, NP0; Упаковка: лента и катушка (TR); : -; Расстояние между выводами: -; Рабочая температура: -55C ~ 125C; Тип установки: поверхностный монтаж, MLCC; Вести.
171-PA35135-E : Разъемы для телефона DC POWER 1.3MM. s: Производитель: Kobiconn; Категория продукта: Разъемы для телефонов; RoHS: подробности; Конфигурация переключателя: не переключается; Мужской пол ; Покрытие контактов: никель; Черный цвет ; Материал контактов: латунь; Номинальное напряжение: 12 вольт; Рейтинг контактов: 2,5 А; Количество заводской упаковки: 100.
159-1803 : Клеммы WIRE NUT YEL. s: Производитель: Kobiconn; Категория продукта: Терминалы; RoHS: Нет; Продукт: соединители проводов; Размер провода (AWG): 18-16; Утеплитель: Утеплен; Цвет: желтый; Женский пол ; Материал изоляции: поливинилхлорид; Длина: 11.99 мм; Серии: 159; Количество заводской упаковки: 100; Номинальное напряжение: 600 В.
929835-01-31 : Сквозное отверстие для оловянного вывода, прямоугольное, прямоугольное – разъемы, штыревые разъемы, соединительный разъем, без кожуха; CONN HEADER .100 SNGL R / A 31POS. s: Цвет: черный; Тип разъема: Заголовок, без кожуха; Контактная отделка: оловянно-свинцовый; Длина сопряжения контактов: 0,235 дюйма (5,97 мм);: -; Тип установки: сквозное отверстие, под прямым углом; Количество загруженных позиций: все; Количество.
MCR03EZPFX5110 : 511 Ом 0.Чип-резистор 1 Вт, 1/10 Вт – поверхностный монтаж; RES 511 OHM 1 / 10W 1% 0603 SMD. s: Сопротивление (Ом): 511; Мощность (Вт): 0,1 Вт, 1/10 Вт; Допуск: 1%; Упаковка: Лента для резки (CT); Состав: толстая пленка; Температурный коэффициент: 100 ppm / C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.
Ah2892 : ПРОГРАММИРУЕМЫЙ МИКРОЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ДАТЧИКА ХОЛЛОВОГО ЭФФЕКТА ОМНИПОЛЯРНЫЙ. Ah2892 – это микросхема всеполярного переключателя на эффекте Холла с возможностью выбора микромощного магнитного диапазона (Bop / Brp) с внутренним подтягиванием и понижением, разработанная для потребительского оборудования, от портативных сотовых телефонов и портативных компьютеров с батарейным питанием до бытовой техники и промышленных приложений.
HW-05-15-F-D-250-SM : 10 КОНТАКТОВ, НАРУЖНЫЙ, РАЗЪЕМ ПРЯМОЙ ПЛАТЫ СТЕКЛА, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Тип разъема: СОЕДИНИТЕЛЬ СТЕКИРОВАНИЯ ПЛАТЫ; Мужской пол ; Типы клемм: PCBSolder; Количество контактов: 10; Соответствует RoHS: RoHS.
MJD18002D2-1 : 2 А, 450 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: CASE 369-07, ДПАК-3.
MWM1 / 2 : РЕЗИСТОР, ПРОВОДНАЯ НАВИВКА, 0,5 Вт, 0,01; 0,02; 0,05; 0,1; 0,25; 0,5; 1; 2; 3; 5; 10%, 5 – 300 частей на миллион, 0.01 Ом – 2000 Ом, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), CHIP; Рабочее напряжение постоянного тока: 33 вольт; Рабочая температура: от -55 до 275 ° C (-67,
РУКОВОДСТВО BFT ICARO MA FILETYPE PDF
Быстрые ссылки. Загрузите это руководство См. Также: Установщик и Руководство пользователя. Оглавление. Привод ICARO обеспечивает широкую гибкость установки благодаря чрезвычайно низкому положению шестерни, компактности привода и тому, что описания и иллюстрации, содержащиеся в данном руководстве, не являются высотой и глубиной, которые можно легко отрегулировать.
Автор: | Zuluramar Ninos | |||||||||||||||||||||||||
Страна: | Мали | |||||||||||||||||||||||||
Язык: | Английский (Испанский) | |||||||||||||||||||||||||
Жанр: | ||||||||||||||||||||||||||
22 августа 2013 г. | ||||||||||||||||||||||||||
Страницы: | 492 | |||||||||||||||||||||||||
Размер файла PDF: | 14,38 МБ | |||||||||||||||||||||||||
Размер файла ePub: | 5,70 МБ | |||||||||||||||||||||||||
9701-20005 -332-1 | ||||||||||||||||||||||||||
Загрузки: | 44583 | |||||||||||||||||||||||||
Цена: | Бесплатно * [ * Требуется бесплатная регистрация ] | |||||||||||||||||||||||||
Загрузчик: | Nikogis69 | вы можете загрузить всю коммерческую документацию, доступную для вашего национального филиала.Bft предоставляет своим пользователям все необходимые инструменты для облегчения их повседневной работы, но не все можно найти прямо на этой странице. |
Автор: | Кагаджар Дошо |
Страна: | Марокко |
Язык: | английский (испанский) |
Жанр: | Музыка |
Опубликовал (последний): | 4 марта 2005 г. |
Страниц: | 286 |
PDF Размер файла: | 11.18 Мб |
Размер файла ePub: | 1.25 Мб |
ISBN: | 327-2-75158-145-9 |
Загрузки: | 40052 |
Цена: | Бесплатно * [ * Требуется бесплатная регистрация ] |
Загрузил: | Таугуль |
Покупатели должны застраховать все возвращаемые товары от потери или повреждения во время транспортировки.
02N60P Лист данных – V, силовой МОП-транзистор – SSM02N60P
Из-за возможной задержки обновления обменного курса цены в различных валютах приведены только для справки. Детали политики возврата Покупатели могут получить частичное возмещение и сохранить товар, если он не соответствует описанию или имеет проблемы с качеством, путем переговоров напрямую с продавцом в течение 30 дней со дня получения товара.
Спонсируемые продукты– это реклама продуктов, продаваемых продавцами на DHgate. Вы также можете приобрести план защиты SquareTrade для продуктов :.
Гарантия на интегральные схемы составляет 45 дней. Другой товар от Транзисторы. Пожалуйста, поделитесь с нами своим мнением об этой странице. Нажмите здесь. Подробнее Оптовые ресурсы для транзисторов оптовые мужские футболки оптом мужские рубашки поло оптом мужские футболки викингов оптом мужские футболки diy оптом повседневные мужские компрессионные рубашки Транзисторы на продажу со скидкой стабилитроны со скидкой тестер транзисторов npn pnp со скидкой усилители бренды со скидкой транзисторный канал скидка голубой диод онлайн Шоппинг Транзисторы в стойке б / у онлайн соломенный набор данных светодиодная оптовая продажа онлайн новый оригинальный транзистор онлайн светодиодная вспышка быстро онлайн транзистор оптом онлайн Транзисторы Поставщики диод 5 мм выпрямительные диоды питания транзисторы цепи питания доставка электроника питания n-канальная поставка Транзисторы купоны комплект дома купоны красный светодиодный резистор купоны smd electronics купоны мигающие диоды dafasheet 5 мм rgb светодиоды диффузные купоны Купить по странам 3 мм светодиоды диффузные Канада доставка диод Австралия логика продукта NZ 3 мм синий светодиод оптом Великобритания бесплатные резисторы Канада транзисторы mosfet Австралия esr метр транзистор NZ оптовый комплект дома Великобритания .
Цены, спецификации и наличие всех позиций могут быть изменены без предварительного уведомления.
02N60P PDF Лист данных Результаты поиска
Стихийные бедствия, техногенные повреждения, снос даташфета, ошибки обслуживания. Рекламные спонсируемые продукты – это реклама продуктов, продаваемых продавцами на DHgate. Вам также может понравиться.
Все микросхемы являются новыми, высококачественными компонентами: изображения только для справки. Datasheet не несет ответственности за опечатки.Ссылка Валюта HKD Обновление программного обеспечения или прошивки, так как это приведет к аннулированию гарантии.
02N60P Лист данных PDF –
Техническая поддержка по удобству использования продукта. Точные характеристики должны быть получены из таблицы данных. Отправьте запрос на покупку Позвольте нам помочь вам найти то, что вам нужно.
Сообщение Продавец Онлайн Чат. Сломано из-за доставки. Большинство заказов отправляется через 2 дня после подтверждения оплаты. Помогите улучшить свой опыт работы с DHgate. Обратите внимание, что только почтовые службы, такие как China Post, EMS, могут доставлять частные посылки в Россию.По истечении 45 дней после отправки товара.
02N60P Лист данных PDF
Этот товар не может быть доставлен в Соединенные Штаты Пожалуйста, свяжитесь с продавцом, чтобы решить эту проблему. Мы принимаем обмен предметов при условии: – Недостаточное количество или несовпадение предметов. Просмотр корзины 0 товаров.
Мы выбрали самые продаваемые товары в этой категории специально для вас! Для всех частных заказов, пожалуйста, выбирайте только из этих компаний. Неисправные элементы должны быть возвращены на склад запчастей IC в течение десяти 10 рабочих дней с момента получения продукта.